公开(公告)号：CN109560134A

公开(公告)日：2019-04-02

申请号：CN201811227070.5

申请日：2018-10-22

Applicant: 复旦大学

Inventor： 张卫 ,  卢红亮 ,  黄伟 ,  蒋西西

IPC: H01L29/778 ,  H01L29/06 ,  H01L21/335

Abstract: 本发明属于半导体器件技术领域，具体为GaN基功率器件及其制备方法。本发明采用p型多晶硅作为漏极，通过漏极的空穴注入，实现两种载流子同时导电，实现电导调制，从而降低器件的导通电阻Ron，并利用两种载流子的电负性相吸，有效减小器件的表面漏电和提高击穿电压。另外，本发明采用P型多晶硅栅极和漏极集成电路工艺实现增强型GaN基功率器件，以支持未来的硅基GaN量产化技术。

公开(公告)号：CN109545851A

公开(公告)日：2019-03-29

申请号：CN201811227030.0

申请日：2018-10-22

Applicant: 复旦大学

Inventor： 张卫 ,  卢红亮 ,  黄伟 ,  蒋西西

IPC: H01L29/778 ,  H01L21/335

Abstract: 本发明属于半导体器件领域，具体为一种增强型GaN基功率器件及其制备方法。本发明选用Si上AlGaN/GaN作为衬底，在衬底上曝光出欧姆接触的源极和漏极图形，电子束蒸发第一金属，经过去胶剥离和退火后，形成器件的源极和漏极；然后形成掩蔽层，曝光出器件的台面图形，干法刻蚀所述掩蔽层和所述AlGaN层并过刻，形成器件区。光刻、刻蚀形成栅开口，淀积多晶硅，进行p型掺杂并退火，光刻、刻蚀形成P型多晶硅栅；最后，曝光金属引线的图形，电子束蒸发第二金属，经过去胶剥离得到金属引线，获得增强型GaN基功率器件。本发明采用p型多晶硅栅，有效地抑制栅漏电，提高器件阈值电压稳定性，并与硅集成电路工艺有较高的兼容性。