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公开(公告)号：CN116826522A
公开(公告)日：2023-09-29
申请号：CN202311108520.X
申请日：2023-08-31
Applicant: 潍坊先进光电芯片研究院 , 中国科学院半导体研究所
Abstract: 本申请公开了一种带侧向光栅的超对称半导体激光器，包括：沿外延方向由下至上依次堆叠的N面电极、衬底、缓冲层、N型波导层、有源层、P型波导层和超对称结构；所述超对称结构包括P型盖层和上接触层，上接触层堆叠在P型盖层上，超对称结构的中间部分为主波导，主波导的两侧设有子波导；所述子波导和主波导之间纵向设有侧向光栅，侧向光栅用于实现纵向模式的选择；所述主波导上设有P面电极。具有以下优点：采用超对称结构，在中间主波导在基侧模不被损耗的情况下，实现了大功率基侧模输出，通过设计侧向光栅的占空比，来实现标准光刻的制造，使用侧向光栅结构，通过在脊波导两侧刻蚀，得到光栅结构，避免了二次外延生长。
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公开(公告)号：CN116072755B
公开(公告)日：2023-07-07
申请号：CN202310218352.3
申请日：2023-03-09
Applicant: 潍坊先进光电芯片研究院 , 中国科学院半导体研究所
IPC: H01L31/107 , H01L31/0352 , H01L31/18 , H01L31/0216 , G01S7/486 , G01S7/4912 , G01S17/08
Abstract: 本发明提供一种硅基线性雪崩光电探测器、制备方法及应用，属于雪崩光电探测器领域。所述硅基线性雪崩光电探测器，包括有：π型层、p型层、n+型层、p+型层、离子注入型沟槽保护环、离子注入型沟槽截止环、第一电极、第二电极。本发明还提供一种硅基线性雪崩光电探测器的制备方法；以及在激光测距装置的应用。本发明的硅基线性雪崩光电探测器有效提高制得的硅基线性雪崩光电探测器的一致性，倍增、吸收区的参数更容易控制，并能够有效避免制备过程中可能的边缘击穿现象；应用于激光雷达等激光测距装置中，能够有效提高测距精度及动态范围；同时，还能够有效降低探测器偏压控制难度和复杂度，有利于探测器控制电路的小型化。
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公开(公告)号：CN116247118A
公开(公告)日：2023-06-09
申请号：CN202310531231.4
申请日：2023-05-12
Applicant: 潍坊先进光电芯片研究院 , 中国科学院半导体研究所
IPC: H01L31/107 , H01L31/0352
Abstract: 本申请公开了一种双载流子倍增的雪崩光电探测器，包括倍增层，倍增层为两层，一层倍增层用于空穴的雪崩倍增，另一层倍增层用于电子的雪崩倍增，两层倍增层之间设有两层电荷层和一层光吸收层，光吸收层两侧分别设有一层电荷层，电荷层用于调控倍增层和光吸收层电场。具有以下优点：解决了如何能够让吸收层的光生电子和空穴沿着不同方向进入两个倍增层问题，让光生电子和光生空穴同时进行倍增，较大的提高了光电流的输出，提高了器件增益值。
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公开(公告)号：CN116072755A
公开(公告)日：2023-05-05
申请号：CN202310218352.3
申请日：2023-03-09
Applicant: 潍坊先进光电芯片研究院 , 中国科学院半导体研究所
IPC: H01L31/107 , H01L31/0352 , H01L31/18 , H01L31/0216 , G01S7/486 , G01S7/4912 , G01S17/08
Abstract: 本发明提供一种硅基线性雪崩光电探测器、制备方法及应用，属于雪崩光电探测器领域。所述硅基线性雪崩光电探测器，包括有：π型层、p型层、n+型层、p+型层、离子注入型沟槽保护环、离子注入型沟槽截止环、第一电极、第二电极。本发明还提供一种硅基线性雪崩光电探测器的制备方法；以及在激光测距装置的应用。本发明的硅基线性雪崩光电探测器有效提高制得的硅基线性雪崩光电探测器的一致性，倍增、吸收区的参数更容易控制，并能够有效避免制备过程中可能的边缘击穿现象；应用于激光雷达等激光测距装置中，能够有效提高测距精度及动态范围；同时，还能够有效降低探测器偏压控制难度和复杂度，有利于探测器控制电路的小型化。
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公开(公告)号：CN115621834A
公开(公告)日：2023-01-17
申请号：CN202211201010.2
申请日：2022-09-29
Applicant: 潍坊先进光电芯片研究院 , 中国科学院半导体研究所
IPC: H01S5/02253 , H01S5/02326 , H01S5/0239 , H01S5/024
Abstract: 本发明提供了一种利用双焦距透镜准直的半导体激光合束装置，包括高度依次增加的阶梯热沉、数组双发光点半导体激光器、数个双焦距准直透镜、数个反射棱镜、偏振合束棱镜和聚焦镜；每组双发光点半导体激光器含有两个发光单元，每个发光单元由一个双焦距准直透镜进行快慢轴同时准直，每组双焦距准直透镜由一个反射镜反射，上述个光学元件均设置于快轴方向高度依次增加的阶梯热沉上，经反射镜反射后进行空间合束，之后再利用偏振合束棱镜实现偏振合束，最后由聚焦镜聚焦耦合至光纤。本发明的有益效果：将多个单管激光器合束，组成半导体激光器光纤耦合模块，尽可能多地增加多单管合束光纤耦合模块的发光单元的数量，能够获得更高效率和更高亮度。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN103227416A
公开(公告)日：2013-07-31
申请号：CN201310095986.0
申请日：2013-03-25
Applicant: 中国科学院半导体研究所
Abstract: 一种基于正交微纳周期结构选模的可调谐半导体激光器，包括：一衬底；在该衬底上制作有N型纵向微纳周期结构、N型下波导层、有源区、P型上波导层和P型上限制层，该P型上限制层纵向剖面为一脊型结构，脊形结构上部的两侧为整体结构，一侧为增益区，另一侧为吸收区，中间为横向微纳周期结构调谐区，该横向微纳周期结构中包括多个狭槽，一P型欧姆接触层制作在P型上限制层脊型结构上部的上方，一绝缘层，制作在P型上限制层脊型结构下部的上面和脊形结构上部的一侧面；一P型电极，制作在P型上限制层脊形结构的两侧、绝缘层的上面，其中该脊型结构两侧为整体结构部分，一侧为增益区，位于激光器出光端面一侧，另一侧为吸收区，中间为横向微纳周期结构调谐区，紧挨着增益区。
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公开(公告)号：CN103199435A
公开(公告)日：2013-07-10
申请号：CN201310096102.3
申请日：2013-03-25
Applicant: 中国科学院半导体研究所
Abstract: 一种超低发散角倾斜光束的单纵模人工微结构激光器，包括：一衬底和在衬底上制作的N型下限制层、N型下波导层、有源区、P型上波导层、P型上限制层、P型欧姆接触层、绝缘层，一P型电极制作在绝缘层上；一N型电极，制作在衬底的背面；该P型上限制层的纵向剖面为一脊型结构，脊形结构上部的一侧为整体结构，另一侧为人工微结构，该人工微结构中包括多个狭槽，用于形成电流注入通道和纵向侧向光场限制；其中该脊型结构的整体结构部分为脊型波导增益区，另一侧的人工微结构部分为人工微结构选模区。本发明可增大模场面积，实现超低垂直发散角，改善单模激光器光束质量，提高与光纤或光栅的耦合效率。该激光器只需一次外延和普通光刻技术即可实现单模工作，低制作成本。
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公开(公告)号：CN117075256B
公开(公告)日：2024-02-13
申请号：CN202311329677.5
申请日：2023-10-16
Applicant: 潍坊先进光电芯片研究院 , 中国科学院半导体研究所
Abstract: 本申请公开了一种交错光栅的混合等离激元波导布拉格光栅偏振器，包括硅基混合等离激元波导结构、高折射率波导光栅结构和低折射率波导光栅结构；所述硅基混合等离激元波导结构包括自下而上设置的SOI晶圆的硅衬底层、埋氧层、硅波导层、低折射率波导层、金属波导层，所述低折射率波导层与硅波导层的界面处引入一组高折射率波导光栅结构，所述低折射率波导层与金属波导层的界面处的引入一组低折射率波导光栅结构。具有以下优点：结构紧凑，而且在保持良好的反射特性的同时通过微调结构参数还能实现的反射谱优化以及解决模式反射单一的问题。
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公开(公告)号：CN116247118B
公开(公告)日：2023-08-18
申请号：CN202310531231.4
申请日：2023-05-12
Applicant: 潍坊先进光电芯片研究院 , 中国科学院半导体研究所
IPC: H01L31/107 , H01L31/0352
Abstract: 本申请公开了一种双载流子倍增的雪崩光电探测器，包括倍增层，倍增层为两层，一层倍增层用于空穴的雪崩倍增，另一层倍增层用于电子的雪崩倍增，两层倍增层之间设有两层电荷层和一层光吸收层，光吸收层两侧分别设有一层电荷层，电荷层用于调控倍增层和光吸收层电场。具有以下优点：解决了如何能够让吸收层的光生电子和空穴沿着不同方向进入两个倍增层问题，让光生电子和光生空穴同时进行倍增，较大的提高了光电流的输出，提高了器件增益值。
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公开(公告)号：CN115548880A
公开(公告)日：2022-12-30
申请号：CN202211143176.3
申请日：2022-09-20
Applicant: 潍坊先进光电芯片研究院 , 中国科学院半导体研究所
Abstract: 本发明公开了一种多隧道结倒装表面浮雕结构的垂直腔面发射激光器阵列，按照自下而上的顺序包括：热沉、焊料、P面电极、P面绝缘层、P型DBR、多隧道结、N型DBR、衬底、N面绝缘层、N面电极。该垂直腔面发射激光器阵列采用多隧道结以及多氧化层结构，可提高输出功率和电光转换效率，采用倒装底部发射的结构，芯片有源区更加靠近封装基板，有效地改善散热性及提高饱和电流。外加底部浮雕刻蚀，降低发散角，便于光束整形，提高耦合效率。本发明仅需普通光刻和外加普通光刻外加干法刻蚀技术实现，不需要电子束曝光等复杂制备工艺，降低发散角，改善提高耦合效率，有利于实现低成本、高功率、高效率、低发散角高功率密度的激光输出。
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