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公开(公告)号：CN105405938B
公开(公告)日：2018-06-19
申请号：CN201511006149.1
申请日：2015-12-29
Applicant: 中国科学院半导体研究所
Abstract: 本发明公开了一种可见光通信用单芯片白光LED，所述LED包括：衬底；缓冲层，形成于所述衬底的上表面；n型半导体层，形成于所述缓冲层的上表面，所述n型半导体层的一侧向下形成有台面，所述台面的深度小于所述n型半导体层的厚度；复合发光区，形成于所述n型半导体层除台面外的上表面；p型半导体层，形成于所述复合发光区的上表面；透明导电层，形成于所述p型半导体层的上表面；p电极和n电极，分别形成于所述透明导电层和n型半导体层的一侧台面上。本发明还提供一种可见光通信用单芯片白光LED的制备方法。根据本发明可以得到一种高光效、高带宽的双波段可见光通信用单芯片白光光源。
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公开(公告)号：CN107135570A
公开(公告)日：2017-09-05
申请号：CN201710252486.1
申请日：2017-04-18
Applicant: 中国科学院半导体研究所
IPC: H05B33/08 , H04B10/116 , H04B10/50
CPC classification number: Y02B20/343 , H05B33/08 , H04B10/116 , H04B10/502
Abstract: 一种调制带宽可调的可见光通信LED光源，包括：一可见光通信用的LED器件、一隔直流电容和一可调电阻；其中隔直流电容与可调电阻串联，隔直流电容和可调电阻与LED器件并联，所述LED器件的正极和隔直流电容的一端为输入端，所述LED器件的负极和可调电阻的一端为输出端。本发明可以适应不同带宽、不同阻抗特性的LED器件，改善可见光通信光源在极端环境下的通信质量。
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公开(公告)号：CN106848016A
公开(公告)日：2017-06-13
申请号：CN201710222145.X
申请日：2017-04-06
Applicant: 中国科学院半导体研究所
Abstract: 一种GaN基多孔DBR的制备方法，包括如下步骤：步骤1：在一衬底上依次生长缓冲层、n型GaN导电层、交替堆叠的n型高掺杂层和非掺杂层，该交替堆叠的n型高掺杂层和非掺杂层构成多周期的氮化物外延结构；步骤2：在氮化物外延结构的上表面沉积绝缘介质层；步骤3：通过光刻、腐蚀在绝缘介质层的上表面的一侧形成电极窗口，同时在电极窗口以外区域形成凹槽；步骤4：采用干法刻蚀技术向下刻蚀电极窗口形成电极台面，同时向下刻蚀凹槽以暴露氮化物外延结构的侧壁形成腐蚀凹槽；步骤5：对暴露侧壁的氮化物外延结构进行电化学腐蚀，形成周期性的多孔DBR；步骤6：利用湿法腐蚀去除绝缘介质层，完成制备。
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公开(公告)号：CN106848016B
公开(公告)日：2019-12-03
申请号：CN201710222145.X
申请日：2017-04-06
Applicant: 中国科学院半导体研究所
Abstract: 一种GaN基多孔DBR的制备方法，包括如下步骤：步骤1：在一衬底上依次生长缓冲层、n型GaN导电层、交替堆叠的n型高掺杂层和非掺杂层，该交替堆叠的n型高掺杂层和非掺杂层构成多周期的氮化物外延结构；步骤2：在氮化物外延结构的上表面沉积绝缘介质层；步骤3：通过光刻、腐蚀在绝缘介质层的上表面的一侧形成电极窗口，同时在电极窗口以外区域形成凹槽；步骤4：采用干法刻蚀技术向下刻蚀电极窗口形成电极台面，同时向下刻蚀凹槽以暴露氮化物外延结构的侧壁形成腐蚀凹槽；步骤5：对暴露侧壁的氮化物外延结构进行电化学腐蚀，形成周期性的多孔DBR；步骤6：利用湿法腐蚀去除绝缘介质层，完成制备。
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公开(公告)号：CN107135570B
公开(公告)日：2019-08-13
申请号：CN201710252486.1
申请日：2017-04-18
Applicant: 中国科学院半导体研究所
IPC: H05B33/08 , H04B10/116 , H04B10/50
CPC classification number: Y02B20/343
Abstract: 一种调制带宽可调的可见光通信LED光源，包括：一可见光通信用的LED器件、一隔直流电容和一可调电阻；其中隔直流电容与可调电阻串联，隔直流电容和可调电阻与LED器件并联，所述LED器件的正极和隔直流电容的一端为输入端，所述LED器件的负极和可调电阻的一端为输出端。本发明可以适应不同带宽、不同阻抗特性的LED器件，改善可见光通信光源在极端环境下的通信质量。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN107134448B
公开(公告)日：2019-04-02
申请号：CN201710252392.4
申请日：2017-04-18
Applicant: 中国科学院半导体研究所 , 中国科学院大学
IPC: H01L25/16
Abstract: 一种提高可见光通信LED光源调制带宽的可集成化方法，包括如下步骤：步骤1：在绝缘衬底上的中间制作金属薄膜电阻；步骤2：在金属薄膜电阻的两侧分别制作一个平板电容的下电极板；步骤3：在金属薄膜电阻、下电极板以及绝缘衬底的上方沉积一层绝缘介质层，作为平板电容的中间介质层；步骤4：在绝缘介质层上的中间两侧制作LED贴封所需的正电极和负电极，该正电极和负电极不相连接；步骤5：在正电极和负电极的外侧绝缘介质层上制作平板电容的上电极板，两个上电极板分别同正电极和负电极相连，构成并联均衡电路；步骤6：将LED芯片利用焊球贴封在制备好的正电极和负电极上，完成集成器件的制作。
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公开(公告)号：CN107134448A
公开(公告)日：2017-09-05
申请号：CN201710252392.4
申请日：2017-04-18
Applicant: 中国科学院半导体研究所
IPC: H01L25/16
CPC classification number: H01L2224/14 , H01L2224/16225 , H01L25/167
Abstract: 一种提高可见光通信LED光源调制带宽的可集成化方法，包括如下步骤：步骤1：在绝缘衬底上的中间制作金属薄膜电阻；步骤2：在金属薄膜电阻的两侧分别制作一个平板电容的下电极板；步骤3：在金属薄膜电阻、下电极板以及绝缘衬底的上方沉积一层绝缘介质层，作为平板电容的中间介质层；步骤4：在绝缘介质层上的中间两侧制作LED贴封所需的正电极和负电极，该正电极和负电极不相连接；步骤5：在正电极和负电极的外侧绝缘介质层上制作平板电容的上电极板，两个上电极板分别同正电极和负电极相连，构成并联均衡电路；步骤6：将LED芯片利用焊球贴封在制备好的正电极和负电极上，完成集成器件的制作。
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公开(公告)号：CN105609602A
公开(公告)日：2016-05-25
申请号：CN201511005814.5
申请日：2015-12-29
Applicant: 中国科学院半导体研究所
CPC classification number: H01L33/10 , H01L33/007
Abstract: 本发明公开了一种可见光通信用倒装RCLED，所述倒装RCLED包括LED芯片和倒装基板，LED芯片包括：芯片衬底、缓冲层、构成谐振腔的氮化物DBR层和氧化物DBR层、n型半导体层、有源区、p型半导体层、透明导电层和p、n电极；所述倒装基板由下至上依次包括支撑衬底、绝缘层以及互相绝缘隔离的P、N电极焊盘；所述LED芯片通过金属焊球或共晶焊分别与所述倒装基板的P、N电极焊盘电连接。本发明有利于获得高品质因子的短腔长倒装RCLED，从而协同改善LED的频率响应和量子效率，满足光通信用高光效、高带宽的光源需求。
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公开(公告)号：CN103807647A
公开(公告)日：2014-05-21
申请号：CN201410049737.2
申请日：2014-02-13
Applicant: 中国科学院半导体研究所
IPC: F21S2/00 , F21V13/02 , F21V29/02 , F21Y101/02
Abstract: 一种LED准朗伯面光源，包括：一带散热风扇挤压铝型材散热板；一驱动电路，所述带散热风扇挤压铝型材散热板位于LED恒流驱动电路上面；一LED阵列，其与LED恒流驱动电路电性连接，位于LED恒流驱动电路之上；一光学色散补偿膜，其位于LED阵列之上；一光学扩散板，其位于光学色散补偿膜之上，并与光学色散补偿膜贴合。本发明可以产生可见波段内可调的面光源。因LED的高可靠性及高稳定性，该面光源可用作标准测量装置中的标准光源。
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公开(公告)号：CN105609602B
公开(公告)日：2017-10-31
申请号：CN201511005814.5
申请日：2015-12-29
Applicant: 中国科学院半导体研究所
Abstract: 本发明公开了一种可见光通信用倒装RCLED，所述倒装RCLED包括LED芯片和倒装基板，LED芯片包括：芯片衬底、缓冲层、构成谐振腔的氮化物DBR层和氧化物DBR层、n型半导体层、有源区、p型半导体层、透明导电层和p、n电极；所述倒装基板由下至上依次包括支撑衬底、绝缘层以及互相绝缘隔离的P、N电极焊盘；所述LED芯片通过金属焊球或共晶焊分别与所述倒装基板的P、N电极焊盘电连接。本发明有利于获得高品质因子的短腔长倒装RCLED，从而协同改善LED的频率响应和量子效率，满足光通信用高光效、高带宽的光源需求。
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