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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN117913664A
公开(公告)日：2024-04-19
申请号：CN202211243687.2
申请日：2022-10-11
Applicant: 中国科学院半导体研究所
Abstract: 本公开实施例提供了一种等光程半导体激光合束结构和多单管光谱合束结构，等光程半导体激光合束结构包括：至少一个激光芯片(10)，按照预设角度相对于光纤(40)对称设置，其光斑沿快轴方向排列，与光纤(40)之间的光程相等；快轴聚焦镜(20)和慢轴聚焦镜(30)，依次设于激光芯片(10)和光纤(40)之间的光路上，用于进行快轴和慢轴方向的激光聚焦；光纤(40)，设于至少一个激光芯片(10)的对称轴上，用于接收聚焦后的激光光束。该等光程半导体激光合束结构可以均衡输出激光两个方向的光斑尺寸和光束质量，更易进行光束整形、耦合进光纤(40)。多单管光谱合束结构与等光程半导体激光合束结构的合束结构类似，可实现相同的技术效果。
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公开(公告)号：CN103825194B
公开(公告)日：2016-04-27
申请号：CN201410083323.1
申请日：2014-03-07
Applicant: 中国科学院半导体研究所
Abstract: 一种单模光子晶体边发射半导体激光器，包括一叠层结构，所述叠层结构包括：一下电极；一N型衬底制作在该下电极上；一N型限制层制作在该N型衬底上；一有源层制作在该N型限制层上；一P型限制层，其中间为沿纵向凸起的三段式波导，该三段式波导的两侧为相对的锥形波导，之间为光子晶体波导，其制作在该有源层之上；一P型盖层，其制作在该P型限制层上的三段式波导的上面；一SiO2绝缘层，其制作在P型限制层上的三段式波导的侧壁上，并覆盖P型限制层的上面，形成基片；以及一上电极，其制作在基片除了侧壁的上面。本发明通过光子晶体波导选择激光器的纵模和侧模，并利用对称双锥形结构放大激光功率，实现高功率、单模、低水平发散角激光输出的目的。
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公开(公告)号：CN103904556A
公开(公告)日：2014-07-02
申请号：CN201410112845.X
申请日：2014-03-25
Applicant: 中国科学院半导体研究所
IPC: H01S5/22
Abstract: 本发明公开了一种斜侧壁倾斜波导光子晶体半导体激光器，包括：叠层结构，该叠层结构包括：N型衬底；形成于N型衬底下表面的下电极；形成于N型衬底上表面的N型限制层；形成于N型限制层之上的光子晶体；形成于光子晶体之上的有源层；形成于有源层之上的P型限制层；及形成于P型限制层之上的P型盖层；从叠层结构表面对叠层结构进行刻蚀于叠层结构上部中间位置形成的端面为正梯形的脊型结构；于具有脊型结构的叠层结构之上形成的SiO2绝缘层；以及去除脊型结构上表面的SiO2绝缘层并于露出的P型盖层之上及未被去除的SiO2绝缘层表面形成的上电极。利用本发明可以降低窄垂直发散角光子晶体半导体激光器的制作成本，提高激光器的综合性能。
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公开(公告)号：CN103825194A
公开(公告)日：2014-05-28
申请号：CN201410083323.1
申请日：2014-03-07
Applicant: 中国科学院半导体研究所
Abstract: 一种单模光子晶体边发射半导体激光器，包括一叠层结构，所述叠层结构包括：一下电极；一N型衬底制作在该下电极上；一N型限制层制作在该N型衬底上；一有源层制作在该N型限制层上；一P型限制层，其中间为沿纵向凸起的三段式波导，该三段式波导的两侧为相对的锥形波导，之间为光子晶体波导，其制作在该有源层之上；一P型盖层，其制作在该P型限制层上的三段式波导的上面；一SiO2绝缘层，其制作在P型限制层上的三段式波导的侧壁上，并覆盖P型限制层的上面，形成基片；以及一上电极，其制作在基片除了侧壁的上面。本发明通过光子晶体波导选择激光器的纵模和侧模，并利用对称双锥形结构放大激光功率，实现高功率、单模、低水平发散角激光输出的目的。
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公开(公告)号：CN103904556B
公开(公告)日：2016-09-14
申请号：CN201410112845.X
申请日：2014-03-25
Applicant: 中国科学院半导体研究所
IPC: H01S5/22
Abstract: 本发明公开了一种斜侧壁倾斜波导光子晶体半导体激光器，包括：叠层结构，该叠层结构包括：N型衬底；形成于N型衬底下表面的下电极；形成于N型衬底上表面的N型限制层；形成于N型限制层之上的光子晶体；形成于光子晶体之上的有源层；形成于有源层之上的P型限制层；及形成于P型限制层之上的P型盖层；从叠层结构表面对叠层结构进行刻蚀于叠层结构上部中间位置形成的端面为正梯形的脊型结构；于具有脊型结构的叠层结构之上形成的SiO2绝缘层；以及去除脊型结构上表面的SiO2绝缘层并于露出的P型盖层之上及未被去除的SiO2绝缘层表面形成的上电极。利用本发明可以降低窄垂直发散角光子晶体半导体激光器的制作成本，提高激光器的综合性能。
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