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公开(公告)号：CN114830323A
公开(公告)日：2022-07-29
申请号：CN202080085825.1
申请日：2020-12-08
Applicant: 东京毅力科创株式会社
Inventor： 艾恩华·罗莫内格雷拉 , 河野有美子 , 迪纳·特约索
IPC: H01L21/768 , H01L21/02 , H01L21/3105
Abstract: 披露了一种衬底加工方法，其包括提供包含金属表面和介电材料表面的衬底，在该金属表面上选择性地形成包含自组装单层的牺牲覆盖层，去除该牺牲覆盖层以恢复该金属表面，以及加工该恢复的金属表面和该介电材料表面。该牺牲覆盖层可以用于防止金属扩散到介电材料中，并防止在等待进一步加工该衬底的同时该金属表面的氧化和污染。
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公开(公告)号：CN112714945A
公开(公告)日：2021-04-27
申请号：CN201980061504.5
申请日：2019-09-19
Applicant: 东京毅力科创株式会社
IPC: H01L21/316 , C23C14/06 , C23C16/34 , C23C16/40 , C23C16/56 , H01L21/768 , H01L21/8242 , H01L23/532 , H01L27/108
Abstract: 本发明的半导体装置的制造方法包括第1层叠工序、第2层叠工序、第3层叠工序、第1退火工序和第4层叠工序。在第1层叠工序中，在基材上层叠第1电极膜。在第2层叠工序中，在第1电极膜上层叠电容绝缘物。在第3层叠工序中，在电容绝缘物上层叠金属氧化物。在第1退火工序中，对层叠于基材上的第1电极膜、电容绝缘物和金属氧化物进行退火。在第4层叠工序中，在进行了退火的金属氧化物上层叠第2电极膜。此外，电容绝缘物是包含锆和铪中的至少任一者的氧化物，金属氧化物是含有钨、钼和钒中的至少任一金属的氧化物。
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公开(公告)号：CN102820222A
公开(公告)日：2012-12-12
申请号：CN201210296623.9
申请日：2009-02-18
Applicant: 东京毅力科创株式会社 , 尔必达存储器株式会社
IPC: H01L21/316 , C23C16/40 , H01L21/31 , H01L21/8242 , H01L27/108
CPC classification number: C23C16/409 , C23C16/45531 , H01G4/1227 , H01L21/31691 , H01L28/55
Abstract: 作为第一有机金属化合物原料，使用蒸气压低且有机配体容易被氧化剂分解而产生CO的化合物，作为第二有机金属化合物原料，使用金属醇盐，作为氧化剂，使用气态的O3或者O2，将它们导入处理容器内而在基板上形成AxByOz型的氧化物膜，在即将导入氧化剂之前，必须导入上述第二有机金属化合物原料。
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公开(公告)号：CN102016119B
公开(公告)日：2012-11-21
申请号：CN200980113995.X
申请日：2009-06-09
Applicant: 东京毅力科创株式会社
CPC classification number: C23C16/46 , H01L21/67109 , H05B6/105 , H05B6/365 , H05B6/44
Abstract: 本发明涉及一种热处理装置，能够在同时对分别载置在多个基座上的基板进行加热时，控制各基板的面内温度的均匀性。该热处理装置包括：对多枚晶片实施规定处理的反应管(104)；分别具有载置晶片的载置面的、由导电性材料构成的多个基座(112)；将各基座在与其载置面垂直的方向隔开间隔地排列并支撑在反应管内的、旋转自由的石英舟(110)；在处理室的侧壁上设置的、在与各基座的载置面平行的方向上形成交流磁场而对各基座进行感应加热的由一对电磁铁(120、130)构成的磁场形成部；和对利用该磁场形成部形成的交流磁场加以控制的控制部(200)。
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公开(公告)号：CN102089872A
公开(公告)日：2011-06-08
申请号：CN200980105722.0
申请日：2009-02-18
Applicant: 东京毅力科创株式会社 , 尔必达存储器株式会社
IPC: H01L21/316 , C23C16/40 , H01L21/31 , H01L21/8242 , H01L27/108
CPC classification number: C23C16/409 , C23C16/45531 , H01G4/1227 , H01L21/31691 , H01L28/55
Abstract: 作为第一有机金属化合物原料，使用蒸气压低且有机配体容易被氧化剂分解而产生CO的化合物，作为第二有机金属化合物原料，使用金属醇盐，作为氧化剂，使用气态的O3或者O2，将它们导入处理容器内而在基板上形成AxByOz型的氧化物膜，在即将导入氧化剂之前，必须导入上述第二有机金属化合物原料。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN102017078A
公开(公告)日：2011-04-13
申请号：CN200980114031.7
申请日：2009-06-25
Applicant: 东京毅力科创株式会社
IPC: H01L21/205 , C23C16/46 , H01L21/22 , H01L21/31 , H01L21/324
CPC classification number: H01L21/67109 , H01L21/67303
Abstract: 本发明涉及一种热处理装置，能够在同时加热多个基座上分别载置的基板时，控制各基板的面内温度的均匀性，该热处理装置设置有：多个基座(120)，其为载置所述基板的导电性部件，具有电性分隔为中心部(126)和周边部(124)的感应发热体(122)；石英舟(112)，将各基座排列成一列地加以支撑；感应线圈(130)，按照包围各基座的周围的方式配置在处理室(102)内，构成为温度调节自由；和控制部(300)，通过对从高频电流电路(200)施加到感应线圈的所述两个频率的高频电流加以控制，使感应发热体的中心部的发热量和周边部的发热量的比率发生变化从而进行温度控制。
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公开(公告)号：CN102016119A
公开(公告)日：2011-04-13
申请号：CN200980113995.X
申请日：2009-06-09
Applicant: 东京毅力科创株式会社
CPC classification number: C23C16/46 , H01L21/67109 , H05B6/105 , H05B6/365 , H05B6/44
Abstract: 本发明涉及一种热处理装置，能够在同时对分别载置在多个基座上的基板进行加热时，控制各基板的面内温度的均匀性。该热处理装置包括：对多枚晶片实施规定处理的反应管(104)；分别具有载置晶片的载置面的、由导电性材料构成的多个基座(112)；将各基座在与其载置面垂直的方向隔开间隔地排列并支撑在反应管内的、旋转自由的石英舟(110)；在处理室的侧壁上设置的、在与各基座的载置面平行的方向上形成交流磁场而对各基座进行感应加热的由一对电磁铁(120、130)构成的磁场形成部；和对利用该磁场形成部形成的交流磁场加以控制的控制部(200)。
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公开(公告)号：CN101971303A
公开(公告)日：2011-02-09
申请号：CN200880103167.3
申请日：2008-09-02
Applicant: 东京毅力科创株式会社 , 尔必达存储器株式会社
IPC: H01L21/316 , C23C16/40 , H01L21/8242 , H01L27/108
CPC classification number: H01L21/0228 , C23C16/409 , C23C16/45531 , H01L21/02197 , H01L21/31604 , H01L21/31691 , H01L21/67115 , H01L21/68742 , H01L28/55
Abstract: 本发明提供Sr-Ti-O系膜的成膜方法，以膜中的Sr与Ti的比率Sr/Ti按原子数比计为1.2～3的方式进行成膜后，在含有0.001％～80％的O2的气氛中，在500℃以上进行退火。此外，以包含将多个SrO膜成膜阶段和多个TiO膜成膜阶段多次连续进行这样的次序的方式，多次进行上述SrO膜成膜阶段和上述TiO膜成膜阶段。进而，在使Sr吸附后、使Sr氧化时，使用O3和H2O作为氧化剂。
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公开(公告)号：CN100446218C
公开(公告)日：2008-12-24
申请号：CN200610149469.7
申请日：2001-11-13
Applicant: 东京毅力科创株式会社
IPC: H01L21/768 , H01L21/285 , H01L21/3205
CPC classification number: H01L21/76843 , H01L21/28556 , H01L21/28562 , H01L21/76876 , H01L21/76877
Abstract: 一种金属膜形成方法，其特征在于，包括以下工序：将硅基板载置于处理容器内的工序；将含有金属的气体和反应气体交替地多次供给到所述处理容器，并且在交替地供给所述含有金属的气体和所述反应气体之间对所述处理容器进行真空排气或者气体置换，在所述硅基板上形成第一金属膜的工序；和将所述含有金属的气体和还原气体同时供给到所述处理容器，在所述第一金属膜上形成第二金属膜的工序。
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公开(公告)号：CN1938450A
公开(公告)日：2007-03-28
申请号：CN200580010029.7
申请日：2005-02-15
Applicant: 东京毅力科创株式会社 , 国际商业机器公司
IPC: C23C16/16 , C23C16/458
CPC classification number: C23C16/4581 , C23C16/16
Abstract: 本发明涉及在处理室(10)中的陶瓷衬底加热器(20，600，700)上处理衬底(25，620，720)的方法。所述方法包括：在所述处理室(10)中的所述陶瓷衬底加热器(20，600，700)上形成保护涂层(730，790)，并在所述经涂敷的衬底加热器上处理衬底(25，620，720)。所述方法可以包括将待处理的衬底(25，620，720)提供到所述经涂敷的陶瓷衬底加热器上，通过将所述衬底(25，620，720)暴露于处理气体中对所述衬底(25，620，720)进行处理，并将所述经处理的衬底从所述处理室(10)中取出。
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