公开(公告)号：CN110066985A

公开(公告)日：2019-07-30

申请号：CN201910352388.4

申请日：2019-04-29

Applicant: 复旦大学

Inventor： 卢红亮 ,  马宏平 ,  杨佳赫 ,  张卫

IPC: C23C16/30 ,  C23C16/455 ,  B82Y30/00

Abstract: 本发明公开了一种利用原子层沉积制备GaON薄膜包覆微结构材料的方法。本发明利用等离子体增强原子层沉积（PEALD）制备技术，通过使用前驱体三甲基镓作为镓源，NH3与O2等离子体作为氮源和氧源。将反应气体按照一定比例同时通入原子层沉积（ALD）反应腔体，通过控制原子层沉积的反应循环次数，在微结构材料表面均匀包覆一层预定厚度的GaON薄膜。本发明公开的制备GaON薄膜包覆纳米微结构的方法，包覆厚度和包覆层薄膜的含量都可通过ALD工艺参数精确可调，操作简单，包覆后提升纳米微结构的光电性能效果显著。该方法在传感器、光电探测、微电子器件、光电催化和能源等领域具有重要的科学价值和广泛的应用前景。

公开(公告)号：CN110066986A

公开(公告)日：2019-07-30

申请号：CN201910352481.5

申请日：2019-04-29

Applicant: 复旦大学

Inventor： 卢红亮 ,  马宏平 ,  杨佳赫 ,  张卫

IPC: C23C16/30 ,  C23C16/455

Abstract: 本发明公开了一种利用原子层沉积一步法可控制备不同氧氮含量的GaON薄膜的方法。本发明利用PEALD制备技术，通过使用前驱体三甲基镓作为镓源，NH3与O2等离子体作为氮源和氧源。将反应气体按比例同时通入反应腔体，通过调控NH3与O2气体的流量比，从而在衬底上可控制备一定氧氮含量的高质量GaON薄膜。本发明方法制备的GaON薄膜可以达到厚度原子量级可控和大面积的均匀性。本发明制备的GaON薄膜，由于氧氮含量可控，带隙可调，具有良好光电性能，在传感器、光电探测、微电子器件、光电催化和能源等领域具有重要的科学价值和广泛的应用前景。