公开(公告)号：CN115725956B

公开(公告)日：2024-10-11

申请号：CN202211005532.5

申请日：2022-08-22

Applicant: 东京毅力科创株式会社

Inventor： 高木俊夫 ,  川口拓哉 ,  堀田隼史 ,  山崎英亮 ,  山内孝哉

IPC: C23C16/455 ,  C23C16/458 ,  C23C16/46

Abstract: 本发明提供一种对基板进行成膜的装置和对基板进行成膜的方法。配置到用于在真空气氛下向基板的表面供给反应气体而进行成膜处理的处理容器内的升降轴以从下表面支承着基板的载置台的状态以在上下方向上延伸的方式设置，穿过在处理容器设置的贯通口而与外部的升降机构连接起来。壳体覆盖升降轴的周围，盖构件以隔着间隙包围升降轴的方式配置。设置有以如下方式进行引导的引导构件：从吹扫气体供给部供给到壳体的吹扫气体在经由间隙向处理容器流入了之后，从朝向载置台的背面的方向逸散而流动。由此，吹扫气体从载置台逸散而流动，因此，载置台的温度在面内一致，改善成膜处理的面内均匀性。

公开(公告)号：CN102301454A

公开(公告)日：2011-12-28

申请号：CN201080005939.7

申请日：2010-01-27

Applicant: 东京毅力科创株式会社

Inventor： 山崎英亮 ,  小堆正人

IPC: H01L21/285 ,  C23C16/34 ,  H01L21/3205 ,  H01L21/768 ,  H01L23/52

CPC classification number: C23C16/34 ,  C23C16/56 ,  H01L21/28556 ,  H01L21/76856 ,  H01L23/53238 ,  H01L2924/0002 ,  H01L2924/00

Abstract: 本发明涉及一种成膜方法，对在表面形成有具有凹部的绝缘层的被处理体形成薄膜，其特征在于，包括：薄膜形成工序，使用等离子体CVD法，在包含上述凹部内的表面的上述被处理体的表面，形成氮化钛膜的薄膜；和氮化工序，在氮化气体的存在下，通过进行使用等离子体的氮化处理对上述薄膜进行氮化。

公开(公告)号：CN100472724C

公开(公告)日：2009-03-25

申请号：CN200480028499.1

申请日：2004-09-07

Applicant: 东京毅力科创株式会社 ,  国际商业机器公司

Inventor： 松田司 ,  池田太郎 ,  波多野达夫 ,  立花光博 ,  山崎英亮 ,  格特·J·莱乌辛克 ,  芬顿·R·麦克非 ,  桑德拉·G·马尔霍特拉 ,  安德鲁·H·西蒙 ,  约翰·J·尤尔坎斯

IPC: H01L21/285 ,  C23C16/16 ,  H01L21/768

CPC classification number: C23C16/4408 ,  C23C16/16 ,  C23C16/45523 ,  H01L21/28562

Abstract: 本发明提供了一种利用连续流沉积工艺来沉积具有良好表面形貌的金属层的方法，该方法包括使处理室中的衬底交替暴露于金属-羰基前驱气和还原气中。在暴露于金属-羰基前驱气过程中，通过热分解在衬底上沉积薄金属层，随后使该金属层暴露于还原气中以利于从该金属层中除去反应副产物。可以重复金属-羰基前驱气和还原气暴露步骤直到形成期望厚度的金属层。金属羰基前驱体例如可以选自W(CO)6、Ni(CO)4、Mo(CO)6、Co2(CO)8、Rh4(CO)12、Re2(CO)10、Cr(CO)6和Ru3(CO)12。

公开(公告)号：CN100446218C

公开(公告)日：2008-12-24

申请号：CN200610149469.7

申请日：2001-11-13

Applicant: 东京毅力科创株式会社

Inventor： 山崎英亮 ,  立花光博 ,  大久保和哉 ,  铃木健二 ,  河野有美子

IPC: H01L21/768 ,  H01L21/285 ,  H01L21/3205

CPC classification number: H01L21/76843 ,  H01L21/28556 ,  H01L21/28562 ,  H01L21/76876 ,  H01L21/76877

Abstract: 一种金属膜形成方法，其特征在于，包括以下工序：将硅基板载置于处理容器内的工序；将含有金属的气体和反应气体交替地多次供给到所述处理容器，并且在交替地供给所述含有金属的气体和所述反应气体之间对所述处理容器进行真空排气或者气体置换，在所述硅基板上形成第一金属膜的工序；和将所述含有金属的气体和还原气体同时供给到所述处理容器，在所述第一金属膜上形成第二金属膜的工序。

公开(公告)号：CN115725956A

公开(公告)日：2023-03-03

申请号：CN202211005532.5

申请日：2022-08-22

Applicant: 东京毅力科创株式会社

Inventor： 高木俊夫 ,  川口拓哉 ,  堀田隼史 ,  山崎英亮 ,  山内孝哉

IPC: C23C16/455 ,  C23C16/458 ,  C23C16/46

Abstract: 本发明提供一种对基板进行成膜的装置和对基板进行成膜的方法。配置到用于在真空气氛下向基板的表面供给反应气体而进行成膜处理的处理容器内的升降轴以从下表面支承着基板的载置台的状态以在上下方向上延伸的方式设置，穿过在处理容器设置的贯通口而与外部的升降机构连接起来。壳体覆盖升降轴的周围，盖构件以隔着间隙包围升降轴的方式配置。设置有以如下方式进行引导的引导构件：从吹扫气体供给部供给到壳体的吹扫气体在经由间隙向处理容器流入了之后，从朝向载置台的背面的方向逸散而流动。由此，吹扫气体从载置台逸散而流动，因此，载置台的温度在面内一致，改善成膜处理的面内均匀性。

公开(公告)号：CN101395297B

公开(公告)日：2013-03-20

申请号：CN200780007041.1

申请日：2007-02-27

Applicant: 东京毅力科创株式会社

Inventor： 河野有美子 ,  山崎英亮 ,  有马进

IPC: C23C16/18 ,  H01L21/285

CPC classification number: C23C16/06 ,  C23C16/045 ,  C23C16/18 ,  C23C16/4405 ,  C23C16/45525 ,  H01L21/28556 ,  H01L21/76843

Abstract: 本发明提供一种钌膜的成膜方法以及计算机能够读取的存储介质，该钌膜的成膜方法为，将基板配置在处理容器内，对基板进行加热，向处理容器内导入钌的戊二烯基化合物气体(例如2，4-二甲基戊二烯基乙基环戊二烯基钌)和氧气，使这些气体在被加热的基板上反应，在基板上形成钌膜。此外，将基板配置在处理容器内，对基板进行加热，以钌化合物气体和能分解该化合物的分解气体中的至少一方的流量能够周期性变化的方式导入这些气体，交互地形成不同气体组成的多个步骤，在这些步骤间不对处理容器内进行吹扫，使这些气体在被加热的基板上反应，在基板上形成钌膜。

公开(公告)号：CN102433546A

公开(公告)日：2012-05-02

申请号：CN201110303097.X

申请日：2011-09-29

Applicant: 东京毅力科创株式会社

Inventor： 布重裕 ,  山崎英亮

IPC: C23C16/452 ,  C23C16/455 ,  C23C16/52 ,  C23C16/34 ,  H01L21/28

Abstract: 本发明提供一种成膜方法和成膜装置。其通过在反应速率控制区域引起成膜反应，即使是径深比大的接触孔也能够更薄地形成覆盖率良好的钛膜，降低接触孔的电阻。该成膜装置包括：基座(112)，用于载置基板(W)；簇射头(120)，用于将处理气体供给到处理室(111)内；高频电源(143)，用于以规定的功率将用于生成等离子体的高频电供给于簇射头；排气装置(152)，用于对处理室内进行排气而使处理室内减压到规定的压力；控制部(190)，其通过对还原气体的流量、处理室内的压力、高频电的功率中的任意一种条件进行改变，对上述反应速率控制区域进行控制，使得欲应用于钛膜的成膜处理中的成膜气体的流量进入成膜处理的反应速率控制区域。

公开(公告)号：CN101128620B

公开(公告)日：2010-07-28

申请号：CN200680006297.6

申请日：2006-07-07

Applicant: 东京毅力科创株式会社

Inventor： 中村和仁 ,  山崎英亮 ,  河野有美子

IPC: C23C16/42 ,  C23C16/46 ,  C23C16/455 ,  H01L21/285

CPC classification number: C23C16/46 ,  C23C16/34 ,  C23C16/45531 ,  H01L21/28562 ,  H01L21/76843

Abstract: 本发明涉及一种成膜方法，具备向能够抽真空的处理容器内供给高熔点金属有机原料气体的第一气体供给工序；向上述处理容器内供给包括含氮气体、含硅气体或含碳气体中的任一种或多种气体的第二气体供给工序，在载置于上述处理容器内的被处理体表面，形成由高熔点金属的氮化物、硅化物、碳化物中的任一种或多种构成的金属化合物膜的薄膜。上述第一气体供给工序和第二气体供给工序交替进行，在第一气体供给工序中和第二气体供给工序中，上述被处理体的温度维持在上述高熔点金属有机原料的分解开始温度以上的温度。

公开(公告)号：CN101356626A

公开(公告)日：2009-01-28

申请号：CN200680047198.2

申请日：2006-11-24

Applicant: 东京毅力科创株式会社

Inventor： 山崎英亮 ,  秋山浩二 ,  山崎和良 ,  河野有美子

IPC: H01L21/28 ,  C23C16/56 ,  H01L21/285 ,  H01L29/78

CPC classification number: C23C16/16 ,  C23C8/16 ,  C23C8/36 ,  C23C16/56 ,  H01L21/28079 ,  H01L21/28176 ,  H01L29/495 ,  H01L29/517

Abstract: 本发明提供一种金属类膜的脱碳处理方法、成膜方法和半导体装置的制造方法，在作为半导体基板的Si基板(1)上形成栅极绝缘膜(2)，接着在栅极绝缘膜(2)上通过使用包含W(CO)6气体的成膜气体的CVD形成W类膜(3a)。然后，在存在有还原性气体的条件下进行氧化处理，不使W类膜(3a)中的W被氧化而仅使C被选择性地氧化，从而使W类膜(3a)中所包含的C浓度降低。其后，根据需要，在实施热处理后，进行抗蚀剂涂敷、制作布线图案、蚀刻等，而且通过离子注入等形成杂质扩散区域(10)，由此形成MOS结构的半导体装置。

公开(公告)号：CN101273154A

公开(公告)日：2008-09-24

申请号：CN200680035493.6

申请日：2006-07-25

Applicant: 东京毅力科创株式会社

Inventor： 山崎英亮 ,  中村和仁 ,  河野有美子

IPC: C23C16/44 ,  H01L21/304

CPC classification number: C23C16/0227 ,  C23C16/16 ,  C23C16/34 ,  C23C16/4405

Abstract: 本发明提供一种基板处理方法，是成膜装置的基板处理方法，该成膜装置包括保持被处理基板并具有加热单元的保持台、和在内部配置有上述保持台的处理容器，该基板处理方法的特征在于，包括：向上述处理容器供给成膜气体，在上述被处理基板上进行成膜的成膜工序；在上述成膜工序之后，向上述处理容器供给已进行等离子体激励的清洁气体，进行上述处理容器内的清洁的清洁工序；和在上述清洁工序之后，在上述处理容器内进行涂敷成膜的涂敷工序，在上述清洁工序中，包括控制上述处理容器内的压力，使得利用已进行等离子体激励的上述清洁气体中的自由基再结合而成的分子进行的清洁起支配作用的高压工序，在上述涂敷工序中，包括相比上述成膜工序的对上述被处理基板进行成膜的情况，使上述保持台的温度降低并进行上述涂敷成膜的低温成膜工序。