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公开(公告)号：CN108535822A
公开(公告)日：2018-09-14
申请号：CN201810293395.7
申请日：2018-04-03
Applicant: 中国科学院半导体研究所
IPC: G02B6/42
Abstract: 本发明提供了光波导转向耦合结构组合体和光波导转向对准监控系统。光波导转向耦合结构组合体包括：光波导结构，其包括第一覆盖区域、光波导区域、第二覆盖区域，通过第一覆盖区域和第二覆盖区域与光波导区域的配合使光场被限制在光波导区域传输；转向组合体结构，其与光波导结构的输出端面相连，基于转向导光的组合方式使来自光波导结构的光场的传播方向转向。通过光波导转向耦合结构组合体形成为一体，使光场分布集中，由此降低了个体结构间及整体的光损耗，从而提高了光耦合效率，增大了设计灵活性，改善了光波导转向耦合结构的性能。
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公开(公告)号：CN108508635B
公开(公告)日：2020-08-25
申请号：CN201810318367.6
申请日：2018-04-10
Applicant: 中国科学院半导体研究所
Abstract: 本发明提供了一种基于SiGe材料的电调谐有源波导结构、以及MZI结构，属于硅基光电子器件领域。基于SiGe材料的电调谐有源波导结构，为脊形波导结构，从波导结构底部向上依次包括：Si衬底、SiO2掩埋层、第一接触区、有源区及第二接触区，有源区位于第一接触区和第二接触区的中央区域，在有源区从下到上层叠有SiGe本征区和Ge/SiGe量子阱本征区，经由第一接触区和第二接触区对有源区施加垂直电场。由此，QCSE效应与FK效应相结合，不仅使材料吸收带边移动叠加从而材料在特定波长下的吸收系数和折射率改变，而且获得线性的吸收特性曲线，因而，提升了器件的调制效率、器件的工作速度、补偿了调制的线性度、降低了器件的功耗、缩减了器件的尺寸。
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公开(公告)号：CN108318968A
公开(公告)日：2018-07-24
申请号：CN201810293462.5
申请日：2018-04-03
Applicant: 中国科学院半导体研究所
CPC classification number: G02B6/122 , G02B6/12 , G02B6/125 , G02B6/136 , G02B2006/12035 , G02B2006/12038 , G02B2006/12061 , G02B2006/12159 , G02B2006/12176
Abstract: 本发明提供了一种缝槽型波导结构及其制造方法、和使用缝槽型波导结构的MZI(Mach-Zehnder Interference：马赫曾德尔干涉)结构，通过在沿光传播方向延伸的缝槽状低折射率波导的两侧分别设置高折射率波导来构成缝槽型波导结构，其中利用低高折射率波导间的边界限定而使所传输的光信号被限制在低折射率波导中，从而降低了光信号在波导结构中的散射和吸收，降低了光信号在波导结构的传输损耗，由此可以降低移相臂的波导结构间的损耗差值大所导致的MZI结构的滤波器的输出信号损耗和串扰。另外，缝槽型波导结构和MZI结构可以采用与CMOS兼容的微纳加工工艺实现，可以应用于滤波器、波分复用等领域。
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公开(公告)号：CN108508635A
公开(公告)日：2018-09-07
申请号：CN201810318367.6
申请日：2018-04-10
Applicant: 中国科学院半导体研究所
Abstract: 本发明提供了一种基于SiGe材料的电调谐有源波导结构、以及MZI结构，属于硅基光电子器件领域。基于SiGe材料的电调谐有源波导结构，为脊形波导结构，从波导结构底部向上依次包括：Si衬底、SiO2掩埋层、第一接触区、有源区及第二接触区，有源区位于第一接触区和第二接触区的中央区域，在有源区从下到上层叠有SiGe本征区和Ge/SiGe量子阱本征区，经由第一接触区和第二接触区对有源区施加垂直电场。由此，QCSE效应与FK效应相结合，不仅使材料吸收带边移动叠加从而材料在特定波长下的吸收系数和折射率改变，而且获得线性的吸收特性曲线，因而，提升了器件的调制效率、器件的工作速度、补偿了调制的线性度、降低了器件的功耗、缩减了器件的尺寸。
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