公开(公告)号：CN103874781A

公开(公告)日：2014-06-18

申请号：CN201280049744.1

申请日：2012-10-04

Applicant: 气相成长株式会社 ,  东京毅力科创株式会社

Inventor： 町田英明 ,  石川真人 ,  须藤弘 ,  河野有美子 ,  岩井和俊

IPC: C23C16/18 ,  C07C257/14 ,  C07C211/65 ,  C07F15/06

CPC classification number: C23C18/08 ,  C07F15/065 ,  C23C16/18 ,  C23C18/04

Abstract: 本发明提供一种能够稳定供给熔点低、40℃左右为液体、引起配管中途的固化闭塞的可能性小的原料，容易形成高品质钴基膜的技术，该技术使用双(N,N'-二异丙基丙脒)钴。

公开(公告)号：CN103874781B

公开(公告)日：2016-02-10

申请号：CN201280049744.1

申请日：2012-10-04

Applicant: 气相成长株式会社 ,  东京毅力科创株式会社

Inventor： 町田英明 ,  石川真人 ,  须藤弘 ,  河野有美子 ,  岩井和俊

IPC: C23C16/18 ,  C07C257/14 ,  C07C211/65 ,  C07F15/06

CPC classification number: C23C18/08 ,  C07F15/065 ,  C23C16/18 ,  C23C18/04

Abstract: 本发明提供一种能够稳定供给熔点低、40℃左右为液体、引起配管中途的固化闭塞的可能性小的原料，容易形成高品质钴基膜的技术，该技术使用双(N,N'-二异丙基丙脒)钴。

公开(公告)号：CN101426950A

公开(公告)日：2009-05-06

申请号：CN200780013893.1

申请日：2007-04-18

Applicant: 东京毅力科创株式会社 ,  TRICHEMICAL研究所股份有限公司

Inventor： 松本贤治 ,  佐藤浩 ,  大平达也 ,  町田英明 ,  石川真人

IPC: C23C16/18 ,  H01L21/28 ,  H01L21/285

Abstract: 本发明提供一种利用CVD法在被处理体表面形成锰膜的成膜装置和成膜方法。成膜装置包括：能够形成真空的处理容器(14)；载置台(16)，其设置在上述处理容器(14)内，用于载置上述被处理体；和原料气体供给部(18)，其与上述处理容器(14)连接，向上述处理容器(14)内供给包含含锰的有机金属材料或含锰的金属配位化合物材料的原料气体。成膜方法包括：将被处理体收容在能够形成真空的处理容器(14)内部的工序；和在上述处理容器(14)内部，使用包含含锰的有机金属材料或含锰的金属配位化合物材料的原料气体，利用CVD法在上述被处理体表面形成锰膜的工序。

公开(公告)号：CN111825570A

公开(公告)日：2020-10-27

申请号：CN201910524161.3

申请日：2019-06-18

Applicant: 气相成长株式会社

Inventor： 町田英明 ,  石川真人 ,  须藤弘

IPC: C07C257/14 ,  C23C16/18

Abstract: 本发明涉及一种形成材料、形成方法以及新型化合物。提供一种新型化合物。一种新型化合物，由M[i-C3H7NC(R)N-i-C3H7]2(其中，M＝Co或Fe。R为n-C3H7或i-C3H7，但是不包括双(N，N’-二异丙基-2-甲基丙脒)铁)表示，所述化合物在25℃(1个大气压)下为液体。