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公开(公告)号：CN110066986A
公开(公告)日：2019-07-30
申请号：CN201910352481.5
申请日：2019-04-29
Applicant: 复旦大学
IPC: C23C16/30 , C23C16/455
Abstract: 本发明公开了一种利用原子层沉积一步法可控制备不同氧氮含量的GaON薄膜的方法。本发明利用PEALD制备技术，通过使用前驱体三甲基镓作为镓源，NH3与O2等离子体作为氮源和氧源。将反应气体按比例同时通入反应腔体，通过调控NH3与O2气体的流量比，从而在衬底上可控制备一定氧氮含量的高质量GaON薄膜。本发明方法制备的GaON薄膜可以达到厚度原子量级可控和大面积的均匀性。本发明制备的GaON薄膜，由于氧氮含量可控，带隙可调，具有良好光电性能，在传感器、光电探测、微电子器件、光电催化和能源等领域具有重要的科学价值和广泛的应用前景。
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公开(公告)号：CN109576677A
公开(公告)日：2019-04-05
申请号：CN201811618347.7
申请日：2018-12-28
Applicant: 复旦大学
IPC: C23C16/50 , C23C16/30 , C23C16/455
CPC classification number: C23C16/308 , C23C16/4554
Abstract: 本发明公开了一种利用等离子体增强原子层沉积可控制备不同氧含量SiON薄膜的方法。本发明利用等离子体增强原子层沉积PEALD制备技术，通过使用前驱体四（二甲氨基）硅烷作为硅源，N2与O2等离子体作为氮源和氧源。将其同时通入反应腔体，通过调控N2与O2反应气体的流量比，在基底上实现氧含量精确可控的高质量SiON薄膜生长。相比其他传统的物理或化学镀膜方法，本发明制备方法生长温度低、简易高效，不仅可以实现SiON薄膜中氧氮含量的精确调控，而且可以达到生长的薄膜厚度原子量级可控和大面积的均匀性。本发明制备的氧含量可调控的SiON薄膜在传感器、光电探测、微电子器件等领域具有广泛的应用前景。
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公开(公告)号：CN109560134A
公开(公告)日：2019-04-02
申请号：CN201811227070.5
申请日：2018-10-22
Applicant: 复旦大学
IPC: H01L29/778 , H01L29/06 , H01L21/335
Abstract: 本发明属于半导体器件技术领域，具体为GaN基功率器件及其制备方法。本发明采用p型多晶硅作为漏极，通过漏极的空穴注入，实现两种载流子同时导电，实现电导调制，从而降低器件的导通电阻Ron，并利用两种载流子的电负性相吸，有效减小器件的表面漏电和提高击穿电压。另外，本发明采用P型多晶硅栅极和漏极集成电路工艺实现增强型GaN基功率器件，以支持未来的硅基GaN量产化技术。
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公开(公告)号：CN109545851A
公开(公告)日：2019-03-29
申请号：CN201811227030.0
申请日：2018-10-22
Applicant: 复旦大学
IPC: H01L29/778 , H01L21/335
Abstract: 本发明属于半导体器件领域，具体为一种增强型GaN基功率器件及其制备方法。本发明选用Si上AlGaN/GaN作为衬底，在衬底上曝光出欧姆接触的源极和漏极图形，电子束蒸发第一金属，经过去胶剥离和退火后，形成器件的源极和漏极；然后形成掩蔽层，曝光出器件的台面图形，干法刻蚀所述掩蔽层和所述AlGaN层并过刻，形成器件区。光刻、刻蚀形成栅开口，淀积多晶硅，进行p型掺杂并退火，光刻、刻蚀形成P型多晶硅栅；最后，曝光金属引线的图形，电子束蒸发第二金属，经过去胶剥离得到金属引线，获得增强型GaN基功率器件。本发明采用p型多晶硅栅，有效地抑制栅漏电，提高器件阈值电压稳定性，并与硅集成电路工艺有较高的兼容性。
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公开(公告)号：CN104681093B
公开(公告)日：2017-10-27
申请号：CN201410827335.0
申请日：2014-12-26
Applicant: 复旦大学
IPC: G11C29/08
Abstract: 本发明属于微电子存储器件测试技术领域，具体为一种半导体存储器件电学参数测试系统。本发明系统包括测试机台、计算机、控制软件以及通讯电缆。其中：测试机台包括信号发生模块、数据采集模块、多档电阻切换电路模块、集成控制模块；计算机用于安装控制软件以及存储数据；控制软件用于用户执行已编辑或用户自定义编辑的测试程序模块，以及监控和处理数据；通讯电缆用于计算机与测试机台互相通信。本发明解决了目前新一代半导体存储器件研发中缺乏相应存储器件电学参数测试设备，已有的相关电学测试设备测试功能单一，难以满足新型多样存储器件研发需求，同时本发明结构简单，方便实用，可快速扩展多种测试功能。
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Patent Agency Ranking
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公开(公告)号：CN103579100A
公开(公告)日：2014-02-12
申请号：CN201310503143.X
申请日：2013-10-23
Applicant: 复旦大学
IPC: H01L21/768 , H01L21/3205 , C23C14/24
CPC classification number: H01L21/76877 , C23C16/45525 , H01L21/02225 , H01L21/76802 , H01L21/76838
Abstract: 本发明属于半导体集成电路制造技术领域，具体涉及一种在扩散阻挡层上制备超薄铜籽晶层的方法及其应用。本发明采用原子层沉积方式制备超薄铜籽晶层，包括如下步骤：将双（六氟乙酰丙酮）合铜吸附在扩散阻挡层上，气流量为100-500标准毫升毎分钟；再将二乙基锌吸附在扩散阻挡层上，气流量为100-500标准毫升毎分钟。其优点在于采用ALD方法来生长铜籽晶层，在较低的工艺温度下，每个生长周期只形成约为0.03～1nm左右厚度的薄膜，可以有效地控制铜籽晶层的厚度，具有良好的沟槽填充性能，提电镀铜与铜籽晶层的粘附特性，并保持其在集成电路铜互连应用中的可靠性，为22nm以下工艺技术节点提供了一种理想的互连工艺技术解决方案。
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公开(公告)号：CN103412977A
公开(公告)日：2013-11-27
申请号：CN201310293470.7
申请日：2013-07-12
Applicant: 复旦大学
IPC: G06F17/50
Abstract: 本发明属于材料科学技术领域，具体涉及一种晶圆级电子封装器件焊点进一步破坏可能性的评估方法。本发明基于焊点已经产生了初始破坏的基础上，对破坏进一步恶化的可能性的预测，其步骤为：获取电子封装器件各个组成部分的性能材料参数，确定焊点的本构模型；根据所预测电子封装器件的结构建立二维有限元模型，并根据实际的服役条件添加边界条件和相应的载荷，进行有限元数值仿真；焊点的可靠性分析及预测，焊点初始破坏尖端为塑性应变区域采用J积分的数值处理方法。本发明方法简单，精度高，不需要进行大量真实的实验，可节约成本，提高生产效率。
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公开(公告)号：CN103325729A
公开(公告)日：2013-09-25
申请号：CN201310235894.8
申请日：2013-06-16
Applicant: 复旦大学
IPC: H01L21/768
Abstract: 本发明属于微电子领域工艺技术领域，具体涉及以原子层淀积技术实现铜互连的结构和合金以及其制备流程。本发明在传统氮化钽/钽扩散阻挡层基础上，利用原子层淀积（ALD）技术实现钌/铜（Ru/Cu）合金实现金属互连。传统的氮化钽/钽（TaN/Ta）扩散阻挡层淀积在刻蚀阻挡层和低介电常数填充物之上。扩散阻挡层同样采用原子层淀积技术实现以保证工艺流程的连续性和一致性。该方法借助了原子层淀积技术的优势，可以精确控制钌/铜合金的组分比，同时不失钌作为铜的籽晶层的作用。本发明不仅可以保证金属与扩散阻挡层的粘附，而且可以通过原子层淀积的工艺参数任意调节合金的组分比，以达到合适的性能。
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公开(公告)号：CN103199162A
公开(公告)日：2013-07-10
申请号：CN201310133708.X
申请日：2013-04-17
Applicant: 复旦大学
IPC: H01L33/00
Abstract: 本发明属于发光器件技术领域，具体为一种采用氧化锌调制阳极氧化铝光致发光谱器件及其制备方法。该器件主要由阳极氧化铝和氧化锌相接触，表现出极强的光致发光光谱可调现象。这一结构解决了氧化锌性质不稳定的缺点，并结合了阳极氧化铝多孔结构具有极高的表面积体积比的优势。该器件具有成本低廉，步骤简单，性能稳定的特点。本发明还提出阳极氧化铝从铝薄膜上生长出来，并且可以将铝薄膜和各种半导体工业中的新型高迁移率衬底材料相结合的方法，极大的拓宽了本发明的应用范围。
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