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公开(公告)号：CN118983682A
公开(公告)日：2024-11-19
申请号：CN202411464438.5
申请日：2024-10-21
Applicant: 中国科学院半导体研究所
Abstract: 本发明提供一种基于偏振泵浦的激光特性可调的被动调Q激光器，涉及激光技术领域，依次包括泵浦源、第一聚焦耦合透镜、半波片、第二聚焦耦合透镜、腔镜、激光增益介质与耦合输出镜，其中；泵浦源沿第一方向发出的泵浦光为线偏振光，泵浦光经第一聚焦耦合透镜与第二聚焦耦合透镜组成的聚焦耦合透镜组后射入激光增益介质中并产生激光，激光经腔镜与耦合输出镜构成的激光谐振腔后输出；半波片能够通过调节泵浦光偏振方向与激光增益介质晶轴方向的匹配性以控制被动调Q激光器的激光输出。该激光器通过调节泵浦光的偏振态，可以实现对输出脉冲特性的灵活调节，满足在复杂环境中的应用需求。
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公开(公告)号：CN117638628A
公开(公告)日：2024-03-01
申请号：CN202311601341.X
申请日：2023-11-28
Applicant: 中国科学院半导体研究所
IPC: H01S5/0239 , H01S5/02251 , H01S5/00 , H01S5/026 , G02B6/42 , G02B27/09
Abstract: 一种半导体激光器光纤耦合装置包括：准直模块，适用于对半导体激光器发出的初始激光进行准直，得到准直激光；光束整形模块，包括：第一整形组件，适用于将准直激光分成宽度相同的n段子激光，n≥2，并使得n段子激光中的至少n‑1段子激光在高度上发生移动，以使n段子激光的高度不同；第二整形组件，适用于使高度发生移动后的n段子激光居中对齐；聚焦镜，适用于将居中对齐的n段子激光耦合至光纤。
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公开(公告)号：CN109599743B
公开(公告)日：2022-04-29
申请号：CN201811413063.4
申请日：2018-11-23
Applicant: 中国科学院半导体研究所
IPC: H01S5/22
Abstract: 本发明公开了一种基于光子晶体缺陷态模式控制的锥形光子晶体激光器，包括：一外延层的结构，该外延层的结构包含：N型衬底；N型限制层，位于N型衬底之上；完美一维光子晶体，位于N型限制层之上；有源区，位于完美一维光子晶体上；P型限制层，位于有源区之上；P型接触层，位于P型限制层之上；以及锥形结构，设置于该外延层的P面，该锥形结构包含：脊形波导部分；以及锥形波导部分，与脊形波导部分相连，实现增益；其中，完美一维光子晶体中还包含破坏该完美一维光子晶体周期性的缺陷层，有源区位于该缺陷层中。该激光器能够改善半导体激光器光束质量，提高输出功率，减小垂直方向发散角，实现稳定的垂直模式输出。
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公开(公告)号：CN113794104A
公开(公告)日：2021-12-14
申请号：CN202111150917.6
申请日：2021-09-29
Applicant: 中国科学院半导体研究所
Abstract: 本发明公开了一种光子晶体激光器，包括：有源层(6)；N型下波导层(5)，设置在有源层(6)下，用于形成电流注入通道和纵向光场限制；以及光子晶体波导层(4)，设置在N型下波导层(5)下，包括多个波导组件，每个波导组件包括：高折射率层(41)，以及低折射率层(42)，设置在高折射率层(41)上，低折射率层(42)的折射率不高于高折射率层(41)的折射率，多个波导组件的高折射率层(41)和低折射率层(42)交替设置，其中，低折射率层(42)包括从高折射率层(41)依次形成的折射率下降部(421)、过渡部(422)、和折射率上升部(423)，折射率下降部(421)的折射率从高折射率层(41)的折射率逐渐下降到过渡部(422)的折射率，折射率上升部(423)的折射率从过渡部(422)的折射率逐渐上升到高折射率层(41)的折射率。
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公开(公告)号：CN111987585A
公开(公告)日：2020-11-24
申请号：CN201910443247.3
申请日：2019-05-24
Applicant: 中国科学院半导体研究所
Abstract: 本发明公开了一种硅波导输出激光器，包括：III-V族有源结构，用于生成所述激光器的光源，所述III-V族有源结构包括：隧道结层，用于形成反向隧穿电流通道；N型衬底，设置于所述隧道结层上表面；P型层，设置于所述隧道结层下表面；量子阱有源层，设置于所述P型层下表面；N型层，设置于所述量子阱有源层下表面；以及，硅波导结构，设置于所述III-V族有源结构之下，用于与所述III-V族有源结构共同形成光学谐振腔和激光输出波导。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN109683354B
公开(公告)日：2020-09-15
申请号：CN201910121018.X
申请日：2019-02-18
Applicant: 中国科学院半导体研究所
IPC: G02F1/015
Abstract: 本公开提供了一种中红外波段调制器的制备方法，包括：步骤1：SOI衬底顶层硅(1)与N型InSb衬底(20)真空键合；步骤2：减薄N型InSb衬底(20)后刻蚀出脊形N型InSb结构(2)，该脊形N型InSb结构(2)包括中间的脊形和两侧的平板区；步骤3：将平板区转变为P型InSb结构(3)，或者，将凸出于平板区的脊形转变为P型InSb结构(3)，同时，使得在N型InSb结构(2)与P型InSb结构(3)之间形成中性区I区(4)；步骤4：对脊形一侧的平板区进行光刻腐蚀，保留另一侧的平板区；步骤5：制备钝化保护层(5)；步骤6：制备N电极(6)和P电极(7)。本公开还提供了一种中红外波段调制器。
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公开(公告)号：CN109683354A
公开(公告)日：2019-04-26
申请号：CN201910121018.X
申请日：2019-02-18
Applicant: 中国科学院半导体研究所
IPC: G02F1/015
Abstract: 本公开提供了一种中红外波段调制器的制备方法，包括：步骤1：SOI衬底顶层硅(1)与N型InSb衬底(20)真空键合；步骤2：减薄N型InSb衬底(20)后刻蚀出脊形N型InSb结构(2)，该脊形N型InSb结构(2)包括中间的脊形和两侧的平板区；步骤3：将平板区转变为P型InSb结构(3)，或者，将凸出于平板区的脊形转变为P型InSb结构(3)，同时，使得在N型InSb结构(2)与P型InSb结构(3)之间形成中性区I区(4)；步骤4：对脊形一侧的平板区进行光刻腐蚀，保留另一侧的平板区；步骤5：制备钝化保护层(5)；步骤6：制备N电极(6)和P电极(7)。本公开还提供了一种中红外波段调制器。
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公开(公告)号：CN104993376A
公开(公告)日：2015-10-21
申请号：CN201510394504.0
申请日：2015-07-07
Applicant: 中国科学院半导体研究所
IPC: H01S5/343
Abstract: 一种适用于激光显示的消相干准三维光子晶体超辐射光源，包括：一N型衬底；一N型光子晶体波导层，其制作在N型衬底上；一有源层，其制作在N型光子晶体波导层上；一P型波导层，其制作在有源层上，该P型波导层上面的中间有一凸起的脊形波导结构，该波导结构为P型横向限制层，该P型横向限制层横向开有多个狭槽，形成啁啾狭槽结构；一绝缘层，其制作在P型横向限制层两侧及横向的狭槽内；一N电极，其制作在绝缘层以及P型横向限制层上；一P电极，其制作在N型衬底的背面。本发明针对红绿蓝三基色激光对谱宽的需求，设计啁啾狭槽，以达到对不同波长的光都实现无散斑的投影显示。
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公开(公告)号：CN103227416B
公开(公告)日：2015-02-11
申请号：CN201310095986.0
申请日：2013-03-25
Applicant: 中国科学院半导体研究所
Abstract: 一种基于正交微纳周期结构选模的可调谐半导体激光器，包括：一衬底；在该衬底上制作有N型纵向微纳周期结构、N型下波导层、有源区、P型上波导层和P型上限制层，该P型上限制层纵向剖面为一脊型结构，脊形结构上部的两侧为整体结构，一侧为增益区，另一侧为吸收区，中间为横向微纳周期结构调谐区，该横向微纳周期结构中包括多个狭槽，一P型欧姆接触层制作在P型上限制层脊型结构上部的上方，一绝缘层，制作在P型上限制层脊型结构下部的上面和脊形结构上部的一侧面；一P型电极，制作在P型上限制层脊形结构的两侧、绝缘层的上面，其中该脊型结构两侧为整体结构部分，一侧为增益区，位于激光器出光端面一侧，另一侧为吸收区，中间为横向微纳周期结构调谐区，紧挨着增益区。
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公开(公告)号：CN102436114A
公开(公告)日：2012-05-02
申请号：CN201110384428.7
申请日：2011-11-28
Applicant: 中国科学院半导体研究所
Abstract: 本发明公开了一种对铁电晶体材料进行极化的极化电极，用于制备出小周期周期性和准周期周期性反转铁电晶体，该极化电极包括：梳状光栅极化电极，具有多个梳状的光栅电极条；以及设置于该梳状光栅极化电极的光栅电极条之间的、宽度小于该光栅电极条间距的条状矩形电极。利用本发明，解决了利用外加电场极化方式来制备小周期周期性和准周期周期性反转铁电晶体材料的问题，实现了对周期小于5μm的小周期周期性和准周期周期性反转铁电晶体材料的周期极化，能够制备出小周期周期性和准周期周期性反转铁电晶体。
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