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公开(公告)号：CN106856207B
公开(公告)日：2020-02-11
申请号：CN201611076971.X
申请日：2016-11-28
Applicant: 珠海零边界集成电路有限公司 , 珠海格力电器股份有限公司
IPC: H01L29/06 , H01L21/329 , H01L29/861
Abstract: 本发明提供了一种FRD芯片的终端结构、其制备方法及具有其的FRD芯片。该FRD芯片具有衬底和设置在衬底上的外延片，FRD芯片包括终端结构和有源结构，终端结构围绕FRD芯片的有源结构设置在外延片中，衬底向外延片延伸的方向为深度方向，终端结构包括：终端耐压环数量为一个，设置在外延片中；终端截止环设置在终端耐压环的远离有源结构的一侧的外延片中，其中衬底、外延片和终端截止环的掺杂离子类型相同，终端耐压环和外延片的掺杂离子为反型离子。将终端耐压环设置为一个，使得终端结构相对于现有技术中分压环的方案所占面积大大减小且该终端耐压环起到足够的耐压性能，因此，提高了芯片的导电能力且减小了制作终端耐压环的成本。
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公开(公告)号：CN110718509A
公开(公告)日：2020-01-21
申请号：CN201810763291.8
申请日：2018-07-11
Applicant: 珠海格力电器股份有限公司
Abstract: 本发明提供了一种电子元件封装结构及封装方法，涉及半导体器件技术领域，解决了现有技术封装保护层与芯片之间封装应力不匹配导致的芯片受损、失效的技术问题。该封装结构包括电子元件、保护层和应力缓冲层，应力缓冲层介于电子元件与保护层之间，且应力缓冲层能缓冲、减弱保护层对电子元件施加的封装应力。通过在电子元件与保护层之间设置应力缓冲层来缓冲、减弱保护层对电子元件施加的封装应力，减少电子元件的失效损坏，防止水汽入侵，隔绝离子污染，提高电子元件的可靠性。
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公开(公告)号：CN107845673B
公开(公告)日：2020-06-23
申请号：CN201711034355.2
申请日：2017-10-30
Applicant: 珠海格力电器股份有限公司
Inventor： 何昌
IPC: H01L29/08 , H01L29/739 , H01L21/331
Abstract: 本发明公开了一种逆导型绝缘栅双极型晶体管及其制作方法、电力电子设备，以改善逆导型绝缘栅双极型晶体管的负阻效应，提高器件的可靠性。逆导型绝缘栅双极型晶体管包括集电极金属、位于集电极金属前侧且交替排列的第一P型集电区和N型集电区，以及对应设置在每个N型集电区前侧的第二P型集电区，第二P型集电区与N型集电区相对设置，集电极金属通过贯穿N型集电区的接触孔槽与第二P型集电区连接。
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公开(公告)号：CN109442707A
公开(公告)日：2019-03-08
申请号：CN201811285691.9
申请日：2018-10-31
Applicant: 珠海格力电器股份有限公司
Abstract: 本发明涉及空调控制器散热技术领域，具体涉及到一种空调控制器的散热器、空调及其散热器的制作方法。所述空调上设有相对的进风口与出风口，所述散热器设置于进风口与出风口之间，所述散热器包括基座、若干翅片，所述若干翅片固定于基座上且相邻翅片间隔形成散热风道，所述散热风道的通风方向与进风口的进风方向形成倾角。本发明的空调控制器的散热器上设有多个的散热翅片并形成多个散热风道，散热风道的通风方向与进风口的进风方向形成倾角，该种倾斜角度的做法不仅能够增大散热器翅片面积，还能够将翅片处的空气流动由层流改变为紊流，加快空气与翅片撞击速率以加速散热，延长空调控制器的使用时间，本发明提供的制作方法工艺合理，便于加工。
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公开(公告)号：CN106571395A
公开(公告)日：2017-04-19
申请号：CN201610942673.8
申请日：2016-10-31
Applicant: 珠海格力电器股份有限公司
IPC: H01L29/78 , H01L29/739 , H01L21/336 , H01L21/331
CPC classification number: H01L29/66621 , H01L29/66348 , H01L29/7397 , H01L29/7827
Abstract: 本发明公开了一种沟槽型金属氧化物半导体功率器件及其制作方法，在制作时利用同一光罩来同时制作元胞区和截止环的结构，相对于传统的采用不同光罩分别实现元胞区和终端耐压区结构的制作，在保证器件耐压性能的同时，可以减少工艺过程及光罩层数，从而降低生产成本。并且，在器件中采用与元胞区相类似的沟槽结构来实现终端耐压区的截止环结构，可以减少在采用光罩利用注入掺杂和扩散推结制作各截止环时，为避免各截止环相互连接时需要在各截止环之间设定较大距离的间隔，有利于在保证终端耐压区性能的同时，缩小终端耐压区所占面积，从而增加器件的有效管芯数量，进一步减低器件成本。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN111106168B
公开(公告)日：2022-07-01
申请号：CN201811259338.3
申请日：2018-10-26
Applicant: 珠海零边界集成电路有限公司 , 珠海格力电器股份有限公司
Abstract: 本发明公开了一种半导体器件的终端耐压结构、半导体器件及其制造方法，包括氧化层和多个多晶硅场板，所述多晶硅场板包括横板、垂直设置于横板端部的直板，所述多晶硅场板横向间隔排列设置于氧化层中，且横板同一平面布置、相邻的两多晶硅场板的直板间形成电容器，运用本发明所述的外围终耐压结构可以有效的降低外围终端耐压结构占用的面积，进而降低整个功率半导体器件的生产成本，增加竞争力，同时，本发明采用特殊形状的多晶硅场板结构，增大了相邻多晶硅场板间的作用面积，有效的增大了板间电容，使得耐压更稳定，且多晶硅场板仅需一次多晶硅沉积步骤即可完成，其生产效率高、成本低。
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公开(公告)号：CN111834439A
公开(公告)日：2020-10-27
申请号：CN201910323441.8
申请日：2019-04-22
Applicant: 珠海格力电器股份有限公司
IPC: H01L29/06 , H01L29/778 , H01L21/335
Abstract: 本发明涉及电子技术领域，公开一种高电子迁移率晶体管、其制备方法及电子装置，其中，高电子迁移率晶体管包括：依次设置的衬底、缓冲层和GaN沟道层，GaN沟道层包括栅极区和位于栅极区周围的非栅区域；AlGaN栅下势垒层，形成于GaN沟道层的栅极区背离缓冲层的一侧；栅电极，形成于AlGaN栅下势垒层背离GaN沟道层的侧面；AlGaN势垒层，形成于GaN沟道层的非栅区域，其中AlGaN势垒层表面形成源极和漏极；其中，AlGaN栅下势垒层的铝含量低于AlGaN势垒层的铝含量，和/或，AlGaN栅下势垒层的厚度小于AlGaN势垒层的厚度。上述高电子迁移率晶体管，可以用于缓解其阈值电压低，易误开通的技术问题。
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公开(公告)号：CN111106168A
公开(公告)日：2020-05-05
申请号：CN201811259338.3
申请日：2018-10-26
Applicant: 珠海格力电器股份有限公司
Abstract: 本发明公开了一种半导体器件的终端耐压结构、半导体器件及其制造方法，包括氧化层和多个多晶硅场板，所述多晶硅场板包括横板、垂直设置于横板端部的直板，所述多晶硅场板横向间隔排列设置于氧化层中，且横板同一平面布置、相邻的两多晶硅场板的直板间形成电容器，运用本发明所述的外围终耐压结构可以有效的降低外围终端耐压结构占用的面积，进而降低整个功率半导体器件的生产成本，增加竞争力，同时，本发明采用特殊形状的多晶硅场板结构，增大了相邻多晶硅场板间的作用面积，有效的增大了板间电容，使得耐压更稳定，且多晶硅场板仅需一次多晶硅沉积步骤即可完成，其生产效率高、成本低。
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公开(公告)号：CN108878391A
公开(公告)日：2018-11-23
申请号：CN201810578880.9
申请日：2018-06-07
Applicant: 珠海格力电器股份有限公司
Abstract: 本发明提供一种智能功率模块结构及其制造方法。该智能功率模块结构包括基板(1)、芯片单元、预成型焊料(2)和封装材料(3)，芯片单元设置在基板(1)上，预成型焊料(2)与芯片单元电性连接，封装材料(3)封装在基板(1)、芯片单元和预成型焊料(2)外，预成型焊料(2)露出封装材料(3)。根据本发明的智能功率模块结构，能够实现智能功率模块的无引脚设计，便于智能功率模块实现自动化焊接，提高生产效率。
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公开(公告)号：CN106856207A
公开(公告)日：2017-06-16
申请号：CN201611076971.X
申请日：2016-11-28
Applicant: 珠海格力电器股份有限公司
IPC: H01L29/06 , H01L21/329 , H01L29/861
Abstract: 本发明提供了一种FRD芯片的终端结构、其制备方法及具有其的FRD芯片。该FRD芯片具有衬底和设置在衬底上的外延片，FRD芯片包括终端结构和有源结构，终端结构围绕FRD芯片的有源结构设置在外延片中，衬底向外延片延伸的方向为深度方向，终端结构包括：终端耐压环数量为一个，设置在外延片中；终端截止环设置在终端耐压环的远离有源结构的一侧的外延片中，其中衬底、外延片和终端截止环的掺杂离子类型相同，终端耐压环和外延片的掺杂离子为反型离子。将终端耐压环设置为一个，使得终端结构相对于现有技术中分压环的方案所占面积大大减小且该终端耐压环起到足够的耐压性能，因此，提高了芯片的导电能力且减小了制作终端耐压环的成本。
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