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公开(公告)号：CN103647012A
公开(公告)日：2014-03-19
申请号：CN201310712946.6
申请日：2013-12-20
Applicant: 中国科学院半导体研究所
IPC: H01L33/48 , H01L21/683
CPC classification number: H01L21/67132
Abstract: 一种用于LED的晶圆级封装的芯片制造方法，包括以下步骤：在LED外延片上制作LED单元器件阵列，在该单元器件阵列的部分单元器件上制作金属，作为键合时的金属中间层，构成待键合单元器件阵列；同时，在一基板的正面制作金属图案，该金属图案与待键合单元器件阵列的电极相对应，在该金属图案下面存在导热、导电通道，通过该导电通道，LED单元器件的电极与基板背面的金属焊盘相连；然后通过键合的方式，把待键合单元器件阵列倒装在基板上；最后，采用激光剥离的方式，对上述待键合单元器件依次进行剥离，使得待键合单元器件的外延层与衬底分离，该分离后的外延层与基板形成完整的薄膜LED阵列。本发明所述的芯片转移方法，可用于LED器件的晶圆级封装，提高封装效率和降低成本。
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公开(公告)号：CN101561587A
公开(公告)日：2009-10-21
申请号：CN200810104242.X
申请日：2008-04-16
Applicant: 中国科学院半导体研究所 , 京东方科技集团股份有限公司
IPC: G02F1/13357 , F21V5/04
Abstract: 本发明是一种可用于直下式LCD背光源的LED的透镜。所述透镜是一个由透明材料制成的轴对称实体，包含：一个底面，该底面为光入射面；一个侧面，该侧面为光折射界面；一个上曲面，该曲面为光折射界面；一个中心曲面，该曲面为光折射界面。该透镜放置于LED上，使进入里面的光线的传播方向发生改变，获得良好的光强分布，实现对液晶屏的均匀照明。
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公开(公告)号：CN101382274A
公开(公告)日：2009-03-11
申请号：CN200710121359.4
申请日：2007-09-05
Applicant: 中国科学院半导体研究所
IPC: F21V29/00 , F21V15/01 , F21V3/04 , F21V29/02 , F21Y101/02 , F21Y105/00
Abstract: 一种用于照明的LED平面光源结构，其特征在于，包括：一灯箱，该灯箱为顶部开口的盒体；一二维排布的LED阵列，该二维LED阵列制作在灯箱的盒体内；一透明罩板，为一板状，该透明罩板覆盖于二维排布的LED阵列上，该透明罩板的形状与灯箱相同；多个散热器结构，该多个散热器结构为条状或板状，该多个散热器结构安装在灯箱的下面。
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公开(公告)号：CN101086577A
公开(公告)日：2007-12-12
申请号：CN200610012128.5
申请日：2006-06-07
Applicant: 中国科学院半导体研究所
IPC: G02F1/13357 , H01L33/00
Abstract: 本发明一种LED照明的LCD背光源结构，包括：一支架，该支架是一个底面连着散热板的顶端具开口的盒体，盒体内侧壁和内底面均为反射面；一二维排布的单色LED阵列，该单色LED阵列制作在支架上，排布在支架内底面上；一扩散板，该扩散板制作在二维排布的单色LED阵列上方；一光学膜组，该光学膜组是棱镜膜和扩散膜的组合，该光学膜组制作在扩散板上；以及一荧光粉薄层，该荧光粉薄层制作在光学膜组 上。
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公开(公告)号：CN115498074A
公开(公告)日：2022-12-20
申请号：CN202110682878.8
申请日：2021-06-18
Applicant: 中国科学院半导体研究所
Abstract: 本公开提供了一种基于石墨烯和介质DBR的垂直发射发光器及制备方法，该制备方法包括：在衬底上外延非掺GaN层；在非掺GaN层上制备介质DBR；在介质DBR上覆盖石墨烯层；刻蚀石墨烯层和介质DBR使所非掺GaN层裸露，形成图形化的底层介质DBR；在非掺杂GaN层的裸露区域和底层介质DBR上外延形成GaN合并层；在GaN合并层上形成外延主体层；在外延主体层上形成导电层；在导电层上制备图形化的顶层介质DBR，得到所述垂直发射发光器。本公开提供的基于石墨烯和介质DBR的垂直发射发光器的制备工艺简单，大幅降低器件的生产成本。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN114759088A
公开(公告)日：2022-07-15
申请号：CN202110039389.0
申请日：2021-01-12
Applicant: 中国科学院半导体研究所
IPC: H01L29/778 , H01L29/205 , H01L29/165 , H01L21/336
Abstract: 一种石墨烯作为插入层的GaN/AlGaN异质结构及其制备方法，该GaN/AlGaN异质结构包括：衬底，氮化镓层设置在衬底上，石墨烯插入层，设置在氮化镓层上；势垒层，设置在石墨烯插入层上；帽层，设置在势垒层上。本发明为GaN基高迁移率晶体管提供了一种新型结构，利用石墨烯0.3至1.2nm超薄厚度，以及10000至15000cm2/V·s的超高迁移率特性，提高GaN/AlGaN异质结中二维电子气的迁移率，从而解决器件逻辑电压的摆幅与缩短传输时间问题，以及降低开关能量之间矛盾的关键问题，使GaN基高迁移率晶体管在高频、高速器件领域发挥重大作用。
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公开(公告)号：CN113394318A
公开(公告)日：2021-09-14
申请号：CN202110650790.8
申请日：2021-06-10
Applicant: 中国科学院半导体研究所
Abstract: 本发明公开了一种发光二极管的外延结构及其制备方法，其中，发光二极管的外延结构包括：衬底；上述衬底上设置氮化物成核层；上述氮化物成核层上设置氮化物层；上述氮化物层上设置N型氮化物层；上述N型氮化物层上设置多量子阱层；上述多量子阱层上设置至少两层P型AlGaN层其中，相邻两层上述P型AlGaN层之间设置有石墨烯层；上述P型AlGaN层上设置P型GaN层。
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公开(公告)号：CN103647012B
公开(公告)日：2017-05-31
申请号：CN201310712946.6
申请日：2013-12-20
Applicant: 中国科学院半导体研究所
IPC: H01L33/48 , H01L21/683
Abstract: 一种用于LED的晶圆级封装的芯片制造方法，包括以下步骤：在LED外延片上制作LED单元器件阵列，在该单元器件阵列的部分单元器件上制作金属，作为键合时的金属中间层，构成待键合单元器件阵列；同时，在一基板的正面制作金属图案，该金属图案与待键合单元器件阵列的电极相对应，在该金属图案下面存在导热、导电通道，通过该导电通道，LED单元器件的电极与基板背面的金属焊盘相连；然后通过键合的方式，把待键合单元器件阵列倒装在基板上；最后，采用激光剥离的方式，对上述待键合单元器件依次进行剥离，使得待键合单元器件的外延层与衬底分离，该分离后的外延层与基板形成完整的薄膜LED阵列。本发明所述的芯片转移方法，可用于LED器件的晶圆级封装，提高封装效率和降低成本。
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公开(公告)号：CN103943739B
公开(公告)日：2016-09-14
申请号：CN201410185391.9
申请日：2014-05-04
Applicant: 中国科学院半导体研究所
IPC: H01L33/00
Abstract: 一种提高光提取效率发光二极管的制备方法，包括：在一具有蓝宝石衬底的氮化镓LED外延片上表面的P型氮化镓层上制作一单层紧密排列的聚苯乙烯球；在聚苯乙烯球间隙填充二氧化硅凝胶；高温加热，形成二氧化硅碗状阵列；将二氧化硅碗状阵列的一部分覆盖光刻胶进行保护；将未保护的二氧化硅去除干净，然后在用去膜剂去除光刻胶；在剩余二氧化硅碗状阵列和P型氮化镓层的表面蒸镀反光金属薄膜，选用酸性硫酸铜电镀液在导电薄膜的上表面电镀金属铜；采用激光剥离技术去除外延片中的蓝宝石衬底，露出P型氮化镓层另一面的N型氮化镓层的表面；通过光刻技术、电子束蒸发技术和金属剥离技术在N型氮化镓层的表面沉积金属薄膜，作为N电极，位置刚好对应于下方的二氧化硅碗状阵列，完成制备。
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公开(公告)号：CN104538304A
公开(公告)日：2015-04-22
申请号：CN201410816563.8
申请日：2014-12-24
Applicant: 中国科学院半导体研究所
IPC: H01L21/335
CPC classification number: H01L29/66431
Abstract: 一种倒装结构的氮化镓基高电子迁移率晶体管的制作方法，包括：在蓝宝石衬底上依次外延生长低温成核层、氮化镓高阻层、高迁移率氮化镓层、氮化铝插入层、铝镓氮势垒层和氮化镓帽层，形成外延片；浸泡、清洗；在台面和氮化镓帽层上制作金属层；制作两个窗口，在窗口内制作绝缘的Si3N4钝化膜，之两个窗口之间形成栅极的肖特基接触电极；将蓝宝石衬底减薄；制备源、漏欧姆接触电极相对应的倒装焊金属焊料层及倒装焊金属焊料层；制作源、漏的电极引线和栅极的电极引线；将管芯倒装焊到支撑体上；在管芯的表面蒸镀Si3N4保护层，完成制备。
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