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公开(公告)号：CN103579404A
公开(公告)日：2014-02-12
申请号：CN201310585523.2
申请日：2013-11-19
Applicant: 中国科学院半导体研究所
IPC: H01L31/075 , H01L31/0224 , H01L31/20
CPC classification number: Y02E10/50 , Y02P70/521 , H01L31/035227 , H01L31/022441 , H01L31/182
Abstract: 本发明公开了一种硅纳米线薄膜电池及其制备方法。电池包括衬底(1)和形成在衬底(1)上的硅纳米线层(2)，硅纳米线层(2)由多个长度方向垂直于衬底(1)表面的硅纳米线构成，在每个硅纳米线的外侧依次形成有背电极薄膜层(2a)、掺杂型硅薄膜层(2b)、活性层硅薄膜(3)、掺杂型硅薄膜(4)和透明导电膜(5)。本发明能获得具有很好陷光效果及真正实现载流子径向收集，进而提高转换效率的硅纳米线薄膜电池，同时电池的制备过程简便易行，具有低成本可规模化生产的优点。
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公开(公告)号：CN102157614A
公开(公告)日：2011-08-17
申请号：CN201110028237.7
申请日：2011-01-26
Applicant: 中国科学院半导体研究所
CPC classification number: Y02P70/521
Abstract: 本发明公开了一种改进非晶硅/微晶硅叠层太阳电池性能的方法，该方法通过在非晶硅/微晶硅叠层太阳电池顶电池与底电池之间n/p界面处插入p型非晶硅复合层实现，是在顶电池的n层为非晶硅、底电池p层为纳米硅的叠层电池的在n/p界面处插入p型非晶硅复合层。利用本发明，能减少叠层电池隧穿复合结处的损失，实验结果表明叠层电池的开压等于子电池的开压之和，说明隧穿复合结处没有产生光生载流子的积累。同时调节p型非晶硅复合层的硼烷气体掺杂比和生长时间的方法具有简单易行的优点，便于应用到产业化工艺中。
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公开(公告)号：CN101398453B
公开(公告)日：2010-12-22
申请号：CN200710122477.7
申请日：2007-09-26
Applicant: 中国科学院半导体研究所
IPC: G01R31/00 , G01R31/265 , G01R1/02
Abstract: 一种单光路量子效率测试系统，包括：一卤钨灯光源、一凸透镜、一光斩波器；一单色仪，卤钨灯光源、凸透镜和光斩波器位于该单色仪输入光入口的光路上；一锁相放大器，其频率参考输入端与光斩波器斩波频路输出端连接；一计算机负责控制和处理台单色仪和锁相放大器的数据，使单色仪与锁相放大器协调工作；一转动式样品定位器位于单色仪输出光出口的光路上，并与锁相放大器通过线缆连接，转动式样品定位器可通过旋转动作使样品和标准探测器处于光路的同一位置；一组偏置光源位于单色仪输出光出口的光路上的周围，该偏置光源将偏置光照射到待测样品表面，起短路样品的非测量子电池的作用。
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公开(公告)号：CN101656274A
公开(公告)日：2010-02-24
申请号：CN200810118736.3
申请日：2008-08-20
Applicant: 中国科学院半导体研究所
IPC: H01L31/18
CPC classification number: Y02P70/521
Abstract: 本发明公开了一种提高非晶硅薄膜太阳能电池开路电压的方法，该方法包括：在不透明衬底上，采用等离子体辅助化学气相沉积技术依次生长N型层、本征层和P型层，其中，P型层又分为P层和P + 层；在生长P层时，将P层的生长时间延长t秒，在P层生长完毕后，保持氢气流量、温度和辉光功率不变，采用氢等离子体刻蚀方法对P层刻蚀t秒，接着生长P + 层；电池从反应室取出后，用磁控溅射生长ITO透明电极。利用本发明，处理过程简便易行，既能够有效提高非晶硅薄膜太阳能电池的开路电压，得到大面积高开压的非晶硅薄膜太阳能电池，同时又具有成本低，可规模化生产的优点。
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公开(公告)号：CN103489941A
公开(公告)日：2014-01-01
申请号：CN201310459476.7
申请日：2013-09-25
Applicant: 中国科学院半导体研究所
IPC: H01L31/0352 , H01L31/04 , H01L31/18 , B82Y40/00
CPC classification number: Y02E10/50 , Y02P70/521 , H01L31/1804 , B82Y40/00 , H01L31/035227
Abstract: 本发明公开了一种硅纳米线阵列结构硅薄膜太阳电池及其制备方法，该硅纳米线阵列结构包括形成在衬底上的多个硅纳米线，所述衬底的表面在形成硅纳米线之前具有作为催化剂的金属薄膜，但在形成硅纳米线之后不具备所述金属薄膜的金属。所述方法包括在衬底上形成了硅纳米线之后，将其放入一定浓度的酸溶液中，清除硅纳米线顶端的金属。利用本发明，硅纳米线阵列结构硅薄膜太阳电池开路电压得到明显改进，电池转换效率有较大提高，对太阳电池的生产和推广使用具有重要意义。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN101814557B
公开(公告)日：2011-08-17
申请号：CN200910078560.8
申请日：2009-02-25
Applicant: 中国科学院半导体研究所
IPC: H01L31/20
CPC classification number: Y02P70/521
Abstract: 本发明一种硅基薄膜叠层电池隧道结的制作方法，其特征在于，包括如下步骤：步骤1：在不锈钢衬底上，利用等离子体辅助化学气相沉积技术在反应室中依次生长P型层、复合层和N型层，形成隧道结；步骤2：将隧道结在反应室内降至室温，取出；步骤3：用磁控溅射的方法，在隧道结的N型层上生长ITO透明电极。与传统隧道结相比，新型隧道结的整流特性小、电阻小、更加接近欧姆接触。
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公开(公告)号：CN101656274B
公开(公告)日：2011-04-13
申请号：CN200810118736.3
申请日：2008-08-20
Applicant: 中国科学院半导体研究所
IPC: H01L31/18
CPC classification number: Y02P70/521
Abstract: 本发明公开了一种提高非晶硅薄膜太阳能电池开路电压的方法，该方法包括：在不透明衬底上，采用等离子体辅助化学气相沉积技术依次生长N型层、本征层和P型层，其中，P型层又分为P层和P+层；在生长P层时，将P层的生长时间延长t秒，在P层生长完毕后，保持氢气流量、温度和辉光功率不变，采用氢等离子体刻蚀方法对P层刻蚀t秒，接着生长P+层；电池从反应室取出后，用磁控溅射生长ITO透明电极。利用本发明，处理过程简便易行，既能够有效提高非晶硅薄膜太阳能电池的开路电压，得到大面积高开压的非晶硅薄膜太阳能电池，同时又具有成本低，可规模化生产的优点。
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公开(公告)号：CN101814557A
公开(公告)日：2010-08-25
申请号：CN200910078560.8
申请日：2009-02-25
Applicant: 中国科学院半导体研究所
IPC: H01L31/20
CPC classification number: Y02P70/521
Abstract: 本发明一种硅基薄膜叠层电池隧道结的制作方法，其特征在于，包括如下步骤：步骤1：在不锈钢衬底上，利用等离子体辅助化学气相沉积技术在反应室中依次生长P型层、复合层和N型层，形成隧道结；步骤2：将隧道结在反应室内降至室温，取出；步骤3：用磁控溅射的方法，在隧道结的N型层上生长ITO透明电极。与传统隧道结相比，新型隧道结的整流特性小、电阻小、更加接近欧姆接触。
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公开(公告)号：CN103794680B
公开(公告)日：2016-04-20
申请号：CN201410043904.2
申请日：2014-01-29
Applicant: 中国科学院半导体研究所
IPC: H01L31/18
CPC classification number: Y02P70/521
Abstract: 本发明提出一种改善硅纳米线太阳能电池性能的方法，包括：S1、将硅纳米线太阳能电池和导电金属网置于电解液中，并将该硅纳米线太阳能电池和该导电金属网分别连接至稳压直流电源的负极和正极；S2、打开所述稳压直流电源的同时用光照射所述硅纳米线太阳能电池，并持续一个预定时间；S3、从所述电解液中取出所述硅纳米线太阳能电池，并进行清洗。本发明能够提高硅纳米线太阳能电池的效率，且工艺简单、成本低廉。
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公开(公告)号：CN102157614B
公开(公告)日：2013-01-30
申请号：CN201110028237.7
申请日：2011-01-26
Applicant: 中国科学院半导体研究所
CPC classification number: Y02P70/521
Abstract: 本发明公开了一种改进非晶硅/微晶硅叠层太阳电池性能的方法，该方法通过在非晶硅/微晶硅叠层太阳电池顶电池与底电池之间n/p界面处插入p型非晶硅复合层实现，是在顶电池的n层为非晶硅、底电池p层为纳米硅的叠层电池的在n/p界面处插入p型非晶硅复合层。利用本发明，能减少叠层电池隧穿复合结处的损失，实验结果表明叠层电池的开压等于子电池的开压之和，说明隧穿复合结处没有产生光生载流子的积累。同时调节p型非晶硅复合层的硼烷气体掺杂比和生长时间的方法具有简单易行的优点，便于应用到产业化工艺中。
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