一种大功率电子加速器用旋转式液冷X射线透射转换靶

    公开(公告)号:CN211457490U

    公开(公告)日:2020-09-08

    申请号:CN201922198032.8

    申请日:2019-12-10

    Abstract: 本实用新型公开了一种大功率电子加速器用旋转式液冷X射线透射转换靶,包括真空腔体、旋转靶和轴承组件;旋转靶安装在所述轴承组件上,由轴承组件带动旋转靶在真空腔体内作高速旋转运动;从加速器中输出的电子束沿着束流管道注入,通过电子透射窗后轰击旋转靶靶面外缘,部分能量转换为X射线经X射线输出窗出射到工作区域,且通过旋转靶的高速旋转使得剩余能量以热量的形式沉积到旋转靶外缘上的一条环形区域;所述真空腔体设有冷却液入口和冷却液出口,冷却液经冷却液入口流入真空腔体内,与高速旋转的旋转靶之间进行热交换后从冷却液出口流出。本实用新型采用高速旋转与冷却结合的方式,大大降低了电子束轰击区域的温度,避免转换靶烧蚀损坏。

    金属氢化物电极制备装置
    32.
    实用新型

    公开(公告)号:CN203830725U

    公开(公告)日:2014-09-17

    申请号:CN201420289844.8

    申请日:2014-06-03

    Abstract: 本实用新型涉及电极制备技术领域,具体公开了一种金属氢化物电极制备装置,包括热压成型装置,热压成型装置包括模具、上冷却环、上压砧、下压砧、套筒、加热电阻丝、支撑台,其中:下压砧设置在支撑台上,套筒设置在下压砧上,下压砧上端部分伸入套筒内;模具设置在套筒内;加热电阻丝缠绕在套筒外壁;上压砧和上冷却环设置在套筒上方,上压砧下端伸入套筒内,上冷却环包覆在上压砧外;支撑台和上冷却环上均开设一圈水冷孔道,水冷孔道的轴向与套筒相同,水冷孔道两侧分别连接有进水口和出水口。本实用新型对金属氢化物粉末热压成型制备电极,能改善现有技术中成型引起的应力等内部缺陷,制备的电极强度高、成分更均匀,并且电极制备时间短。

    一种中子发生器
    33.
    实用新型

    公开(公告)号:CN203761670U

    公开(公告)日:2014-08-06

    申请号:CN201420166941.8

    申请日:2014-04-09

    Abstract: 本实用新型公开了一种中子发生器,所述中子发生器包括:密封型绝缘筒,所述密封型绝缘筒具有两端,分别为第一端和第二端,在所述密封型绝缘筒内的所述第一端处设有一离子发生源,在所述第二端连接有一电源,在所述密封型绝缘筒内设有一加速筒,在所述加速筒的内设有一靶片和一偏压电阻,所述靶片位于所述偏压电阻水平方向的左侧,所述靶片和所述偏压电阻连接,且所述偏压电阻与所述第二端连接,其中,在所述加速筒内设有一栅网,所述栅网与所述加速筒连接,所述栅网位于所述离子发生源与所述靶片之间,实现了在中子发生器尺寸较小时能够有效抑制次级电子,并且抑制次级电子效果较好的技术效果。

    电阻触发式真空弧离子源装置

    公开(公告)号:CN203774244U

    公开(公告)日:2014-08-13

    申请号:CN201420189753.7

    申请日:2014-04-18

    Abstract: 本实用新型公开了一种电阻触发式真空弧离子源装置,包括阳极(1)、阴极(2)、触发极(3)、阴极-触发极绝缘件(4)、触发电阻(5)以及连接在阴极(2)下端的阴极固定导电接头(6),上述阳极(1)由中空圆筒状的阳极支撑体(11)和连接在阳极支撑体(11)上端的环形阳极(12)构成,上述触发电阻(5)、触发极(3)、阴极-触发极绝缘件(4)和阴极(2)从外至内依次设置在阳极支撑体(11)内。本实用新型的触发电阻内置在真空弧离子源装置内,结构紧凑、体积小、节省安装空间,并且保证了电接触和绝缘可靠性,并能有效改善分布参数。

    电子弹性反冲探测系统
    36.
    实用新型

    公开(公告)号:CN212433427U

    公开(公告)日:2021-01-29

    申请号:CN202021329126.0

    申请日:2020-07-08

    Abstract: 本实用新型公开了电子弹性反冲探测系统,包括真空室,还包括置于真空室中的电子枪、靶材料和探测器,所述电子枪和探测器均安装在靶材料上方;所述电子枪用于提供轰击靶材料的入射粒子束,所述电子枪提供的入射粒子束为低能量电子束;所述探测器用于接收入射粒子束轰击靶材料后产生的弹性反冲氢离子。本实用新型采用低能量电子束作为入射粒子束,在不损伤材料表面的同时对其氢同位素的测量分辨率达到纳米级;解决了现有探测技术分辨率较低的问题。

    一种流强可调的真空弧离子源

    公开(公告)号:CN203787380U

    公开(公告)日:2014-08-20

    申请号:CN201420218057.4

    申请日:2014-04-30

    Abstract: 本实用新型公开了一种流强可调的真空弧离子源,包括阳极(1)、阴极(4)、触发极(2)、阴极-触发绝缘体(3)、主弧电源(6),所述阴极(4)和阳极(1)均连接到主弧电源(6)上,且各连接主弧电源(6)的一个电极,所述触发极(2)与阴极(4)通过阴极-触发绝缘体(3)隔开,还包括可调电阻(5),所述可调电阻(5)连接在触发极(3)和阳极(1)之间,本实用新型的离子源不需要调节电源参数、不必改变主弧放电电流,只需调节可调电阻就可以实现离子流在较大范围内变化,具有结构简单紧凑、成本低、调节范围大等优点。

    多层介质阻挡放电低温等离子体产生装置

    公开(公告)号:CN204014246U

    公开(公告)日:2014-12-10

    申请号:CN201420501783.7

    申请日:2014-09-02

    Abstract: 本实用新型涉及材料表面处理技术领域,具体公开了一种多层介质阻挡放电低温等离子体产生装置,包括功率源和DBD等离子体反应器,DBD等离子体反应器的反应室内设置有2个金属电极,其中一个金属电极连接功率源的高压输出端,另一个金属电极接地,2个金属电极相对的两个端面相互平行,两个金属电极之间设置有至少3层介质板,相邻介质板之间具有间隙。本实用新型的每两层介质板之间都能够放电形成均匀良好的低温等离子体,处于中间位置的每一层介质板两侧均可处理薄膜材料,覆盖在两个电极上的介质板能够处理一层薄膜,能够提高单次处理的薄膜的数量和面积;处理效率高。

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