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公开(公告)号：CN119438771A
公开(公告)日：2025-02-14
申请号：CN202411641200.5
申请日：2024-11-18
Applicant: 复旦大学
IPC: G01R31/00
Abstract: 本发明属于固态电介质材料测试技术领域，具体为一种铁电电容器超快电滞回线测量方法。本发明提出一种等效电路，能够求得线路中杂散电感以及杂散电感的分压随时间的变化；同时提出铁电电容器电滞回线校正方法；首先在标准电容或铁电电容器上施加不同极性电脉冲，通过高带宽示波器测量纳秒量级时间内电路中的分压，包括电路总电阻分压以及铁电电容器的分压；再通过校正杂散电感的影响，得到每一时刻的电路电流，进而得到铁电电容器的充放电电流和电畴反转电流，并在纳秒量级的时间范围内将它们转化为铁电电滞回线，从铁电电滞回线中得到不同周期下铁电极化强度和矫顽场大小。本发明通过建立等效电路模型准确地测出周期为纳秒量级的铁电电滞回线。
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公开(公告)号：CN116936617A
公开(公告)日：2023-10-24
申请号：CN202210332164.9
申请日：2022-03-30
IPC: H01L29/423 , H01L29/417 , H01L29/06 , H01L29/78 , H01L21/336
Abstract: 本申请提供一种全铁电晶体管、制作方法及电子设备，涉及集成电路技术领域，用于提高晶体管中电畴的翻转速度和晶体管的导通速度。该全铁电晶体管包括：铁电基底，以及位于该铁电基底上的铁电凸块、源电极、漏电极和栅电极；其中，该源电极和该漏电极位于该铁电凸块的第一侧面，该栅电极位于该铁电凸块的且与该第一侧面相背的第二侧面；该铁电凸块包括具有该第一侧面的第一界面层、具有该第二侧面的第二界面层、以及位于该第一界面层和该第二界面层之间的第三界面层，该第一界面层和该第二界面层均具有易失性的第一电畴，该第三界面层具有非易失性的第二电畴。
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公开(公告)号：CN116076163A
公开(公告)日：2023-05-05
申请号：CN202080103591.9
申请日：2020-09-29
IPC: H10B53/50
Abstract: 一种三维存储器及其制备方法、电子设备。三维存储器包括互连的第一芯片和第二芯片。第一芯片包括层叠设置的三维存储阵列和第一键合层，第一键合层中的多个第一表面电极与三维存储阵列对应耦接。第二芯片包括层叠设置的读写电路和第二键合层，第二键合层中的多个第二表面电极与读写电路对应耦接。第一芯片和第二芯片的互连，通过第一键合层和第二键合层的键合实现。并且，第一键合层中的第一表面电极与第二键合层中的第二表面电极一一对应的耦接。
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公开(公告)号：CN112310214B
公开(公告)日：2021-09-24
申请号：CN201910701759.5
申请日：2019-07-31
Applicant: 复旦大学
IPC: H01L29/78 , H01L27/11502 , H01L21/336
Abstract: 本发明涉及一种非易失性铁电存储器及其制备方法，所述铁电存储器包括铁电存储层、第一电极和第二电极，所述铁电存储层中的电畴的极化方向基本不平行所述铁电存储层的法线方向；所述第一电极和第二电极结构相同，均包括在所述铁电存储层的表层中构图形成的埋入式导电层以及形成在所述埋入式导电层上的电极层；在所述第一电极和第二电极之间施加在某一方向上的写信号时使能位于一对埋入式导电层之间的部分铁电存储层的电畴反转，以至于能够建立连接第一电极和第二电极的畴壁导电通道。与现有技术相比，本发明能够避免刻蚀过程容易对铁电材料产生的破坏，提高铁电存储器的存储性能，在数据保持性能、开态读电流等方面表现优异。
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公开(公告)号：CN107123648B
公开(公告)日：2020-09-01
申请号：CN201710237667.7
申请日：2017-04-12
Applicant: 复旦大学
IPC: H01L27/11507
Abstract: 本发明属于铁电存储技术领域，具体为一种面内读/写操作的非易失性铁电忆阻器及其制备方法和操作方法。该铁电忆阻器包括铁电薄膜层及设置在铁电薄膜层表面的读写电极对，其中，读写电极对之间的间隙为不规则图形，铁电薄膜层的电畴的极化方向不平行于读写电极平面的法线方向；在读写电极对上偏置某一方向的写电压操作时，可实现随不同写电压变化而存储不同信息。本发明的铁电忆阻器可以实现随写电压连续变化以电流方式非破坏性读出，适合于高密度应用，并且制备简单、成本低。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN108389962B
公开(公告)日：2020-05-12
申请号：CN201810165811.5
申请日：2018-02-28
Applicant: 复旦大学
IPC: H01L45/00
Abstract: 本发明属于铁电存储技术领域，具体为一种面内读写的铁电阻变存储器及其增强读/写信号的方法。本发明首先提供一种新颖的面内读写的铁电阻变存储器件，包括在铁电薄膜材料表面制备纳米存储单元，并通过合理调整电极阵列实现增强读写信号；这种效果主要来自于带电畴壁的人工诱导，即通过有意识的将读写电极对与电畴取向呈一定夹角来构建带电畴壁。由于带电畴壁的导电率远高于普通畴壁，能形成带电畴壁的元器件在开态下的电流比常规开态电流高出两个数量级，使信息容易被存储器内高速电路识别。本发明的这种增大读写电流的方法只需要调整存储单元电极对与电畴的水平夹角，工艺简单，不会影响薄膜性能，并且适用于小尺寸、高密度器件的制备。
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公开(公告)号：CN110491943A
公开(公告)日：2019-11-22
申请号：CN201910706223.2
申请日：2019-08-01
Applicant: 复旦大学
IPC: H01L29/78 , G11C11/22 , H03K17/687
Abstract: 本发明涉及一种可擦除全铁电场效应晶体管及其操作方法，所述场效应晶体管包括基底、源电极、漏电极、栅电极、铁电凸块和衬底，所述源电极和漏电极通过铁电凸块相隔离地设置于基底上，栅电极和源电极、漏电极隔离设置，所述栅电极设置于铁电凸块的上方，所述基底由具有畴壁导电特性的铁电材料制成，所述基底与铁电凸块的电畴极化方向均与栅电极平面法线方向存在夹角不为0并且使所述电畴在源漏电极的连线方向上有分量。与现有技术相比，本发明具有能够实现亚阈值摆幅接近为零，并大幅度降低系统的静态功耗等优点。
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公开(公告)号：CN104637948B
公开(公告)日：2017-11-17
申请号：CN201510036526.X
申请日：2015-01-24
Applicant: 复旦大学
IPC: H01L27/11507 , G11C11/22
Abstract: 本发明属于铁电存储技术领域，具体为一种非破坏性读出铁电存储器及其制备方法和读/写操作方法。该铁电存储器包括铁电薄膜层和设置在铁电薄膜层上的读写电极层，读写电极层中设置有将其分为至少两个部分的间隙，铁电薄膜层的电畴的极化方向基本不平行所述读写电极层的法线方向；其中，读操作和写操作都可以通过读写电极层完成。本发明的铁电存储器结构简单、制备简单、成本低，可以实现电流方式的非破坏性读出，适合于高密度应用。
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公开(公告)号：CN104681093B
公开(公告)日：2017-10-27
申请号：CN201410827335.0
申请日：2014-12-26
Applicant: 复旦大学
IPC: G11C29/08
Abstract: 本发明属于微电子存储器件测试技术领域，具体为一种半导体存储器件电学参数测试系统。本发明系统包括测试机台、计算机、控制软件以及通讯电缆。其中：测试机台包括信号发生模块、数据采集模块、多档电阻切换电路模块、集成控制模块；计算机用于安装控制软件以及存储数据；控制软件用于用户执行已编辑或用户自定义编辑的测试程序模块，以及监控和处理数据；通讯电缆用于计算机与测试机台互相通信。本发明解决了目前新一代半导体存储器件研发中缺乏相应存储器件电学参数测试设备，已有的相关电学测试设备测试功能单一，难以满足新型多样存储器件研发需求，同时本发明结构简单，方便实用，可快速扩展多种测试功能。
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公开(公告)号：CN102590669B
公开(公告)日：2014-07-09
申请号：CN201210038180.3
申请日：2012-02-21
Applicant: 复旦大学
IPC: G01R31/00
Abstract: 本发明属于固态电介质性能测试技术领域，具体为一种铁电薄膜电畴区域运动速度与矫顽电场关系的测量方法。在铁电电容器充电过程中，铁电薄膜上电压逐渐从零上升到目标电压时，矫顽电压较小的电畴率先反转，反转电流和电畴运动速度呈正比；该电畴反转完毕后，随着薄膜充电电压的逐步增大，矫顽电压较高的电畴依次反转，即将铁电薄膜矫顽电压随不同区域的分布按照矫顽电压从小到大的顺序转化为电畴极化反转电流随时间的变化。在0.1V-100V间外加脉冲电压下，通过总串联电路中电阻在100Ω－100MΩ间调节，可以在1nA-1A间改变电畴反转电流或电畴运动速度，从而获得在不同区域中矫顽电场随电畴运动速度的变化。
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