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公开(公告)号：CN111762755A
公开(公告)日：2020-10-13
申请号：CN202010672178.6
申请日：2020-07-13
Applicant: 中国科学院半导体研究所
Abstract: 一种窄禁带半导体/超导体异质结纳米线的制备方法，包括：将衬底(10)放置于制备设备中，在衬底表面生长半导体纳米线(11)，以半导体纳米线(11)为内核，在半导体纳米线(11)的侧壁上原位外延生长窄禁带半导体纳米线壳层(12)，在窄禁带半导体纳米线壳层(12)表面原位外延生长超导体层(13)。该方法制备的窄禁带半导体/超导体异质结纳米线具有高的晶体质量，异质结界面可达原子级平整。
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公开(公告)号：CN108535822A
公开(公告)日：2018-09-14
申请号：CN201810293395.7
申请日：2018-04-03
Applicant: 中国科学院半导体研究所
IPC: G02B6/42
Abstract: 本发明提供了光波导转向耦合结构组合体和光波导转向对准监控系统。光波导转向耦合结构组合体包括：光波导结构，其包括第一覆盖区域、光波导区域、第二覆盖区域，通过第一覆盖区域和第二覆盖区域与光波导区域的配合使光场被限制在光波导区域传输；转向组合体结构，其与光波导结构的输出端面相连，基于转向导光的组合方式使来自光波导结构的光场的传播方向转向。通过光波导转向耦合结构组合体形成为一体，使光场分布集中，由此降低了个体结构间及整体的光损耗，从而提高了光耦合效率，增大了设计灵活性，改善了光波导转向耦合结构的性能。
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公开(公告)号：CN106848016A
公开(公告)日：2017-06-13
申请号：CN201710222145.X
申请日：2017-04-06
Applicant: 中国科学院半导体研究所
Abstract: 一种GaN基多孔DBR的制备方法，包括如下步骤：步骤1：在一衬底上依次生长缓冲层、n型GaN导电层、交替堆叠的n型高掺杂层和非掺杂层，该交替堆叠的n型高掺杂层和非掺杂层构成多周期的氮化物外延结构；步骤2：在氮化物外延结构的上表面沉积绝缘介质层；步骤3：通过光刻、腐蚀在绝缘介质层的上表面的一侧形成电极窗口，同时在电极窗口以外区域形成凹槽；步骤4：采用干法刻蚀技术向下刻蚀电极窗口形成电极台面，同时向下刻蚀凹槽以暴露氮化物外延结构的侧壁形成腐蚀凹槽；步骤5：对暴露侧壁的氮化物外延结构进行电化学腐蚀，形成周期性的多孔DBR；步骤6：利用湿法腐蚀去除绝缘介质层，完成制备。
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公开(公告)号：CN103825194B
公开(公告)日：2016-04-27
申请号：CN201410083323.1
申请日：2014-03-07
Applicant: 中国科学院半导体研究所
Abstract: 一种单模光子晶体边发射半导体激光器，包括一叠层结构，所述叠层结构包括：一下电极；一N型衬底制作在该下电极上；一N型限制层制作在该N型衬底上；一有源层制作在该N型限制层上；一P型限制层，其中间为沿纵向凸起的三段式波导，该三段式波导的两侧为相对的锥形波导，之间为光子晶体波导，其制作在该有源层之上；一P型盖层，其制作在该P型限制层上的三段式波导的上面；一SiO2绝缘层，其制作在P型限制层上的三段式波导的侧壁上，并覆盖P型限制层的上面，形成基片；以及一上电极，其制作在基片除了侧壁的上面。本发明通过光子晶体波导选择激光器的纵模和侧模，并利用对称双锥形结构放大激光功率，实现高功率、单模、低水平发散角激光输出的目的。
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公开(公告)号：CN103166108B
公开(公告)日：2016-01-20
申请号：CN201310082285.3
申请日：2013-03-15
Applicant: 中国科学院半导体研究所
IPC: H01S5/22
Abstract: 本发明公开了一种用于改善边发射激光器二维远场形貌的光子晶体复合波导装置，该结构由平行于异质节方向的脊波导结构和垂直于异质节方向非对称的光子晶体结构组合构成，两者结合来实现激光器的低发散角和圆斑输出。垂直方向结构从下至上依次为：n型衬底、n型光子晶体波导、有源层、p型限制层和p型盖层，所述n型光子晶体波导由高、低折射率的材料交替生长形成。基于光子晶体对光子态的调控作用，使得不同的模式场具有不同的光场分布，并且具有空间上的可区分性，使得低阶模的模式增益最大，从而实现低阶模的稳定激射。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN104966984A
公开(公告)日：2015-10-07
申请号：CN201510367675.4
申请日：2015-06-29
Applicant: 中国科学院半导体研究所
Abstract: 一种锁模光子晶体半导体激光直接倍频产生短波长激光装置，包括：一锁模光子晶体半导体激光器和与之连接的一倍频晶体；其中，锁模光子晶体半导体激光器为叠层结构，包括：一N型衬底；一下电极，其制作在N型衬底的下表面；一N型限制层，其制作在N型衬底的上表面；一光子晶体，其制作在N型限制层上；一有源层，其制作在光子晶体上；一P型限制层，其制作在有源层上，该P型限制层的中间有一条状凸起为脊型结构；一P型盖层，其制作在P型限制层的脊型结构上，在该脊型结构上的P型盖层中间开有一绝缘槽；一电绝缘层，其制作在脊型结构两侧的该P型限制层上以及绝缘槽内的P型限制层上；以及一上电极，其制作在P型盖层上。
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公开(公告)号：CN103259188B
公开(公告)日：2015-06-24
申请号：CN201310157583.4
申请日：2013-05-02
Applicant: 中国科学院半导体研究所
Abstract: 一种低发散角单纵模光子晶体边发射激光器，包括：在衬底上依次生长的N型光子晶体波导、N型下波导层、有源区、P型上波导层、P型上限制层，该P型上限制层的纵向剖面为一脊型结构，其上部的一侧为整体结构，另一侧为人工微结构，该人工微结构中包括多个狭槽，一P型欧姆接触层制作在P型上限制层脊型结构上部的上面，一绝缘层制作在P型上限制层脊型结构下部的上面和脊形结构上部的侧面，一P型电极制作在P型上限制层脊形结构的一侧、绝缘层的上面，该P型电极同时还制作在P型欧姆接触层的上面，一N型电极制作在衬底的背面。本发明可以降低制作成本；可以对激光器光场进行调控，降低了垂直发散角，改善了单纵模激光器光束质量，降低整形难度，提高光纤耦合的效率。
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公开(公告)号：CN103346478A
公开(公告)日：2013-10-09
申请号：CN201310233361.6
申请日：2013-06-13
Applicant: 中国科学院半导体研究所
IPC: H01S5/22
Abstract: 本发明提供了一种镓锑基中红外圆斑输出低发散角边发射光子晶体激光器，包括：n型衬底；沉积于n型衬底背面的n型电极；依次沉积于n型衬底正面的一维光子晶体、下波导层、有源层、上波导层、p型盖层、脊形条波导和p型电极。其中，脊形条波导、p型盖层、上波导层、有源层、下波导层、一维光子晶体构成P-N结，一维光子晶体的交替生长方向垂直于该P-N结的方向，脊形条波导的方向平行于该P-N结方向，脊形条波导和一维光子晶体形成非对称光子晶体复合波导。本发明将一维光子晶体引入脊形条波导激光器中，其可以对垂直于P-N结方向的模式进行调控，从而增加了基模的光场面积，减小了该方向的基模远场发散角。
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公开(公告)号：CN103326244A
公开(公告)日：2013-09-25
申请号：CN201310242803.3
申请日：2013-06-19
Applicant: 中国科学院半导体研究所
IPC: H01S5/40
Abstract: 本发明涉及半导体光电子器件技术领域，公开了一种实现高亮度水平远场单瓣分布的光子晶体激光器阵列。该阵列利用光子晶体对激光器阵列输出的模式进行相位调制，产生高亮度且水平远场单瓣分布的激光输出。该阵列包含三个部分：模式耦合区、光子晶体区和发射区。模式耦合区产生稳定的反相模式，经过光子晶体区的调制而转换成同相位分布的模式，转换后的模式在发射区输出一个窄发散角的单瓣远场图案。所述模式耦合区、光子晶体区和发射区的波导均通过传统光电子普通光刻及刻蚀工艺完成。利用本发明可有效解决半导体边发射激光器阵列输出功率过高时出现的水平方向远场双瓣分布、发散角大的缺点，产生高亮度的激光。预期激光亮度将提高一个数量级。
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公开(公告)号：CN103219650A
公开(公告)日：2013-07-24
申请号：CN201310106019.X
申请日：2013-03-29
Applicant: 中国科学院半导体研究所
IPC: H01S5/22
Abstract: 本发明公开了一种低发散角近衍射极限输出啁啾光子晶体边发射激光器阵列，包括：N型衬底；形成于该N型衬底之上的N型缓冲层；形成于该N型缓冲层之上的N型啁啾光子晶体波导；形成于该N型啁啾光子晶体波导之上的有源层；形成于该有源层之上的P型限制层；以及形成于该P型限制层之上的P型盖层；其中，对该P型盖层和该P型限制层进行刻蚀在该激光器阵列表面形成一个宽度呈啁啾变化的脊形波导阵列，该脊形波导阵列位于该激光器阵列表面中间部分的是电流注入区，位于该电流注入区两侧的是第一无源损耗区和第二无源损耗区。利用本发明，可在提高边激光器输出功率的同时，降低发散角并滤除高阶模式，实现高功率低发散角近衍射极限激光输出。
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