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发明公开
在图形化的半导体衬底上制作有序半导体纳米结构的方法无效

公开(公告)号：CN101840852A

公开(公告)日：2010-09-22

申请号：CN201010140985.X

申请日：2010-04-02

Applicant: 中国科学院半导体研究所

Inventor： 陈涌海 , 刘建庆 , 高云 , 徐波 , 张兴旺 , 王占国

IPC: H01L21/02 , H01L21/3205 , H01L21/20

Abstract: 本发明公开了一种在图形化的半导体衬底上制作有序半导体纳米结构的方法，包括：步骤1：选择半导体衬底，通过光刻方法在衬底上制作出条形或圆孔图形；步骤2：配置含有胶体金的溶液；步骤3：将制作出条形或圆孔图形的衬底浸入配置的含有胶体金的溶液中，并将衬底从溶液中提拉出来；步骤4：将衬底在打胶机中打胶并用化学试剂清洗；步骤5：将衬底放入生长设备的腔室中并生长单层或多层纳米结构。利用本发明，制备出了尺寸均匀、排列有序的量子线阵列，该量子线阵列可用于制作发光器件和电子器件的有源层，制备性能优异的半导体场效应晶体管、具有非常低的能量消耗的光发射器件、以及各种类型的感应器、探测器等。

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