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公开(公告)号：CN211744577U
公开(公告)日：2020-10-23
申请号：CN202020642573.5
申请日：2020-04-24
Applicant: 珠海格力电器股份有限公司 , 珠海零边界集成电路有限公司
Abstract: 本实用新型涉及摄像头的技术领域，具体涉及一种摄像头及智能设备，包括：基板，所述基板上设置有具有上端开口的支撑框，所述支撑框的开口处设置有滤光片，所述滤光片与基板之间还连接有隔离板，所述基板、支撑框以及滤光片形成的腔室被所述隔离板分隔成两个，其中一个腔室内设有摄像组件，另一个腔室内设有体温检测组件；本方案采用在智能设备(例如手机)中的摄像头内集成体温检测组件的方式，可以实现现有技术中的摄像头保证摄像效果的同时，具有温度检测功能，从而满足人们随时使用的需求，并且，体温检测组件没有占用智能设备的内部空间，无需在智能设备表面开孔，从而提高智能设备内部空间的利用率。
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公开(公告)号：CN211732479U
公开(公告)日：2020-10-23
申请号：CN202020048981.8
申请日：2020-01-09
Applicant: 珠海格力电器股份有限公司 , 珠海零边界集成电路有限公司
Abstract: 本实用新型涉及半导体技术领域，具体而言，涉及一种包装盒，包括盒盖、与所述盒盖扣合形成容纳空间的盒底及围绕于所述盒盖与所述盒底配合缝隙的密封膜，所述盒盖设置有真空气阀，通过真空气阀抽吸所述容纳空间内空气，使所述密封膜密封贴合所述盒底与盒盖的配合缝隙，本方案中，将晶圆放置在容纳空间内，通过真空气阀抽吸容纳空间内空气，使密封膜密封贴合盒底与盒盖的配合缝隙，容纳空间形成一个密封腔体，在包装盒壳体强度范围内，从真空气阀尽可能将容纳空间内空气抽出，实现对晶圆的密封包装，减小了包装工序，提高了晶圆真空包装的稳定性，重复使用率高。
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公开(公告)号：CN211578790U
公开(公告)日：2020-09-25
申请号：CN202020691064.1
申请日：2020-04-29
Applicant: 珠海格力电器股份有限公司 , 珠海零边界集成电路有限公司
Abstract: 本实用新型提供了一种热电堆芯片。热电堆芯片包括衬底和设置在衬底上的绝缘层，热电堆芯片还包括热电偶组件，热电偶组件包括：多个热电偶对，各热电偶对均具有热结部，多个热电偶对沿预设方向分布，以使多个热电偶对的热结部沿预设方向间隔设置；预设方向为从衬底的中部至衬底的外周面的方向；其中，热电偶组件为多个，多个热电偶组件沿衬底的周向分布。本实用新型有效地解决了现有技术中热电堆芯片的红外吸收效率较低的问题。
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公开(公告)号：CN211297136U
公开(公告)日：2020-08-18
申请号：CN202020136391.0
申请日：2020-01-20
Applicant: 珠海格力电器股份有限公司
Abstract: 本实用新型涉及线路板技术领域，具体而言，涉及一种覆铜板及功率器件，包括基板及铜板层，所述铜板层贴合所述基板并包裹所述基板相对两侧的延展端，所述铜板层包括包裹部、贴合于所述基板正反两面的第一键合部及第二键合部，所述包裹部包裹所述延展端并分别连接所述第一键合部及第二键合部，所述包裹部开设有用于容纳所述延展端的开口槽，且所述开口槽相对两侧壁的厚度、所述第一键合部及第二键合部的厚度均相同，本方案中，铜片包裹基板，在基板的周侧形成铜板层，当铜片与基板键合过程中，基板的延展端受铜板层的包裹不会发生翘曲。
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公开(公告)号：CN211238238U
公开(公告)日：2020-08-11
申请号：CN202020186327.3
申请日：2020-02-19
Applicant: 珠海格力电器股份有限公司 , 珠海零边界集成电路有限公司
IPC: H01L23/495 , H01L23/13
Abstract: 本实用新型提供了提供一种IPM模块及具有其的空调器。IPM模块包括引线框架，引线框架的中部呈镂空结构，镂空结构的一侧设置有第一安装支撑区；支撑部，支撑部的第一端与引线框架相连接，支撑部的第二端朝向镂空区域延伸设置以形成第二安装支撑区；DBC基板，DBC基板设置于镂空区域，DBC基板呈方形结构，DBC基板的四个角通过第一安装支撑区和第二安装支撑区与相连接引线框架相连接，以使DBC基板在回流焊过程中始终保持在同一个平面上。使得当通过回流焊工艺阶段将DBC基板安装于引线框架上的镂空区域时，DBC基板始终处于平整状态，使得DBC基板在回流焊过程中始终保持在同一个平面上。能够提高IPM模块加工效率和加工质量，有效地降低了IPM模块的生产成本。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN211151837U
公开(公告)日：2020-07-31
申请号：CN201922167175.2
申请日：2019-12-05
Applicant: 珠海格力电器股份有限公司 , 珠海零边界集成电路有限公司
Abstract: 本公开提供一种智能功率模块及电子设备，包括三个单相逆变电路，所述三个单相逆变电路分别输出三相交流电中的U相电、V相电和W相电；所述三个单相逆变电路中的每一个单相逆变电路包括HVIC芯片、第一数字电位器、第二数字电位器、第一IGBT管和第二IGBT管；所述HVIC芯片的第一信号输出端连接所述第一数字电位器的滑动端，所述第一数字电位器的低端连接所述第一IGBT管的栅极，所述HVIC芯片的第二信号输出端连接所述第二数字电位器的滑动端，所述第二数字电位器的低端连接所述第二IGBT管的栅极。本公开在HVIC芯片的输出端和IGBT管的栅极之间增加了数字电位器，外部控制电路输入简单控制信号即可控制数字电位器输出相应的电阻值，来改变栅极电阻，调节模块的性能。
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公开(公告)号：CN211150564U
公开(公告)日：2020-07-31
申请号：CN202020138076.1
申请日：2020-01-20
Applicant: 珠海格力电器股份有限公司 , 珠海零边界集成电路有限公司
IPC: H01L29/08 , H01L29/06 , H01L29/10 , H01L29/739 , H01L21/331 , G03F1/00
Abstract: 本实用新型涉及一种IGBT芯片及制造IGBT芯片时使用的掩膜版。IGBT芯片包括元胞，元胞包括集电区、漂移区、阱基区、发射区、集电极结构和发射极结构。阱基区和发射区二者的组合呈现为正六棱柱形，发射区包括三个皆为正三角形的子发射区，三个子发射区在阱基区的中心线上相交并在阱基区内以该中心线为中心排列成等距圆形阵列，每个子发射区自阱基区的上表面朝向其下表面延伸。该IGBT芯片可以在保持其六边形元胞的电流密度相对较大、导通压降相对较小的情况下，提高其元胞的抗闩锁能力和抗短路能力。
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公开(公告)号：CN210429794U
公开(公告)日：2020-04-28
申请号：CN201921540453.8
申请日：2019-09-16
Applicant: 珠海格力电器股份有限公司
IPC: H01L23/492 , H01L23/367 , H01L21/60
Abstract: 本实用新型涉及半导体技术领域，具体涉及一种半导体模块及封装结构，包括：芯片和基板，所述芯片设置于所述基板上，且所述芯片通过导电薄片与所述基板上的引脚电性连接，本实用新型采用导电薄片相较于现有技术中单根金属丝，增大了接触面积，从而增强了电流的流通能力，有效增强散热，提高电流效率，减低功率损耗，提高可靠性，亦避免使用多根金属丝时所产生的较大寄生系数，同时，无需在芯片表面打线，减少对芯片的损伤，从而简化工艺步骤，最终提高生产效率。(ESM)同样的发明创造已同日申请发明专利
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公开(公告)号：CN209804659U
公开(公告)日：2019-12-17
申请号：CN201822065217.7
申请日：2018-12-10
Applicant: 珠海格力电器股份有限公司
IPC: H01L29/739 , H01L21/331 , H01L29/06
Abstract: 本实用新型公开了一种IGBT芯片的产品结构，包括：在所述IGBT芯片的正面发射极打线位置的下方，设置有打线区域（4），且所述打线区域（4）处未刻蚀沟槽（6）。本实用新型的方案，可以解决超薄trench FS-IGBT芯片在封装打线过程中应力集中、芯片容易开裂的问题，实现减小应力和芯片不易开裂的有益效果。(ESM)同样的发明创造已同日申请发明专利
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公开(公告)号：CN209199944U
公开(公告)日：2019-08-02
申请号：CN201822020071.4
申请日：2018-12-03
Applicant: 珠海格力电器股份有限公司
IPC: H01L29/78 , H01L29/06 , H01L21/336
Abstract: 本实用新型公开了一种半导体器件，包括：第一导电类型半导体层；第二导电类型体区，设置在半导体层中，体区的上表面高于半导体层的上表面；第一导电类型注入区和第二导电类型注入区，相邻设置在体区中；栅极绝缘层，设置在体区上且至少部分覆盖第一导电类型注入区；栅极，设置在栅极绝缘层上。上述半导体器件，设置在第一导电类型半导体层中的第二导电类型体区的上表面高于半导体层的上表面，这样在半导体器件耐压时，承受高电场强度的氧化层不再是有效的器件栅氧，沟道处会受到体区的电场屏蔽的保护，对内部栅氧也起到一定电场屏蔽作用，提升了栅极绝缘层的可靠性，进而提高了半导体器件的可靠性。(ESM)同样的发明创造已同日申请发明专利
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