公开(公告)号：CN101055397A

公开(公告)日：2007-10-17

申请号：CN200610073167.6

申请日：2006-04-10

Applicant: 中国科学院半导体研究所

Inventor： 陈海波 ,  李兆峰 ,  陈建军 ,  杨富华 ,  封松林 ,  郑厚植

IPC: G02F1/29 ,  G02F1/00

Abstract: 一种基于光子晶体的自准直光束的分束器，其特征在于，包括：一衬底；一介质材料层，该介质材料层制作在衬底上，该介质材料层是二维周期性排列的介质柱子阵列、或金属柱子阵列构成光子晶体；在柱子阵列构成的光子晶体内的一夹角方向引入线缺陷。

公开(公告)号：CN1372360A

公开(公告)日：2002-10-02

申请号：CN01104430.6

申请日：2001-02-26

Applicant: 中国科学院半导体研究所

Inventor： 牛智川 ,  封松林 ,  杨富华 ,  王晓东 ,  汪辉 ,  李树英 ,  苗振华 ,  李树深

IPC: H01S5/323

Abstract: 本发明提出了一种InGaAs/GaAs自组织量子点外延层结构,以及实现这一外延结构的分子束外延生长技术。通过精确控制分子束外延生长条件－用单原子层交替生长来控制量子点的组分、外延层厚度、形貌结构等,可以实现室温下1.3微米发光,并显著提高室温下光荧光发光效率。其室温PL谱半峰宽仅为19.2meV,将其应用于1.3微米波段的量子点激光器、探测器等各种光电子器件中,将极大地改善该类器件的性能如:降低其激光器阈值电流、增强探测器灵敏度等。

公开(公告)号：CN1145247C

公开(公告)日：2004-04-07

申请号：CN01104430.6

申请日：2001-02-26

Applicant: 中国科学院半导体研究所

Inventor： 牛智川 ,  封松林 ,  杨富华 ,  王晓东 ,  汪辉 ,  李树英 ,  苗振华 ,  李树深

IPC: H01S5/323 ,  H01L21/20

Abstract: 本发明提出了一种InGaAs/GaAs自组织量子点外延层结构，以及实现这一外延结构的分子束外延生长技术。通过精确控制分子束外延生长条件一用单原子层交替生长来控制量子点的组分、外延层厚度、形貌结构等，可以实现室温下1.3微米发光，并显著提高室温下光荧光发光效率。其室温PL谱半峰宽仅为19.2meV，将其应用于1.3微米波段的量子点激光器、探测器等各种光电子器件中，将极大地改善该类器件的性能如：降低其激光器阈值电流、增强探测器灵敏度等。