公开(公告)号：CN103874781A

公开(公告)日：2014-06-18

申请号：CN201280049744.1

申请日：2012-10-04

Applicant: 气相成长株式会社 ,  东京毅力科创株式会社

Inventor： 町田英明 ,  石川真人 ,  须藤弘 ,  河野有美子 ,  岩井和俊

IPC: C23C16/18 ,  C07C257/14 ,  C07C211/65 ,  C07F15/06

CPC classification number: C23C18/08 ,  C07F15/065 ,  C23C16/18 ,  C23C18/04

Abstract: 本发明提供一种能够稳定供给熔点低、40℃左右为液体、引起配管中途的固化闭塞的可能性小的原料，容易形成高品质钴基膜的技术，该技术使用双(N,N'-二异丙基丙脒)钴。

公开(公告)号：CN103874781B

公开(公告)日：2016-02-10

申请号：CN201280049744.1

申请日：2012-10-04

Applicant: 气相成长株式会社 ,  东京毅力科创株式会社

Inventor： 町田英明 ,  石川真人 ,  须藤弘 ,  河野有美子 ,  岩井和俊

IPC: C23C16/18 ,  C07C257/14 ,  C07C211/65 ,  C07F15/06

CPC classification number: C23C18/08 ,  C07F15/065 ,  C23C16/18 ,  C23C18/04

Abstract: 本发明提供一种能够稳定供给熔点低、40℃左右为液体、引起配管中途的固化闭塞的可能性小的原料，容易形成高品质钴基膜的技术，该技术使用双(N,N'-二异丙基丙脒)钴。

公开(公告)号：CN109715852B

公开(公告)日：2021-09-21

申请号：CN201780057134.9

申请日：2017-08-29

Applicant: 东京毅力科创株式会社

Inventor： 藤田启一 ,  岩井和俊 ,  水谷信崇

IPC: C23C18/52 ,  C23C18/32 ,  H01L21/288 ,  H01L21/768 ,  H01L23/522

Abstract: 能够在基板的凹部内形成金属布线层，且不会在基板表面残留异物镀层。金属布线层形成方法具有：在设置于基板(2)的凹部(3)的底面(3a)的钨或钨合金(4)上形成作为保护层的第一镀层(7)的工序；对基板(2)的表面(2a)上的异物镀层(7a)进行清洗来将其去除的工序；以及在凹部(3)内的第一镀层(7)上形成第二镀层(8)的工序。

公开(公告)号：CN109715852A

公开(公告)日：2019-05-03

申请号：CN201780057134.9

申请日：2017-08-29

Applicant: 东京毅力科创株式会社

Inventor： 藤田启一 ,  岩井和俊 ,  水谷信崇

IPC: C23C18/52 ,  C23C18/32 ,  H01L21/288 ,  H01L21/768 ,  H01L23/522

CPC classification number: H01L21/76879 ,  C23C18/32 ,  C23C18/52 ,  H01L21/288 ,  H01L21/32134 ,  H01L21/768 ,  H01L21/76843 ,  H01L21/76864 ,  H01L21/76865 ,  H01L21/76874 ,  H01L23/522 ,  H01L23/53209

Abstract: 能够在基板的凹部内形成金属布线层，且不会在基板表面残留异物镀层。金属布线层形成方法具有：在设置于基板(2)的凹部(3)的底面(3a)的钨或钨合金(4)上形成作为保护层的第一镀层(7)的工序；对基板(2)的表面(2a)上的异物镀层(7a)进行清洗来将其去除的工序；以及在凹部(3)内的第一镀层(7)上形成第二镀层(8)的工序。