晶圆级电子封装器件焊点初始破坏恶化的评估方法

    公开(公告)号:CN103412977A

    公开(公告)日:2013-11-27

    申请号:CN201310293470.7

    申请日:2013-07-12

    Applicant: 复旦大学

    Abstract: 本发明属于材料科学技术领域,具体涉及一种晶圆级电子封装器件焊点进一步破坏可能性的评估方法。本发明基于焊点已经产生了初始破坏的基础上,对破坏进一步恶化的可能性的预测,其步骤为:获取电子封装器件各个组成部分的性能材料参数,确定焊点的本构模型;根据所预测电子封装器件的结构建立二维有限元模型,并根据实际的服役条件添加边界条件和相应的载荷,进行有限元数值仿真;焊点的可靠性分析及预测,焊点初始破坏尖端为塑性应变区域采用J积分的数值处理方法。本发明方法简单,精度高,不需要进行大量真实的实验,可节约成本,提高生产效率。

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