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公开(公告)号：CN103996972A
公开(公告)日：2014-08-20
申请号：CN201410256968.0
申请日：2014-06-11
Applicant: 中国科学院半导体研究所
IPC: H01S5/12
Abstract: 本发明公开了一种同时调制波长和发散角的光子晶体边发射激光器，其包括：N型衬底，N型衬底上的N型缓冲层，N型缓冲层上的光子晶体，光子晶体上的有源区，有源区上的P型限制层以及P型盖层，其中，所述光子晶体由至少两个周期构成，且每个周期中采用折射率不同的两种材料构成。本发明利用激光腔中倾斜传播的光的模式特性和光子晶体对这种倾斜腔模的反射特性，获得损耗最小的激射模式，实现激射波长较高的稳定性。同时利用光子晶体导带模式，获得垂直方向的较小远场发散角。本发明提供的这种特殊结构可以应用于其他边发射激光器，如：窄条边发射激光器，锥形激光器等。
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公开(公告)号：CN103887709A
公开(公告)日：2014-06-25
申请号：CN201410104279.8
申请日：2014-03-20
Applicant: 中国科学院半导体研究所
IPC: H01S5/343
Abstract: 本发明涉及激光技术与微纳光电子学领域，公开了一种非对称金属光栅包覆半导体多量子阱波导激光器，其包括上金属光栅层(1)、有源层(2)、下金属包覆层(3)和衬底(4)。上金属光栅层和下金属包覆层将光场有效地局域在半导体有源层中。上金属光栅层上制备有一维条形金属光栅，结合局域表面等离子体共振形成类FP腔共振，可以实现对波长的有效选模。有源层采用多量子阱大增益材料，通过对泵浦光和目标光的强共振达到对泵浦光有效的吸收以及对目标光足够的反馈，最终获得低阈值的激射。本发明具有对光一维亚波长限制以及单向性较好等优点。
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公开(公告)号：CN103227416A
公开(公告)日：2013-07-31
申请号：CN201310095986.0
申请日：2013-03-25
Applicant: 中国科学院半导体研究所
Abstract: 一种基于正交微纳周期结构选模的可调谐半导体激光器，包括：一衬底；在该衬底上制作有N型纵向微纳周期结构、N型下波导层、有源区、P型上波导层和P型上限制层，该P型上限制层纵向剖面为一脊型结构，脊形结构上部的两侧为整体结构，一侧为增益区，另一侧为吸收区，中间为横向微纳周期结构调谐区，该横向微纳周期结构中包括多个狭槽，一P型欧姆接触层制作在P型上限制层脊型结构上部的上方，一绝缘层，制作在P型上限制层脊型结构下部的上面和脊形结构上部的一侧面；一P型电极，制作在P型上限制层脊形结构的两侧、绝缘层的上面，其中该脊型结构两侧为整体结构部分，一侧为增益区，位于激光器出光端面一侧，另一侧为吸收区，中间为横向微纳周期结构调谐区，紧挨着增益区。
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公开(公告)号：CN103199435A
公开(公告)日：2013-07-10
申请号：CN201310096102.3
申请日：2013-03-25
Applicant: 中国科学院半导体研究所
Abstract: 一种超低发散角倾斜光束的单纵模人工微结构激光器，包括：一衬底和在衬底上制作的N型下限制层、N型下波导层、有源区、P型上波导层、P型上限制层、P型欧姆接触层、绝缘层，一P型电极制作在绝缘层上；一N型电极，制作在衬底的背面；该P型上限制层的纵向剖面为一脊型结构，脊形结构上部的一侧为整体结构，另一侧为人工微结构，该人工微结构中包括多个狭槽，用于形成电流注入通道和纵向侧向光场限制；其中该脊型结构的整体结构部分为脊型波导增益区，另一侧的人工微结构部分为人工微结构选模区。本发明可增大模场面积，实现超低垂直发散角，改善单模激光器光束质量，提高与光纤或光栅的耦合效率。该激光器只需一次外延和普通光刻技术即可实现单模工作，低制作成本。
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公开(公告)号：CN101398453A
公开(公告)日：2009-04-01
申请号：CN200710122477.7
申请日：2007-09-26
Applicant: 中国科学院半导体研究所
IPC: G01R31/00 , G01R31/265 , G01R1/02
Abstract: 一种单光路量子效率测试系统，包括：一卤钨灯光源、一凸透镜、一光斩波器；一单色仪，卤钨灯光源、凸透镜和光斩波器位于该单色仪输入光入口的光路上；一锁相放大器，其频率参考输入端与光斩波器斩波频路输出端连接；一计算机负责控制和处理台单色仪和锁相放大器的数据，使单色仪与锁相放大器协调工作；一转动式样品定位器位于单色仪输出光出口的光路上，并与锁相放大器通过线缆连接，转动式样品定位器可通过旋转动作使样品和标准探测器处于光路的同一位置；一组偏置光源位于单色仪输出光出口的光路上的周围，该偏置光源将偏置光照射到待测样品表面，起短路样品的非测量子电池的作用。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN117995655A
公开(公告)日：2024-05-07
申请号：CN202410146075.4
申请日：2024-02-01
Applicant: 中国科学院半导体研究所
IPC: H01L21/02 , H01L21/203 , H01L21/20 , C30B25/02 , C30B29/40
Abstract: 本公开提供一种III‑V族半导体低维结构的选区分子束外延制备方法，包括：将图形化衬底放置于分子束外延设备中，在图形化衬底上同时生长III‑V族半导体形核层和III族液滴；以III族液滴和III族源炉束流同时作为III‑V族半导体低维结构生长所需的III族源材料，在III‑V族半导体形核层上原位外延生长III‑V族半导体低维结构。该方法通过将III‑V族半导体的成核过程和外延生长过程进行分离，并在外延生长过程中采用双III族源生长的方式扩展III‑V族半导体的外延生长参数区间，从而实现高质量III‑V族半导体低维结构的选区分子束外延生长。
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公开(公告)号：CN108508635A
公开(公告)日：2018-09-07
申请号：CN201810318367.6
申请日：2018-04-10
Applicant: 中国科学院半导体研究所
Abstract: 本发明提供了一种基于SiGe材料的电调谐有源波导结构、以及MZI结构，属于硅基光电子器件领域。基于SiGe材料的电调谐有源波导结构，为脊形波导结构，从波导结构底部向上依次包括：Si衬底、SiO2掩埋层、第一接触区、有源区及第二接触区，有源区位于第一接触区和第二接触区的中央区域，在有源区从下到上层叠有SiGe本征区和Ge/SiGe量子阱本征区，经由第一接触区和第二接触区对有源区施加垂直电场。由此，QCSE效应与FK效应相结合，不仅使材料吸收带边移动叠加从而材料在特定波长下的吸收系数和折射率改变，而且获得线性的吸收特性曲线，因而，提升了器件的调制效率、器件的工作速度、补偿了调制的线性度、降低了器件的功耗、缩减了器件的尺寸。
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公开(公告)号：CN103887711B
公开(公告)日：2017-08-18
申请号：CN201410086771.7
申请日：2014-03-11
Applicant: 中国科学院半导体研究所
Abstract: 本发明公开了一种大面阵相干光子晶体面发射激光光源结构，包括：光子晶体阵列，其由位于中心的中心光子晶体和围绕所述中心光子晶体对称分布的多个边缘光子晶体形成的多个阵列结构组成；其中，所述中心光子晶体和边缘光子晶体具有完全相同的结构。整个结构具有旋转对称性，完整光子晶体利用带边模式具有面发射的特性。利用本发明，能够实现低发散角、高亮度的大面阵相干激光光源，并且通过对光子晶体参数的调整，使得波长覆盖从可见光到近红外波段。
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公开(公告)号：CN105405938A
公开(公告)日：2016-03-16
申请号：CN201511006149.1
申请日：2015-12-29
Applicant: 中国科学院半导体研究所
CPC classification number: H01L33/04 , H01L33/005 , H01L33/02 , H01L33/06
Abstract: 本发明公开了一种可见光通信用单芯片白光LED，所述LED包括：衬底；缓冲层，形成于所述衬底的上表面；n型半导体层，形成于所述缓冲层的上表面，所述n型半导体层的一侧向下形成有台面，所述台面的深度小于所述n型半导体层的厚度；复合发光区，形成于所述n型半导体层除台面外的上表面；p型半导体层，形成于所述复合发光区的上表面；透明导电层，形成于所述p型半导体层的上表面；p电极和n电极，分别形成于所述透明导电层和n型半导体层的一侧台面上。本发明还提供一种可见光通信用单芯片白光LED的制备方法。根据本发明可以得到一种高光效、高带宽的双波段可见光通信用单芯片白光光源。
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公开(公告)号：CN103825194A
公开(公告)日：2014-05-28
申请号：CN201410083323.1
申请日：2014-03-07
Applicant: 中国科学院半导体研究所
Abstract: 一种单模光子晶体边发射半导体激光器，包括一叠层结构，所述叠层结构包括：一下电极；一N型衬底制作在该下电极上；一N型限制层制作在该N型衬底上；一有源层制作在该N型限制层上；一P型限制层，其中间为沿纵向凸起的三段式波导，该三段式波导的两侧为相对的锥形波导，之间为光子晶体波导，其制作在该有源层之上；一P型盖层，其制作在该P型限制层上的三段式波导的上面；一SiO2绝缘层，其制作在P型限制层上的三段式波导的侧壁上，并覆盖P型限制层的上面，形成基片；以及一上电极，其制作在基片除了侧壁的上面。本发明通过光子晶体波导选择激光器的纵模和侧模，并利用对称双锥形结构放大激光功率，实现高功率、单模、低水平发散角激光输出的目的。
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