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公开(公告)号：CN117317258A
公开(公告)日：2023-12-29
申请号：CN202311156772.X
申请日：2023-09-08
Applicant: 复旦大学宁波研究院
Abstract: 本发明属于电催化剂技术领域，具体为一种嵌入式介孔异质催化剂TiOxNy⊂g‑C3N4及其制备方法。本发明制备方法包括：将含有g‑C3N4粉末与十六烷基三甲基溴化铵的去离子水溶液，混合并超声至均匀，再将含有二水合乙酸锌与异丙氧基钛的乙酸溶液加入前述溶液中，加热静置，得透明溶胶；在烘箱中加热除去多余乙酸；然后转移至坩埚，于马弗炉中以不同升温速率升至一定温度并保持数个小时，制得嵌入式异质结构催化剂TiOxNy⊂g‑C3N4。本发明制备方法简单易行，重复性好，制备的产物比表面积高，氧还原活性高，产物性质稳定，可用作燃料电池的阴极催化剂。
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公开(公告)号：CN112853319A
公开(公告)日：2021-05-28
申请号：CN202110025235.6
申请日：2021-01-08
Applicant: 复旦大学
IPC: C23C16/455 , C23C16/34 , C23C16/44
Abstract: 本发明属于半导体器件制备技术领域，具体为一种在ZnO纳米线表面低温外延生长高质量GaN薄膜的方法。本发明采用等离子体增强原子层沉积技术，利用等离子增强原子层沉积能够大大降低生长温度的优势，使用前驱体三甲基镓作为镓源，氨气作为氮源；通过调节等离子体功率和前驱体脉冲时间工艺参数，实现高质量GaN薄膜的可控生长。本发明方法成功实现了GaN薄膜的低温异质外延生长，结晶性好，具有与ZnO纳米线完美匹配的晶向，且外延层厚度可原子层级精确调控。在功率器件、微电子、晶体管、传感器、光电探测、光电催化和能源等领域将发挥重要的科学价值，具有广泛应用前景。
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公开(公告)号：CN109742012A
公开(公告)日：2019-05-10
申请号：CN201811530397.X
申请日：2018-12-14
Applicant: 复旦大学
Abstract: 本发明公开了一种用于改善硅超晶格薄膜光电特性的低温微波退火方法。该方法的具体步骤如下：步骤1，退火前，对微波退火腔预先通入惰性气体，使得腔内为纯净的惰性气氛；步骤2，继续通入惰性气体作为退火气氛，将硅超晶格薄膜放入微波退火腔的中间位置，设定退火功率和退火过程中的最高温度，并设定相应时长的退火时间，开始微波退火；其中：退火过程中的最高温度为300~500℃；步骤3，微波退火结束后，待腔内温度自然冷却，得到改性优化的硅超晶格薄膜。本发明方法可靠性高，可重复性强，其用于制备改性优化的硅超晶格薄膜成品率高，为硅超晶格薄膜的低温退火提供了一种具有指导意义的方法。
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公开(公告)号：CN119783539A
公开(公告)日：2025-04-08
申请号：CN202411972348.7
申请日：2024-12-30
Applicant: 复旦大学宁波研究院
IPC: G06F30/27 , G16C10/00 , G06F119/14
Abstract: 本申请提供一种基于机器学习和分子动力学的仿真方法及相关装置，应用于半导体制造领域，在接收工艺菜单后；针对工艺菜单中的每一个工艺条件，将工艺条件输入至力场预测模型，输出得到所述工艺条件下的机器学习力场；最后，依据所述工艺条件下的机器学习力场进行分子动力学仿真，得到所述工艺条件下的仿真结果。通过机器学习方法，学习高精度的第一性原理计算数据，生成机器学习力场，模拟碳化硅在离子注入过程中发生的相互作用，从而对离子注入工艺进行仿真，实现高精度和高效的仿真计算，进而综合考虑不同工艺条件对器件设计工艺的影响，开发特定的工艺菜单，为碳化硅离子注入提供优化方案。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN119767764A
公开(公告)日：2025-04-04
申请号：CN202411961817.5
申请日：2024-12-30
Applicant: 复旦大学
IPC: H10D62/10 , H10D64/27 , H10D30/66 , H10D30/01 , H10D62/832
Abstract: 本发明提供一种高可靠性碳化硅沟槽型超结MOSFET器件，包括：漏极、第一掺杂类型衬底、第一掺杂类型漂移区、第二掺杂类型超结区结构、氧化柱结构、第二掺杂类型阱区、栅极沟槽、虚栅沟槽、第一掺杂类型接触区、第二掺杂类型源区和源极。本发明具有优异的高电压承受能力和低导通电阻，能在高压、大功率应用中提供高效的开关性能。超结结构的设计降低了导通损耗，提高了工作效率。
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公开(公告)号：CN116879656A
公开(公告)日：2023-10-13
申请号：CN202310850171.2
申请日：2023-07-12
Applicant: 复旦大学
Abstract: 本发明涉及一种原位光电探测系统及方法，用于对待测光电器件进行性能测试，该系统包括测试腔、可升降探针台、用于加热测试腔中环境的加热装置、光探头和光电测试仪器；所述可升降探针台包括设置在所述测试腔腔体内的可升降台体、固定装置和探针阵列，以及与所述探针阵列连接的探针控制装置；所述固定装置设置在可升降台体上表面，用于对待测光电器件进行固定，并通过所述可升降台体升降控制使所述待测光电器件与所述探针阵列接触；所述光探头悬于可升降台体上方，与设置在测试腔腔外的光电测试仪器连接，进行光电探测。与现有技术相比，本发明具有光电器件测试重复性好、效率高和多功能的优点。
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公开(公告)号：CN116555734A
公开(公告)日：2023-08-08
申请号：CN202310574489.2
申请日：2023-05-22
Applicant: 复旦大学
IPC: C23C16/455 , C23C16/40 , C23C16/52
Abstract: 本发明提供了一种在金刚石表面异质外延的氧化镓薄膜及其制备方法，属于半导体材料技术领域。本发明采用原子层沉积技术，首先制备氧终端金刚石衬底表面，然后在氧终端金刚石衬底表面沉积氧化镓得到氧化镓薄膜。本发明获得的氧化镓薄膜具有优异的厚度均匀性和极其精确的成分控制，与此同时，采用的原子层沉积方法是在低温条件下进行，由此，氧化镓与金刚石界面处的粘合性非常好，不会因金刚石和氧化镓之间较大的材料性质差异而受到影响。
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公开(公告)号：CN110066986A
公开(公告)日：2019-07-30
申请号：CN201910352481.5
申请日：2019-04-29
Applicant: 复旦大学
IPC: C23C16/30 , C23C16/455
Abstract: 本发明公开了一种利用原子层沉积一步法可控制备不同氧氮含量的GaON薄膜的方法。本发明利用PEALD制备技术，通过使用前驱体三甲基镓作为镓源，NH3与O2等离子体作为氮源和氧源。将反应气体按比例同时通入反应腔体，通过调控NH3与O2气体的流量比，从而在衬底上可控制备一定氧氮含量的高质量GaON薄膜。本发明方法制备的GaON薄膜可以达到厚度原子量级可控和大面积的均匀性。本发明制备的GaON薄膜，由于氧氮含量可控，带隙可调，具有良好光电性能，在传感器、光电探测、微电子器件、光电催化和能源等领域具有重要的科学价值和广泛的应用前景。
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公开(公告)号：CN109576677A
公开(公告)日：2019-04-05
申请号：CN201811618347.7
申请日：2018-12-28
Applicant: 复旦大学
IPC: C23C16/50 , C23C16/30 , C23C16/455
CPC classification number: C23C16/308 , C23C16/4554
Abstract: 本发明公开了一种利用等离子体增强原子层沉积可控制备不同氧含量SiON薄膜的方法。本发明利用等离子体增强原子层沉积PEALD制备技术，通过使用前驱体四（二甲氨基）硅烷作为硅源，N2与O2等离子体作为氮源和氧源。将其同时通入反应腔体，通过调控N2与O2反应气体的流量比，在基底上实现氧含量精确可控的高质量SiON薄膜生长。相比其他传统的物理或化学镀膜方法，本发明制备方法生长温度低、简易高效，不仅可以实现SiON薄膜中氧氮含量的精确调控，而且可以达到生长的薄膜厚度原子量级可控和大面积的均匀性。本发明制备的氧含量可调控的SiON薄膜在传感器、光电探测、微电子器件等领域具有广泛的应用前景。
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