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公开(公告)号：CN102723400A
公开(公告)日：2012-10-10
申请号：CN201110458268.6
申请日：2011-12-31
Applicant: 中国科学院半导体研究所
IPC: H01L31/18
CPC classification number: Y02P70/521
Abstract: 一种在SrTiO3衬底上调控多铁铁酸铋外延薄膜带隙的方法，包括如下步骤：1)选择一钛酸锶衬底；2)在SrTiO3衬底上生长一种富Bi组分的BiFeO3外延薄膜；3)控制BiFeO3外延薄膜中Bi与Fe的原子百分比，调节BiFeO3外延薄膜与SrTiO3衬底的晶格失配度；4)控制生长富Bi组分的BiFeO3外延薄膜的厚度，调节BiFeO3外延薄膜的面内双轴应力。
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公开(公告)号：CN101709456A
公开(公告)日：2010-05-19
申请号：CN200910242346.1
申请日：2009-12-09
Applicant: 中国科学院半导体研究所
Abstract: 一种利用磁控溅射在石墨衬底上生长多晶硅薄膜的方法，包括如下步骤：步骤1：选择一石墨衬底，将石墨衬底抛光；步骤2：在磁控溅射室里，将抛光的石墨衬底磁控溅射多晶硅薄膜；步骤3：溅射结束后自然降温，形成样品；步骤4：将样品置于快速热退火炉里，快速退火，完成多晶硅薄膜的制作。
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公开(公告)号：CN102520377A
公开(公告)日：2012-06-27
申请号：CN201110459389.2
申请日：2011-12-31
Applicant: 中国科学院半导体研究所
Abstract: 一种增强型半导体-金属复合结构磁场传感器，包括：一绝缘衬底；一半导体材料层，为条状结构，制作在绝缘衬底上；两条金属电流引线，制作在绝缘衬底上，其一端与半导体材料层的一侧连接；两条金属电压引线，制作在绝缘衬底上，其一端与半导体材料层的一侧连接，并位于两条金属电流引线之间；一金属分流器，制作在绝缘衬底上，位于半导体材料层的一侧并与之连接；一绝缘层，制作在半导体材料层上；一永磁层，制作在绝缘保护层上，该永磁层具有垂直磁各向异性；一保护层制作在永磁层上。
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公开(公告)号：CN101740358A
公开(公告)日：2010-06-16
申请号：CN200910241692.8
申请日：2009-12-02
Applicant: 中国科学院半导体研究所
CPC classification number: Y02P70/521
Abstract: 一种在玻璃衬底上制备P型多晶硅薄膜的方法，其特征在于包括如下步骤：步骤1：在普通玻璃衬底上用磁控溅射沉积制作铝薄膜，形成样品；步骤2：将样品在空气中暴露以制作氧化膜；步骤3：将制作有氧化膜样品的表面利用磁控溅射沉积非晶硅薄膜；步骤4：利用快速热处理设备，将制作有非晶硅薄膜的样品进行退火处理，完成多晶硅薄膜的制作。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN101398453A
公开(公告)日：2009-04-01
申请号：CN200710122477.7
申请日：2007-09-26
Applicant: 中国科学院半导体研究所
IPC: G01R31/00 , G01R31/265 , G01R1/02
Abstract: 一种单光路量子效率测试系统，包括：一卤钨灯光源、一凸透镜、一光斩波器；一单色仪，卤钨灯光源、凸透镜和光斩波器位于该单色仪输入光入口的光路上；一锁相放大器，其频率参考输入端与光斩波器斩波频路输出端连接；一计算机负责控制和处理台单色仪和锁相放大器的数据，使单色仪与锁相放大器协调工作；一转动式样品定位器位于单色仪输出光出口的光路上，并与锁相放大器通过线缆连接，转动式样品定位器可通过旋转动作使样品和标准探测器处于光路的同一位置；一组偏置光源位于单色仪输出光出口的光路上的周围，该偏置光源将偏置光照射到待测样品表面，起短路样品的非测量子电池的作用。
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公开(公告)号：CN102520377B
公开(公告)日：2013-11-06
申请号：CN201110459389.2
申请日：2011-12-31
Applicant: 中国科学院半导体研究所
Abstract: 一种增强型半导体-金属复合结构磁场传感器，包括：一绝缘衬底；一半导体材料层，为条状结构，制作在绝缘衬底上；两条金属电流引线，制作在绝缘衬底上，其一端与半导体材料层的一侧连接；两条金属电压引线，制作在绝缘衬底上，其一端与半导体材料层的一侧连接，并位于两条金属电流引线之间；一金属分流器，制作在绝缘衬底上，位于半导体材料层的一侧并与之连接；一绝缘层，制作在半导体材料层上；一永磁层，制作在绝缘层上，该永磁层具有垂直磁各向异性；一保护层制作在永磁层上。
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公开(公告)号：CN101814538B
公开(公告)日：2011-09-28
申请号：CN200910078559.5
申请日：2009-02-25
Applicant: 中国科学院半导体研究所
IPC: H01L31/042 , H01L31/18
CPC classification number: Y02E10/50 , Y02P70/521
Abstract: 本发明一种单片集成的微型太阳电池阵列，其中包括：一衬底；掺杂层，该掺杂层生长在衬底的上面的两侧；一太阳电池功能层，生长在掺杂层的上面；一帽子层，生长在太阳电池功能层的上面，该帽子层的面积小于太阳电池功能层的面积，与太阳电池功能层一侧端对齐；一下绝缘填充层，填充在掺杂层之间，且覆盖于太阳电池功能层的一端及帽子层一端和部分表面；一金属遮光层，生长于下绝缘填充层中间之上，其面积小于下绝缘填充层的面积；一上绝缘填充层，覆盖于下绝缘填充层和金属遮光层；一金属电极，生长于一侧的掺杂层之上，且覆盖于上绝缘填充层及大部分帽子层的上表面。
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公开(公告)号：CN101398453B
公开(公告)日：2010-12-22
申请号：CN200710122477.7
申请日：2007-09-26
Applicant: 中国科学院半导体研究所
IPC: G01R31/00 , G01R31/265 , G01R1/02
Abstract: 一种单光路量子效率测试系统，包括：一卤钨灯光源、一凸透镜、一光斩波器；一单色仪，卤钨灯光源、凸透镜和光斩波器位于该单色仪输入光入口的光路上；一锁相放大器，其频率参考输入端与光斩波器斩波频路输出端连接；一计算机负责控制和处理台单色仪和锁相放大器的数据，使单色仪与锁相放大器协调工作；一转动式样品定位器位于单色仪输出光出口的光路上，并与锁相放大器通过线缆连接，转动式样品定位器可通过旋转动作使样品和标准探测器处于光路的同一位置；一组偏置光源位于单色仪输出光出口的光路上的周围，该偏置光源将偏置光照射到待测样品表面，起短路样品的非测量子电池的作用。
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公开(公告)号：CN101814538A
公开(公告)日：2010-08-25
申请号：CN200910078559.5
申请日：2009-02-25
Applicant: 中国科学院半导体研究所
IPC: H01L31/042 , H01L31/18
CPC classification number: Y02E10/50 , Y02P70/521
Abstract: 本发明一种单片集成的微型太阳电池阵列，其中包括：一衬底；掺杂层，该掺杂层生长在衬底的上面的两侧；一太阳电池功能层，生长在掺杂层的上面；一帽子层，生长在太阳电池功能层的上面，该帽子层的面积小于太阳电池功能层的面积，与太阳电池功能层一侧端对齐；一下绝缘填充层，填充在掺杂层之间，且覆盖于太阳电池功能层的一端及帽子层一端和部分表面；一金属遮光层，生长于下绝缘填充层中间之上，其面积小于下绝缘填充层的面积；一上绝缘填充层，覆盖于下绝缘填充层和金属遮光层；一金属电极，生长于一侧的掺杂层之上，且覆盖于上绝缘填充层及大部分帽子层的上表面。
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