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公开(公告)号：CN112540251A
公开(公告)日：2021-03-23
申请号：CN202011370732.1
申请日：2020-11-30
Applicant: 珠海格力电器股份有限公司 , 珠海零边界集成电路有限公司
Abstract: 本发明涉及半导体技术领域,公开了一种智能功率模块测试装置及系统,该装置包括插座、PCB板以及形成于PCB板的第一线路、第二线路、外接焊盘和引脚焊盘；引脚焊盘位于待测模块的两侧，引脚焊盘与待测模块的引脚对应设置；插座与引脚焊盘连接，插座与用于与待测模块连接；第一线路通过导线与待测模块一侧的引脚焊盘连接，第二线路通过导线与待测模块令一侧的引脚焊盘连接；第一线路与第二线路连接，外接焊盘通过导线与第一线路和第二线路连接，且外接焊盘用于与测试机连接。测试时，将待测模块安装在插座上，将外接焊盘与测试机连接。测试时无需掰动模块引脚，降低了模块损伤的风险，简化了测试步骤，加快了测试速度，保证了测试结果准确性。
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公开(公告)号：CN110469919A
公开(公告)日：2019-11-19
申请号：CN201910668261.3
申请日：2019-07-23
Applicant: 珠海格力电器股份有限公司
IPC: F24F1/24
Abstract: 本发明提供了一种功率器件的散热装置及空调器,涉及空调技术领域。其中，功率器件的散热装置包括：固定件及用于与所述功率器件接触的散热组件，所述控制板与所述固定件连接；通过调整所述固定件与所述控制板的距离，调整所述控制板与所述散热组件之间的距离，以使所述功率器件与所述散热组件保持接触。本发明通过设置的固定件连接控制板，固定件对控制板首先有一个加固的作用，另外固定件与控制板之间的距离可调节，从而调节控制板与所述散热组件之间的距离，保证控制板上的功率器件与散热组件能够保持接触，提升功率器件的散热性能，保证功率装置的可靠性。
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公开(公告)号：CN113394204B
公开(公告)日：2022-07-15
申请号：CN202010166471.5
申请日：2020-03-11
Applicant: 珠海格力电器股份有限公司 , 珠海零边界集成电路有限公司
Abstract: 本发明涉及一种功率半导体器件及功率半导体器件的制造方法，该功率半导体器件包括：塑封壳体，在塑封壳体上设有栅极引脚、集电极引脚、发射极引脚、正极引脚、负极引脚、片选端引脚及控制端引脚；封装在塑封壳体内的IGBT集成电路，其与栅极引脚、集电极引脚和发射极引脚相连；封装在塑封壳体内的DigiPOT集成电路，其与正极引脚、负极引脚、片选端引脚及控制端引脚相连，该DigiPOT集成电路通过固有的输入端和输出端接入在IGBT集成电路的栅极结构层内，并作为能够调节阻值的栅极电阻。该功率半导体器件不仅解决了栅极电阻不可调节的问题，还保证了其具有更广的适用范围和更好的通用性。
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公开(公告)号：CN111081661B
公开(公告)日：2021-05-25
申请号：CN201911339951.0
申请日：2019-12-23
Applicant: 珠海格力电器股份有限公司 , 珠海零边界集成电路有限公司
IPC: H01L23/367 , H01L23/40
Abstract: 本申请涉及一种基于功率半导体器件的散热结构及安装方法，所述散热结构包括：功率半导体器件、电路板、绝缘层、散热器以及固定组件；在电路板上设置有至少两个开孔，在至少两个开孔中设置有对应的至少两个固定组件；固定组件的一端外延至电路板的一侧，至少两个固定组件的外延部夹持固定功率半导体器件；固定组件的外延部还嵌入设置于散热器的一表面，以使通过电路板与散热器将功率半导体器件进行固定；绝缘层接触设置于功率半导体器件与散热器之间。如此通过将功率半导体器件夹持固定于电路板的一侧，增加了散热面积，有利于功率半导体器件散热，并且避免了因漏电将功率半导体器件或电路板烧毁的情况。
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公开(公告)号：CN117594461A
公开(公告)日：2024-02-23
申请号：CN202311548743.8
申请日：2023-11-20
Applicant: 珠海格力电器股份有限公司
IPC: H01L21/60 , H01L23/498 , H01L25/16 , H01L21/67
Abstract: 本发明实施例提供了一种智能功率模块的封装方法和装置，所述智能功率模块包括集成电路芯片和功率芯片，所述方法包括：在基板上印制导线；将所述基板焊接至框架上；将所述集成电路芯片焊接至所述基板上，以及，将所述功率芯片焊接至所述框架上；将所述集成电路芯片与所述基板的所述导线键合，以及，将所述功率芯片与所述集成电路芯片键合；将与所述集成电路芯片关联的所述基板的所述导线引出；对所述基板和所述框架进行封装。本发明实施例将智能功率模块的集成电路芯片键合至基板上，并将基板焊接至框架，使得在集成电路芯片工作时，应力到基板上而不是直接应力到框架上，框架应力小，可以避免出现框架变形导致的诸如脱键等风险。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN112510006A
公开(公告)日：2021-03-16
申请号：CN201910872960.X
申请日：2019-09-16
Applicant: 珠海格力电器股份有限公司
IPC: H01L23/492 , H01L23/367 , H01L21/60
Abstract: 本发明涉及半导体技术领域，具体涉及一种半导体模块、封装结构及其焊接方法，包括：芯片和基板，所述芯片设置于所述基板上，且所述芯片通过导电薄片与所述基板上的引脚电性连接，本发明采用导电薄片相较于现有技术中单根金属丝，增大接触面积，从而增强电流的流通能力，有效增强散热，提高电流效率，减低功率损耗，提高可靠性，亦避免使用多根金属丝时所产生的较大寄生系数，同时，无需在芯片表面打线，减少对芯片的损伤，从而简化工艺步骤，最终提高生产效率。
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公开(公告)号：CN111081661A
公开(公告)日：2020-04-28
申请号：CN201911339951.0
申请日：2019-12-23
Applicant: 珠海格力电器股份有限公司 , 珠海零边界集成电路有限公司
IPC: H01L23/367 , H01L23/40
Abstract: 本申请涉及一种基于功率半导体器件的散热结构及安装方法，所述散热结构包括：功率半导体器件、电路板、绝缘层、散热器以及固定组件；在电路板上设置有至少两个开孔，在至少两个开孔中设置有对应的至少两个固定组件；固定组件的一端外延至电路板的一侧，至少两个固定组件的外延部夹持固定功率半导体器件；固定组件的外延部还嵌入设置于散热器的一表面，以使通过电路板与散热器将功率半导体器件进行固定；绝缘层接触设置于功率半导体器件与散热器之间。如此通过将功率半导体器件夹持固定于电路板的一侧，增加了散热面积，有利于功率半导体器件散热，并且避免了因漏电将功率半导体器件或电路板烧毁的情况。
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公开(公告)号：CN119689198A
公开(公告)日：2025-03-25
申请号：CN202411827421.1
申请日：2024-12-12
Applicant: 珠海格力电器股份有限公司
IPC: G01R31/26
Abstract: 本发明实施例提供了一种智能功率模块的测试电路和方法，智能功率模块包括绝缘栅双极型晶体管，测试电路包括电压表、第一快速二极管、第一开关和电流输入电路，电压表、第一快速二极管和第一开关串联；绝缘栅双极型晶体管与电压表、第一快速二极管和第一开关的串联电路并联；电流输入电路与电压表、第一快速二极管和第一开关的串联电路连接。在智能功率模块从工作状态切换为测试状态的情况下，通过第一快速二极管延迟导通以影响电压表测量绝缘栅双极型晶体管的正向压降的延迟时间，从而滤除了智能功率模块从工作状态切换为测试状态导致的噪音，使得测试结果更加准确。
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公开(公告)号：CN113467546A
公开(公告)日：2021-10-01
申请号：CN202110844147.9
申请日：2021-07-26
Applicant: 珠海格力电器股份有限公司
IPC: G05D23/20
Abstract: 本申请公开了一种温度控制方法、装置以及测温箱，其中，该方法包括：获取分立功率器件的测试温度，其中，分立功率器件固定在温控器件的第一加热片和第二加热片之间，其中，温控器件还包括第一制冷片和第二制冷片；获取分立功率器件的实际温度；根据测试温度和实际温度，通过比例积分微分PID算法生成控制信号；基于控制信号调节温控器件的工作状态，直至实际温度与所述测试温度相同。通过本申请，一方面升降温速度更快，温度控制更加稳定，另一方面避免了耐高温测试引线过长对测试精度造成的影响，解决了相关技术基于温度对分立功率器件进行性能测试时测试精度不准确的技术问题，从而提高了测试数据的准确度，拓宽了测温箱的适用场景。
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公开(公告)号：CN113394204A
公开(公告)日：2021-09-14
申请号：CN202010166471.5
申请日：2020-03-11
Applicant: 珠海格力电器股份有限公司 , 珠海零边界集成电路有限公司
Abstract: 本发明涉及一种功率半导体器件及功率半导体器件的制造方法，该功率半导体器件包括：塑封壳体，在塑封壳体上设有栅极引脚、集电极引脚、发射极引脚、正极引脚、负极引脚、片选端引脚及控制端引脚；封装在塑封壳体内的IGBT集成电路，其与栅极引脚、集电极引脚和发射极引脚相连；封装在塑封壳体内的DigiPOT集成电路，其与正极引脚、负极引脚、片选端引脚及控制端引脚相连，该DigiPOT集成电路通过固有的输入端和输出端接入在IGBT集成电路的栅极结构层内，并作为能够调节阻值的栅极电阻。该功率半导体器件不仅解决了栅极电阻不可调节的问题，还保证了其具有更广的适用范围和更好的通用性。
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