-
公开(公告)号：CN109950303B
公开(公告)日：2021-03-05
申请号：CN201910187930.5
申请日：2019-03-12
Applicant: 中国科学院半导体研究所
Abstract: 本发明公开了一种锑化物量子点超晶格结构及其生长方法，该锑化物量子点超晶格结构包括：一衬底；外延在衬底上的一层或多层缓冲层；在缓冲层上沉积Sb形成的一锑化物过渡层；外延于过渡层上的一锑化物量子点层；外延于量子点层上的一抑制层；以及，外延于抑制层上的一层或多层砷化物盖层。由于该锑化物量子点超晶格结构中引入了抑制层，如若在该结构上继续生长新的砷化物盖层，则能隔绝盖层中As与锑化物量子点中Sb的接触，有效抑制在锑化物量子点上生长砷化物盖层时As与Sb之间发生的交换现象，获得高质量的锑化物量子点超晶格结构。
-
公开(公告)号：CN105572086B
公开(公告)日：2018-07-10
申请号：CN201510930539.1
申请日：2015-12-15
Applicant: 中国科学院半导体研究所
IPC: G01N21/64
Abstract: 本发明提出了一种用光学方法精确自组织量子点空间位置的方法。该方法利用金圆盘作标记，用共聚焦扫描显微镜测量标记样品的反射信号和荧光信号，通过分析成像数据，仔细校正系统误差之后，得到量子点相对金属标记的空间位置，实现单个量子点的定位。该方法具有通用性，可以用于各种存在荧光性质的单个纳米结构的定位工作。该方法通过详细的误差分析显著提高定位精度，能够满足绝大部分工作中对定位精度的要求。该方法利用自动控制系统完成测量，利用计算机程序完成数据处理，可以实现大批量量子点的定位工作，具有极强的工程应用性。
-
公开(公告)号：CN105717467A
公开(公告)日：2016-06-29
申请号：CN201610116108.6
申请日：2016-03-01
Applicant: 中国科学院半导体研究所
IPC: G01R33/032
CPC classification number: G01R33/032
Abstract: 一种铁磁半导体平面内磁各向异性的光电流测试系统，包括钛蓝宝石激光器、斩波器、起偏器、光弹性调制器、光阑、光学平面反射镜、变温冷热台装置、直流电压源以及由两台锁相放大器、计算机组成的数据采集和存储系统。以及采用所述测试系统表征铁磁半导体平面内的磁各向异性的测试方法。利用该测试系统，通过旋转低温冷热台和光学平面反射镜，可以测得不同方位角、入射角下的圆偏振相关的光电流，从而可以研究铁磁半导体平面内磁各向异性的信息。
-
公开(公告)号：CN103809101A
公开(公告)日：2014-05-21
申请号：CN201410050256.3
申请日：2014-02-13
Applicant: 中国科学院半导体研究所
IPC: G01R31/265
Abstract: 一种光致反常霍尔效应的变温测量系统，包括：一激光光源；一信号采集系统用于对采集的信号进行处理，得到圆偏振自旋相关反常霍尔光电流；一光学斩波器置于激光光源的光路上，并与信号采集系统相连；一光学起偏器位于该光学斩波器的光路上，用于控制激光的偏振方向；一光弹性调制器置于光学起偏器的光路上，并与信号采集系统相连；一光学凸透镜位于光弹性调制器的光路上，用于调整激光光斑打到样品表面的大小；一变温液氮杜瓦样品座于光学凸透镜的光路上，并与信号采集系统相连；一直流电压源用于给变温液氮杜瓦样品座中的待测样品施加外电压；一直流电流源在测量普通光电流时提供直流电流。
-
公开(公告)号：CN101740655B
公开(公告)日：2011-09-28
申请号：CN200910242347.6
申请日：2009-12-09
Applicant: 中国科学院半导体研究所
CPC classification number: Y02P70/521
Abstract: 一种光伏型InAs量子点红外探测器结构，包括：一GaAs衬底；一GaAs底接触层制作在重掺杂或半绝缘GaAs衬底上；一未掺杂的下GaAs隔离层制作在GaAs底接触层上面的一侧，在GaAs底接触层的另一侧形成一台面；一5-100个周期的InAs/AlGaAs/GaAs结构层制作在未掺杂的下GaAs隔离层上，该5-100个周期的InAs/AlGaAs/GaAs结构层是实现红外探测的核心部位；一GaAs顶接触层制作在5-100个周期的InAs/AlGaAs/GaAs结构层上；该GaAs顶接触层进行高浓度掺杂从而实现与电极材料的欧姆接触；一上电极制作在GaAs顶接触层的中间部位；一下电极制作在GaAs底接触层上的台面上，该下电极可以收集电子，输出电流或电压信号；所述上电极与下电极一起能构成探测器检测回路。
-
Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN101840852A
公开(公告)日：2010-09-22
申请号：CN201010140985.X
申请日：2010-04-02
Applicant: 中国科学院半导体研究所
IPC: H01L21/02 , H01L21/3205 , H01L21/20
Abstract: 本发明公开了一种在图形化的半导体衬底上制作有序半导体纳米结构的方法，包括：步骤1：选择半导体衬底，通过光刻方法在衬底上制作出条形或圆孔图形；步骤2：配置含有胶体金的溶液；步骤3：将制作出条形或圆孔图形的衬底浸入配置的含有胶体金的溶液中，并将衬底从溶液中提拉出来；步骤4：将衬底在打胶机中打胶并用化学试剂清洗；步骤5：将衬底放入生长设备的腔室中并生长单层或多层纳米结构。利用本发明，制备出了尺寸均匀、排列有序的量子线阵列，该量子线阵列可用于制作发光器件和电子器件的有源层，制备性能优异的半导体场效应晶体管、具有非常低的能量消耗的光发射器件、以及各种类型的感应器、探测器等。
-
公开(公告)号：CN101567521A
公开(公告)日：2009-10-28
申请号：CN200810104761.6
申请日：2008-04-23
Applicant: 中国科学院半导体研究所
Abstract: 本发明公开了一种生长可控量子点和量子环的方法，该方法包括：制备μm量级的包含有条形区域、方孔区域和圆孔区域的光刻板；对该光刻板图形衬底进行普通光刻；湿法腐蚀制备图形衬底；采用一定的生长条件和沉积量的分子束外延MBE生长方法，在同一衬底片上生长出量子点密度从高到低、量子环密度从低到高变化且位置可控的量子点和量子环结构。利用本发明，通过引入图形衬底的衬底处理方式，在同一生长条件下、同一衬底上不同的区域制备出不同形貌的图形衬底，使得在平面上形成的量子点或者量子环的形貌和分布发生变化，实现了对量子点和量子环密度和分布位置的调制。
-
公开(公告)号：CN101211866A
公开(公告)日：2008-07-02
申请号：CN200610169750.7
申请日：2006-12-28
Applicant: 中国科学院半导体研究所
IPC: H01L23/00 , H01L31/0264 , H01L33/00
Abstract: 本发明涉及半导体材料中氧化锌外延薄膜制备技术领域，公开了一种用于氧化锌外延薄膜生长的硅基可协变衬底材料，该材料包括：一硅单晶衬底，用于支撑整个硅基可协变衬底材料；一薄金属铪可协变层，该薄金属铪可协变层制备在硅单晶衬底上，用于对在其上外延生长的氧化锌外延薄膜进行失配应变协调。利用本发明，协调了硅衬底上所生长氧化锌外延薄膜的失配应变，并降低了残余应力，从而提高了其结晶质量和改善了其表面形貌，为研制硅基光电器件奠定了基础。
-
公开(公告)号：CN100399509C
公开(公告)日：2008-07-02
申请号：CN200510012105.X
申请日：2005-07-07
Applicant: 中国科学院半导体研究所
Abstract: 一种以原位垂直超晶格为模板定位生长量子线或点的方法，其特征在于，包括如下步骤：步骤1：选择一衬底；步骤2：在该衬底的邻位面上用分子束外延工艺生长铟铝砷或铟镓砷材料的缓冲层；步骤3：生长完缓冲层后在砷压保护下停顿2～5分钟；步骤4：然后进行砷化铟量子线或点层的生长，完成以原位形成的垂直超晶格为模板定位生长量子线或点。
-
公开(公告)号：CN101017864A
公开(公告)日：2007-08-15
申请号：CN200610003071.2
申请日：2006-02-08
Applicant: 中国科学院半导体研究所
IPC: H01L33/00 , H01L31/0248 , H01L31/18 , H01L29/02 , H01L21/20
CPC classification number: Y02P70/521
Abstract: 一种具有超薄碳化硅中间层的硅基可协变衬底，其特征在于，包括如下几部分：一硅衬底，该硅衬底起支撑的作用；一超薄3C－SiC中间层，该超薄3C－SiC中间层制备在硅衬底上，起失配应变协调的作用，并与硅衬底一起构成硅基可协变衬底；一外延层，该外延层制备在超薄3C－SiC中间层上，并与底部硅衬底有较大晶格失配。
-
-
-
-
-
-
-
-
-
Search Results
62
records
(took 0.027 seconds)
