-
公开(公告)号：CN101764197A
公开(公告)日：2010-06-30
申请号：CN200810240935.1
申请日：2008-12-24
Applicant: 中国科学院半导体研究所
Abstract: 本发明公开了一种制作纳米尺寸相变存储器的方法，首先在硅衬底上淀积一层抗腐蚀性很强的电热绝缘材料，然后利用侧墙工艺在该材料表面制备出一个纳米尺寸的金属NANOGAP，该步工艺中的侧墙材料是光刻胶，然后再一次利用侧墙工艺制备出一条纳米尺寸的相变材料，纳米相变条填充在金属隙缝中。钝化开孔引出电极，最后制备出了纳米尺寸的相变存储器件。本发明不仅避免了使用电子束曝光的成本高、周期长的缺陷，只采用光刻和两步侧墙工艺，便制备出了纳米尺寸的相变存储器，而且可以在进行金属剥离过程时同步实现光刻胶侧墙身上的金属的剥离，缩减了工艺步骤，具有很大的优越性。
-
公开(公告)号：CN1372360A
公开(公告)日：2002-10-02
申请号：CN01104430.6
申请日：2001-02-26
Applicant: 中国科学院半导体研究所
IPC: H01S5/323
Abstract: 本发明提出了一种InGaAs/GaAs自组织量子点外延层结构,以及实现这一外延结构的分子束外延生长技术。通过精确控制分子束外延生长条件－用单原子层交替生长来控制量子点的组分、外延层厚度、形貌结构等,可以实现室温下1.3微米发光,并显著提高室温下光荧光发光效率。其室温PL谱半峰宽仅为19.2meV,将其应用于1.3微米波段的量子点激光器、探测器等各种光电子器件中,将极大地改善该类器件的性能如:降低其激光器阈值电流、增强探测器灵敏度等。
-
公开(公告)号：CN118833773A
公开(公告)日：2024-10-25
申请号：CN202410429986.8
申请日：2024-04-10
Applicant: 中国科学院半导体研究所
IPC: B81C1/00
Abstract: 本发明涉及半导体器件制备技术领域，具体为一种基于聚酰亚胺牺牲层的RF MEMS开关的制备方法，S1、在衬底上制备隔离层；S2、在绝缘隔离层上制备金属共面波导以及开关驱动电极；S3、在金属共面波导上旋涂聚酰亚胺牺牲层，并固化；S4、在聚酰亚胺牺牲层上沉积SiO2薄膜；S5、以图形化的SiO2薄膜作为硬掩膜刻蚀触点凹窝；S6、以厚光刻胶作为掩膜刻蚀锚点通孔；S7、去除SiO2薄膜和厚光刻胶；S8、在图形化聚酰亚胺牺牲层上电镀金属悬臂梁；S9、去除聚酰亚胺牺牲层。本发明能够实现精确的小尺寸图形转移，得到具有高平整度和良好触点凹窝形貌的高质量聚酰亚胺牺牲层，进而提升RF MEMS开关的可靠性和寿命。
-
公开(公告)号：CN115224147B
公开(公告)日：2024-10-22
申请号：CN202110427659.5
申请日：2021-04-20
Applicant: 中国科学院半导体研究所
IPC: H01L31/054 , H01L31/0352 , H01L31/056 , H01L31/18
Abstract: 本公开提供了一种适用于InAs/GaAsSb量子点太阳能电池的陷光结构，该陷光结构包括：若干个陷光单元；陷光单元包括：四棱锥台和若干纳米线；若干纳米线位于上述四棱锥台的上表面；若干纳米线为弯曲状态，每一个纳米线与上述四棱锥台的上表面相接触的一端的弯曲角度小于远离上述四棱锥台上表面的一端的弯曲角度。本公开的陷光结构在制备时无需复杂的半导体工艺，无需接触非常危险的化学试剂；本公开陷光结构主要适用于InAs/GaAsSb量子点太阳能电池以及大部分的III‑V族太阳能电池。
-
公开(公告)号：CN117276373A
公开(公告)日：2023-12-22
申请号：CN202311234737.5
申请日：2023-09-22
Applicant: 中国科学院半导体研究所
IPC: H01L31/0352 , H01L31/0304 , H01S5/34 , H01S5/343
Abstract: 本发明提供一种InAs/GaAs1‑xSbx量子点结构，包括n个叠加生长的InAs/GaAs1‑xSbx量子点层，其中，每个InAs/GaAs1‑xSbx量子点层包括：InAs量子点层；GaAs1‑xSbx梯度调制盖层，生长在InAs量子点层表面，用以调制InAs量子点的应力和光吸收，GaAs1‑xSbx梯度调制盖层中Sb的含量沿所述GaAs1‑xSbx梯度调制盖层在所述InAs量子点层上的生长方向线性递减；GaAs间隔层，生长在GaAs1‑xSbx梯度调制盖层表面，其中，n为大于等于1的整数。本发明提供的InAs/GaAs1‑xSbx量子点结构有效缓解了InAs/GaAs1‑xSbx量子点结构的应变积累并提高了光吸收系数，可以广泛应用于量子点激光器、量子点近红外探测器以及中间能带太阳能电池领域。
-
Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN116936324A
公开(公告)日：2023-10-24
申请号：CN202210328583.5
申请日：2022-03-30
Applicant: 中国科学院半导体研究所
IPC: H01J37/317 , H01J37/32
Abstract: 本发明公开了一种离子注入重复性和稳定性的监测方法，包括：基于椭偏仪测试离子注入样片的样片参数，构建用于描述所述离子注入样片的光学模型，通过回归分析确定所述光学模型中的模型参数，将所述模型参数与所述样片参数进行拟合，通过拟合结果得到用于监测离子注入重复性和稳定性的光学常数和损伤层厚度。以此快速、方便的测试损伤层厚度和对应的光学参数，从而实时监测离子注入设备的稳定性和均匀性，低成本的对离子注入的稳定性和均匀性进行监测与调控。
-
公开(公告)号：CN116243407A
公开(公告)日：2023-06-09
申请号：CN202310142493.1
申请日：2023-02-17
Applicant: 中国科学院半导体研究所
Abstract: 本公开提供了一种超透镜结构及电子设备。其中，该超透镜结构包括第一纳米结构层、第二纳米结构层和第三纳米结构层。第一纳米结构层用于接收入射光束，其中入射光束包括正入射光束和斜入射光束；第二纳米结构层位于第一纳米结构层上，用于接收入射光束，实现对入射光束的消色差；以及第三纳米结构层位于第二纳米结构层上，用于实现对经消色差的光束的聚焦。基于上述三层大视场的消色差超透镜结构，可以解决了现有超透镜不能同时实现大视场和宽波段成像的问题，有利于实现高性能的大视场宽带消色差效果。
-
公开(公告)号：CN115547824A
公开(公告)日：2022-12-30
申请号：CN202211323761.1
申请日：2022-10-27
Applicant: 中国科学院半导体研究所
IPC: H01L21/3065 , H01J37/20 , B81C1/00
Abstract: 本公开提供一种衬底上高深宽比倾斜沟槽的制备方法，包括：在衬底上沉积硬掩模；在沉积有硬掩模的衬底上涂覆光刻胶，利用所述光刻胶对所述衬底进行光刻；将光刻后的衬底置于斜台上，再将承载有衬底的斜台放置于法拉第笼中进行干法刻蚀，以在所述衬底上制备高深宽比倾斜沟槽。该方法能够制备高深宽比的倾斜沟槽，并且能够实现倾斜沟槽角度精确控制。
-
公开(公告)号：CN112420604B
公开(公告)日：2022-12-06
申请号：CN202011316969.1
申请日：2020-11-20
Applicant: 中国科学院半导体研究所
IPC: H01L21/768
Abstract: 本发明提供一种基于热压键合的TSV垂直电学互连器件的制备方法，包括：S1，在高阻硅晶圆(1)上刻蚀通孔；S2，热氧处理高阻硅晶圆(1)，以制备出隔离层(2)；S3，刻蚀低阻硅晶圆(3)，制备可动结构区(4)和欧姆接触区(5)；S4，热压键合高阻硅晶圆(1)和低阻硅晶圆(3)，使欧姆接触区(5)位于通孔上方；S5，在通孔内壁溅射金属种子层(6)；S6，在金属种子层(6)内壁电镀金属填料层(7)；S7，减薄抛光高阻硅晶圆(1)背面，得到TSV垂直电学互连器件。本发明的制备方法能够避免引线键合中长布线带来的尺寸限制和信号延迟等问题，减小电容/电感，实现芯片间的低功耗，在高频和大带宽电路中表现出优异的电学性能。
-
公开(公告)号：CN115394606A
公开(公告)日：2022-11-25
申请号：CN202110568371.X
申请日：2021-05-24
Applicant: 中国科学院半导体研究所
Abstract: 本公开提供一种MEMS开关，包括：衬底；第一触点(5)和第二触点(7)，设置在衬底上；可变形的导电悬臂(8)，导电悬臂的第一端与第一触点(5)电连接；以及第一可动触点(9)，设置在导电悬臂(8)的第二端，使得导电悬臂(8)通过第一可动触点(9)与第二触点(7)可断开地电连接，其中，导电悬臂(8)和第一可动触点(9)中的至少一个由钪合金制备而成。本公开通过优化MEMS开关悬臂梁和可动触点的材料选择，在金属中掺入不同比例的钪，提升了开关的寿命和可靠性。
-
-
-
-
-
-
-
-
-
Search Results
157
records
(took 0.035 seconds)
