公开(公告)号：CN105717467B

公开(公告)日：2019-03-29

申请号：CN201610116108.6

申请日：2016-03-01

Applicant: 中国科学院半导体研究所

Inventor： 邬庆 ,  刘雨 ,  李远 ,  黄威 ,  陈涌海

IPC: G01R33/032

Abstract: 一种铁磁半导体平面内磁各向异性的光电流测试系统，包括钛蓝宝石激光器、斩波器、起偏器、光弹性调制器、光阑、光学平面反射镜、变温冷热台装置、直流电压源以及由两台锁相放大器、计算机组成的数据采集和存储系统。以及采用所述测试系统表征铁磁半导体平面内的磁各向异性的测试方法。利用该测试系统，通过旋转低温冷热台和光学平面反射镜，可以测得不同方位角、入射角下的圆偏振相关的光电流，从而可以研究铁磁半导体平面内磁各向异性的信息。

公开(公告)号：CN105651785A

公开(公告)日：2016-06-08

申请号：CN201511021603.0

申请日：2015-12-31

Applicant: 中国科学院半导体研究所

Inventor： 黄威 ,  陈涌海 ,  刘雨 ,  高寒松 ,  李远 ,  邬庆

IPC: G01N21/95

CPC classification number: G01N21/9501

Abstract: 本发明公开了一种测量半导体材料表面微结构缺陷的显微成像装置和方法。所述测试装置包括：光源、偏振调制反射差分系统、分光棱镜、扫描平台、共聚焦显微系统、信号采集系统。根据光弹性效应原理以及晶体缺陷理论可知，半导体材料表面的微结构缺陷虽然自身很小，但是会在其周围产生一个相对自身很大的应变分布场，而该应变场会产生光学反射各向异性信号，该测试方法通过测量微结构缺陷周围每一测量点处光学反射各向异性信号，从而可以直接获得微结构缺陷附近与应变场相关且随着空间位置变化的光学反射各向异性显微成像图，进而获得缺陷的种类、密度和应变分布等信息。本发明对材料微结构缺陷的表征具有操作简便快捷、无损伤、可移植性强等优点。

公开(公告)号：CN103940537A

公开(公告)日：2014-07-23

申请号：CN201410143013.4

申请日：2014-04-10

Applicant: 中国科学院半导体研究所

Inventor： 高寒松 ,  陈涌海 ,  刘雨 ,  张宏毅 ,  黄威 ,  朱来攀 ,  李远 ,  邬庆

IPC: G01L1/24 ,  G01N21/21

Abstract: 本发明公开了一种材料的微区应力测试系统，其采用微区透射差分偏振谱法(μ-TDS，microscopic transmission difference spectroscopy)建立。整个测试系统包括线偏振激光源(1)、光相位调制器(2)、斩波器(3)、聚焦物镜(41)、收集物镜(42)、检偏器(6)和信号采集系统(7)，采用计算机控制逐点扫描并采集处理数据。本发明通过测量材料表面相互垂直的两个方向上的光强反射比率差ΔT／T求得测试材料的应力分布，可以克服现有测试系统带来的负面影响，对于材料不具有损伤性，小范围的表征材料应力的分布情况。且测试过程简单快捷，测试精度高。

公开(公告)号：CN105717467A

公开(公告)日：2016-06-29

申请号：CN201610116108.6

申请日：2016-03-01

Applicant: 中国科学院半导体研究所

Inventor： 邬庆 ,  刘雨 ,  李远 ,  黄威 ,  陈涌海

IPC: G01R33/032

CPC classification number: G01R33/032

Abstract: 一种铁磁半导体平面内磁各向异性的光电流测试系统，包括钛蓝宝石激光器、斩波器、起偏器、光弹性调制器、光阑、光学平面反射镜、变温冷热台装置、直流电压源以及由两台锁相放大器、计算机组成的数据采集和存储系统。以及采用所述测试系统表征铁磁半导体平面内的磁各向异性的测试方法。利用该测试系统，通过旋转低温冷热台和光学平面反射镜，可以测得不同方位角、入射角下的圆偏振相关的光电流，从而可以研究铁磁半导体平面内磁各向异性的信息。