公开(公告)号：CN100390317C

公开(公告)日：2008-05-28

申请号：CN03809799.0

申请日：2003-07-10

Applicant: 东京毅力科创株式会社

Inventor： 山英亮 ,  河野有美子 ,  山本纪彦

IPC: C23C16/455 ,  H01L21/285 ,  H01L21/31

CPC classification number: C23C16/45561 ,  C23C16/16 ,  C23C16/4412

Abstract: 本发明的成膜装置100的特征是，包括：装入用于生成源气体的原料的原料容器10；用于对半导体基板101进行成膜处理的成膜室120；用于将上述源气体从原料容器10供给至成膜室120的原料供给管路30；具有由涡轮分子泵14和干式泵16形成的真空泵系统的用于排出成膜室120中气体的排气流路32；和，从原料供给管路30分支、并与成膜室120和涡轮分子泵14形成旁路、然后与排气流路32合流的预流动流路33；并且，原料供给管路30包含有内径大于6.4mm的配管，在预流动流路中33设置涡轮分子泵15。