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公开(公告)号：CN118792738A
公开(公告)日：2024-10-18
申请号：CN202411114493.1
申请日：2024-08-14
Applicant: 中国科学院半导体研究所 , 中科镓(深圳)半导体科技有限公司
Abstract: 本发明提供了氮化镓单晶片制备过程应力调控结构，可应用于半导体技术领域。包括：蓝宝石单晶衬底；第一目标氮化铝单晶薄膜模板层，位于衬底上；多孔氮化铝应力协变区，位于第一目标氮化铝单晶薄膜模板层远离衬底的一侧；第二目标氮化铝单晶薄膜模板层，位于多孔氮化铝应力协变区远离衬底的一侧；以及氮化镓单晶薄膜模板层，位于第二目标氮化铝单晶薄膜模板层远离衬底的一侧，其中，多孔氮化铝应力协变区包括第一多孔氮化铝应力协变层、第二多孔氮化铝应力协变层、第三多孔氮化铝应力协变层、第四多孔氮化铝应力协变层和第五多孔氮化铝应力协变层且各协变层的钠米孔隙度不完全相同。本发明的实施例还提供了一种氮化镓单晶片的制备方法及其应用。
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公开(公告)号：CN110931607A
公开(公告)日：2020-03-27
申请号：CN201911345375.0
申请日：2019-12-24
Applicant: 南京佑天金属科技有限公司 , 中国科学院半导体研究所
Abstract: 本发明公开了一种硅基应力协变衬底及其制备方法，以及应用该硅基应力协变衬底的垂直结构氮化镓LED及其制备方法；其中硅基应力协变衬底包括：一双面抛光硅单晶基底；一薄氮化锆导电反光应力协变层，形成在所述双面抛光硅单晶基底上，所述薄氮化锆导电反光应力协变层的厚度为50nm～350nm；一薄氮化镓单晶薄膜模板层，形成在所述薄氮化锆导电反光应力协变层上，所述薄氮化镓单晶薄膜模板层的厚度不小于所述薄氮化锆导电反光应力协变层的厚度。该硅基应力协变衬底能够在GaN材料和LED器件的高质量制备生长时克服和缓解大失配应力问题。
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公开(公告)号：CN101017830A
公开(公告)日：2007-08-15
申请号：CN200610003529.4
申请日：2006-02-09
Applicant: 中国科学院半导体研究所
IPC: H01L27/12
Abstract: 一种具有金属铪薄中间层的SOI型复合可协变层衬底，其特征在于，包括如下几部分：一常规SOI可协变衬底，包括起支撑作用的底部Si(100)衬底、中间起解偶合作用的氧化硅绝缘层，顶部起失配应变协调作用的超薄Si单晶可协变层；一具有六方结构的金属铪薄中间层，制备在常规SOI可协变衬底的顶部超薄Si单晶可协变层上，并与之一起构成复合可协变层，共同协调失配应变，从而得到SOI型复合可协变层衬底；一大失配外延层，与Si(100)衬底有较大晶格失配，制备在六方金属铪薄中间层上，并与前两部分一起构成大失配异质结构材料。
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公开(公告)号：CN118792738B
公开(公告)日：2025-04-04
申请号：CN202411114493.1
申请日：2024-08-14
Applicant: 中国科学院半导体研究所 , 中科镓(深圳)半导体科技有限公司
Abstract: 本发明提供了氮化镓单晶片制备过程应力调控结构，可应用于半导体技术领域。包括：蓝宝石单晶衬底；第一目标氮化铝单晶薄膜模板层，位于衬底上；多孔氮化铝应力协变区，位于第一目标氮化铝单晶薄膜模板层远离衬底的一侧；第二目标氮化铝单晶薄膜模板层，位于多孔氮化铝应力协变区远离衬底的一侧；以及氮化镓单晶薄膜模板层，位于第二目标氮化铝单晶薄膜模板层远离衬底的一侧，其中，多孔氮化铝应力协变区包括第一多孔氮化铝应力协变层、第二多孔氮化铝应力协变层、第三多孔氮化铝应力协变层、第四多孔氮化铝应力协变层和第五多孔氮化铝应力协变层且各协变层的钠米孔隙度不完全相同。本发明的实施例还提供了一种氮化镓单晶片的制备方法及其应用。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN101211866A
公开(公告)日：2008-07-02
申请号：CN200610169750.7
申请日：2006-12-28
Applicant: 中国科学院半导体研究所
IPC: H01L23/00 , H01L31/0264 , H01L33/00
Abstract: 本发明涉及半导体材料中氧化锌外延薄膜制备技术领域，公开了一种用于氧化锌外延薄膜生长的硅基可协变衬底材料，该材料包括：一硅单晶衬底，用于支撑整个硅基可协变衬底材料；一薄金属铪可协变层，该薄金属铪可协变层制备在硅单晶衬底上，用于对在其上外延生长的氧化锌外延薄膜进行失配应变协调。利用本发明，协调了硅衬底上所生长氧化锌外延薄膜的失配应变，并降低了残余应力，从而提高了其结晶质量和改善了其表面形貌，为研制硅基光电器件奠定了基础。
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公开(公告)号：CN101017864A
公开(公告)日：2007-08-15
申请号：CN200610003071.2
申请日：2006-02-08
Applicant: 中国科学院半导体研究所
IPC: H01L33/00 , H01L31/0248 , H01L31/18 , H01L29/02 , H01L21/20
CPC classification number: Y02P70/521
Abstract: 一种具有超薄碳化硅中间层的硅基可协变衬底，其特征在于，包括如下几部分：一硅衬底，该硅衬底起支撑的作用；一超薄3C－SiC中间层，该超薄3C－SiC中间层制备在硅衬底上，起失配应变协调的作用，并与硅衬底一起构成硅基可协变衬底；一外延层，该外延层制备在超薄3C－SiC中间层上，并与底部硅衬底有较大晶格失配。
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公开(公告)号：CN118727136A
公开(公告)日：2024-10-01
申请号：CN202411114498.4
申请日：2024-08-14
Applicant: 中国科学院半导体研究所 , 中科镓(深圳)半导体科技有限公司
Abstract: 本发明提供了一种氮化镓单晶片的制备方法，可应用于半导体技术领域。该方法包括：准备硅单晶衬底；采用脉冲磁控溅射工艺在硅单晶衬底上制备第一外延层；采用原位退火工艺将第一外延层中的锌组分完全热分解析出，得到第二外延层；采用脉冲磁控溅射工艺在第二外延层上外延生长氮化镓单晶薄膜模板层；按第一预设降温速率降低温度至室温；采用气相外延工艺，在氮化镓单晶薄膜模板层上生长氮化镓单晶厚膜外延层；按第二预设降温速率降低温度至室温；以及将氮化镓单晶厚膜外延层与其他部分剥离，并加工氮化镓单晶厚膜外延层得到氮化镓单晶片。本发明还提供了一种氮化镓单晶片及其应用。
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公开(公告)号：CN118064978A
公开(公告)日：2024-05-24
申请号：CN202410226705.9
申请日：2024-02-28
Applicant: 中国科学院半导体研究所
Abstract: 本发明提供了一种Si(111)衬底MOCVD制备ZrN(100)单一取向氮化锆薄膜方法，包括：将Si(111)衬底置入MOCVD设备的反应腔室中，在第一预设条件下烘烤Si(111)衬底，去除Si(111)衬底的表面氧化层和杂质；在第二预设条件下，在Si(111)上制备氮化锆成核层；在第四预设条件下，向反应腔室中通入载气携带的四(甲乙氨基)锆源料和氨气源料，在氮化锆成核层上制备氮化锆薄膜；按照预设降温速率使反应腔室内部降至室温，得到氮化锆薄膜膜层。本发明能够通过调控反应室压强、衬底加热温度、源料气体流量等MOCVD工艺参数，在Si(111)衬底上实现ZrN(100)单一择优取向、低残余应力、低电阻率且表面平整的高质量氮化锆薄膜制备。
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