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公开(公告)号：CN103227416B
公开(公告)日：2015-02-11
申请号：CN201310095986.0
申请日：2013-03-25
Applicant: 中国科学院半导体研究所
Abstract: 一种基于正交微纳周期结构选模的可调谐半导体激光器，包括：一衬底；在该衬底上制作有N型纵向微纳周期结构、N型下波导层、有源区、P型上波导层和P型上限制层，该P型上限制层纵向剖面为一脊型结构，脊形结构上部的两侧为整体结构，一侧为增益区，另一侧为吸收区，中间为横向微纳周期结构调谐区，该横向微纳周期结构中包括多个狭槽，一P型欧姆接触层制作在P型上限制层脊型结构上部的上方，一绝缘层，制作在P型上限制层脊型结构下部的上面和脊形结构上部的一侧面；一P型电极，制作在P型上限制层脊形结构的两侧、绝缘层的上面，其中该脊型结构两侧为整体结构部分，一侧为增益区，位于激光器出光端面一侧，另一侧为吸收区，中间为横向微纳周期结构调谐区，紧挨着增益区。
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公开(公告)号：CN103259188A
公开(公告)日：2013-08-21
申请号：CN201310157583.4
申请日：2013-05-02
Applicant: 中国科学院半导体研究所
Abstract: 一种低发散角单纵模光子晶体边发射激光器，包括：在衬底上依次生长的N型光子晶体波导、N型下波导层、有源区、P型上波导层、P型上限制层，该P型上限制层的纵向剖面为一脊型结构，其上部的一侧为整体结构，另一侧为人工微结构，该人工微结构中包括多个狭槽，一P型欧姆接触层制作在P型上限制层脊型结构上部的上面，一绝缘层制作在P型上限制层脊型结构下部的上面和脊形结构上部的侧面，一P型电极制作在P型上限制层脊形结构的一侧、绝缘层的上面，该P型电极同时还制作在P型欧姆接触层的上面，一N型电极制作在衬底的背面。本发明可以降低制作成本；可以对激光器光场进行调控，降低了垂直发散角，改善了单纵模激光器光束质量，降低整形难度，提高光纤耦合的效率。
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公开(公告)号：CN102436114A
公开(公告)日：2012-05-02
申请号：CN201110384428.7
申请日：2011-11-28
Applicant: 中国科学院半导体研究所
Abstract: 本发明公开了一种对铁电晶体材料进行极化的极化电极，用于制备出小周期周期性和准周期周期性反转铁电晶体，该极化电极包括：梳状光栅极化电极，具有多个梳状的光栅电极条；以及设置于该梳状光栅极化电极的光栅电极条之间的、宽度小于该光栅电极条间距的条状矩形电极。利用本发明，解决了利用外加电场极化方式来制备小周期周期性和准周期周期性反转铁电晶体材料的问题，实现了对周期小于5μm的小周期周期性和准周期周期性反转铁电晶体材料的周期极化，能够制备出小周期周期性和准周期周期性反转铁电晶体。
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公开(公告)号：CN102163638A
公开(公告)日：2011-08-24
申请号：CN201110067715.5
申请日：2011-03-21
Applicant: 中国科学院半导体研究所
IPC: H01L31/06 , H01L31/0352 , H01L31/0216
CPC classification number: Y02E10/50
Abstract: 本发明公开了一种基于刻蚀技术的SIS结太阳能电池，包括：一下电极(10)；一光吸收材料层(20)，该光吸收材料层(20)制作在下电极(10)上；通过刻蚀技术，在光吸收材料层(20)上制作微米尺寸不同周期和深度的一维条型结构或二维柱形结构；一氧化物绝缘层(30)，该氧化物绝缘层(30)通过化学方法氧化光吸收材料层(20)形成；一TCO薄膜层(40)，该TCO薄膜层(40)沉积在氧化物绝缘层(30)上；一上图形电极(50)，该上图形电极(50)制作在TCO薄膜层(40)上；以及一纳米颗粒(60)，该纳米颗粒(60)放置在TCO薄膜层(40)上。利用本发明，解决了目前SIS结太阳能电池转化效率低的问题，达到了提高电池光学吸收和载流子抽取能力的目的。
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公开(公告)号：CN102110595A
公开(公告)日：2011-06-29
申请号：CN201010595707.3
申请日：2010-12-20
Applicant: 中国科学院半导体研究所
CPC classification number: Y02P70/521
Abstract: 本发明公开了一种对InGaAs与GaAs进行低温金属键合的方法，包括：清洗单面抛光的InGaAs外延片，去除表面的有机物；在清洗干净的InGaAs外延片上蒸镀金属层；对该InGaAs外延片进行光刻腐蚀，得到带窄金属条的InGaAs外延片；采用等离子体刻蚀去除InGaAs外延片表面的光刻胶；清洗GaAs外延片，去除表面的有机物；将清洗干净的GaAs外延片与经过等离子体刻蚀的InGaAs外延片进行贴合，得到贴合后的晶片；将该贴合后的晶片对置于真空键合机内进行键合，并进行热处理，以驱除键合界面的水汽；对键合后的晶片进行减薄，并腐蚀掉键合的晶片的GaAs衬底。利用本发明，实现了InGaAs与GaAs的低温金属键合。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN101882638A
公开(公告)日：2010-11-10
申请号：CN201010196135.1
申请日：2010-06-02
Applicant: 中国科学院半导体研究所
IPC: H01L31/042 , H01L31/0256
CPC classification number: Y02E10/50
Abstract: 本发明提供一种基于TCO薄膜和键合技术的太阳能电池，包括：一下电极；一N型材料层，该N型材料层制作在下电极上；一第一TCO薄膜层，该第一TCO薄膜层制作在N型材料层上；一第二TCO薄膜层，该第二TCO薄膜层键合在第一TCO薄膜层上；一P型材料层，该P型材料层制作在第二TCO薄膜层上；一上图形电极，该上图形电极制作在P型材料层上。
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公开(公告)号：CN102684069B
公开(公告)日：2013-11-06
申请号：CN201210174309.3
申请日：2012-05-30
Applicant: 中国科学院半导体研究所
Abstract: 一种基于倏逝场耦合及周期微结构选频混合硅单模激光器，包括：一硅衬底，该硅衬底为单晶硅材料；一二氧化硅层，该二氧化硅层制作在硅衬底之上；一硅波导层，该波导层制作在二氧化硅层之上，该波导层的纵向开有两条空气沟道，两条空气沟道之间为带有周期微结构的脊形条；一键合缓冲层，其制作在硅波导层上的中间，该键合缓冲层的宽度小于硅波导层的宽度，形成脊形条状，该键合缓冲层的两侧形成台面；两条状N型电极，制作在键合缓冲层两侧的台面上；一N型接触层，其制作在键合缓冲层之上；一量子阱有源区，其制作在N型接触层之上；一P型接触层，其制作在量子阱有源区之上；一P型盖层，其制作在P型接触层之上；一条状P型电极制作在P型盖层之上。
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公开(公告)号：CN102520561A
公开(公告)日：2012-06-27
申请号：CN201110431555.8
申请日：2011-12-21
Applicant: 中国科学院半导体研究所
Abstract: 本发明公开了一种大厚度周期极化铁电晶体材料的制备方法，包括：在铁电晶体材料的+z面蒸镀透明电极；将该蒸镀有透明电极的铁电晶体材料的+z面与另一铁电晶体材料的+z面进行键合，得到复合铁电晶体；在该复合铁电晶体上下两面均蒸镀金属电极，然后对蒸镀金属电极的复合铁电晶体进行极化，得到大厚度周期极化铁电晶体材料。利用本发明，可制备出大厚度周期极化铁电晶体材料。
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公开(公告)号：CN102436114B
公开(公告)日：2014-05-28
申请号：CN201110384428.7
申请日：2011-11-28
Applicant: 中国科学院半导体研究所
Abstract: 本发明公开了一种对铁电晶体材料进行极化的极化电极，用于制备出小周期周期性和准周期周期性反转铁电晶体，该极化电极包括：梳状光栅极化电极，具有多个梳状的光栅电极条；以及设置于该梳状光栅极化电极的光栅电极条之间的、宽度小于该光栅电极条间距的条状矩形电极。利用本发明，解决了利用外加电场极化方式来制备小周期周期性和准周期周期性反转铁电晶体材料的问题，实现了对周期小于5μm的小周期周期性和准周期周期性反转铁电晶体材料的周期极化，能够制备出小周期周期性和准周期周期性反转铁电晶体。
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