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公开(公告)号：CN113345874B
公开(公告)日：2024-04-16
申请号：CN202010135151.3
申请日：2020-03-02
Applicant: 珠海零边界集成电路有限公司 , 珠海格力电器股份有限公司
Abstract: 本发明涉及智能功率模块技术领域，公开了一种智能功率模块、封装结构及封装结构的制备方法，该智能功率模块包括驱动电路以及与驱动电路连接且受驱动电路驱动的多个桥臂，其中，每个桥臂均包括串联连接的上桥臂开关管和下桥臂开关管，每个桥臂中的下桥臂开关管的发射极，均与驱动电路中驱动下桥臂开关管的驱动芯片的共地端连接。该智能功率模块中驱动信号加到各个下桥臂开关管的路线不共用大电流线路，从而可以大大降低电流剧烈变化时对各个下桥臂开关管的控制端电压的影响，降低开关损耗，使得智能功率模块的开关速度加快，同时消除各个下桥臂开关管产生的噪音及延迟。
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公开(公告)号：CN112234030B
公开(公告)日：2023-07-21
申请号：CN201910635287.8
申请日：2019-07-15
Applicant: 珠海格力电器股份有限公司
IPC: H01L21/8252 , H01L21/48 , H01L23/498 , H01L27/02 , H01L27/088 , H02M7/00
Abstract: 本发明涉及芯片技术领域，公开了一种三相逆变功率芯片及其制备方法，该制备方法包括在衬底上形成有源区和位于有源区之外的隔离区，在每个有源区中形成晶体管的源极、漏极和栅极，在隔离区形成第一焊盘、第二焊盘、第三焊盘和第四焊盘，将芯片的源极、漏极和栅极均延伸至与之对应的第一焊盘、第二焊盘、第三焊盘或第四焊盘，并将晶体管的源极、漏极和栅极和与之对应的第一焊盘、第二焊盘、第三焊盘或第四焊盘电性连接。采用本发明提供的三相逆变功率芯片的制备方法制备的三相逆变功率芯片，提高了集成度且减小了芯片间的寄生电感，从而提高了电路的工作效率。
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公开(公告)号：CN114975128A
公开(公告)日：2022-08-30
申请号：CN202110212995.8
申请日：2021-02-25
Applicant: 珠海零边界集成电路有限公司 , 珠海格力电器股份有限公司
IPC: H01L21/48 , H01L23/495
Abstract: 本发明涉及电子器件技术领域，公开了一种智能功率模块及其制备方法，智能功率模块包括基板，基板上设有芯片、多个导电引脚，导电引脚的一端与芯片连接，另一端的端部形成焊接脚；外部引脚框架，外部引脚框架包括多个与多个焊接脚一一对应的引线，引线的一端的端部形成有连接结构；每组相互对应的连接结构和焊接脚中，连接结构包括：连接部、以及位于分别连接部两侧并朝向基板延伸的支撑部，支撑部的排列方向与焊接脚的排列方向相同，两个支撑部之间形成容纳空间，焊接脚位于两个支撑部之间。该智能功率模块中，支撑部隔绝相邻的两个焊接脚，回流焊时，降低相邻焊接脚上的结合材相连而导致短路风险；支撑部起到限位作用，降低焊接点错位风险。
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公开(公告)号：CN113394204B
公开(公告)日：2022-07-15
申请号：CN202010166471.5
申请日：2020-03-11
Applicant: 珠海格力电器股份有限公司 , 珠海零边界集成电路有限公司
Abstract: 本发明涉及一种功率半导体器件及功率半导体器件的制造方法，该功率半导体器件包括：塑封壳体，在塑封壳体上设有栅极引脚、集电极引脚、发射极引脚、正极引脚、负极引脚、片选端引脚及控制端引脚；封装在塑封壳体内的IGBT集成电路，其与栅极引脚、集电极引脚和发射极引脚相连；封装在塑封壳体内的DigiPOT集成电路，其与正极引脚、负极引脚、片选端引脚及控制端引脚相连，该DigiPOT集成电路通过固有的输入端和输出端接入在IGBT集成电路的栅极结构层内，并作为能够调节阻值的栅极电阻。该功率半导体器件不仅解决了栅极电阻不可调节的问题，还保证了其具有更广的适用范围和更好的通用性。
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公开(公告)号：CN113394114A
公开(公告)日：2021-09-14
申请号：CN202010164755.0
申请日：2020-03-11
Applicant: 珠海零边界集成电路有限公司 , 珠海格力电器股份有限公司
IPC: H01L21/48 , H01L21/56 , H01L23/495 , H01L25/18
Abstract: 本申请涉及智能功率模块技术领域，公开了一种芯片的封装方法、一种芯片及电子器件，封装方法包括：提供已切割的晶圆以制备功率半导体芯片，功率半导体芯片包括栅极、第一发射极和第二发射极；在栅极和第一发射极表面贴附高温胶膜；将功率半导体芯片安装于电子封装基板上；将电子封装基板与导线框架进行组装，实现各部件之间的电连接；在导线框架上安装驱动控制芯片，并实现电连接；去除高温胶膜；实现驱动控制芯片的驱动电极与栅极的连接、以及第一发射极与导线框架的连接；进行塑封、后固化、去胶、电镀以及切筋。本申请公开的封装方法，够防止导线框架与芯片结合过程中产生的污染栅极问题，增强了栅极焊线的可靠性。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN111163585B
公开(公告)日：2021-06-25
申请号：CN202010026505.0
申请日：2020-01-10
Applicant: 珠海格力电器股份有限公司 , 珠海零边界集成电路有限公司
IPC: H05K1/18 , H01L23/473
Abstract: 本发明涉及一种用于控制器的电路板及控制器，该电路板包括：电路板本体；第一功率半导体器件和第二功率半导体器件，其全部设置在所述电路板本体上且彼此相邻；以及能够输送冷却液的冷却构件，其与所述第一功率半导体器件和第二功率半导体器件均接触。该电路板不但解决了如何降低控制器出现永久失灵的可能性的问题，而且可以降低功率半导体器件产生的热量在控制器内累积的程度，改善了功率半导体器件的性能。
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公开(公告)号：CN111081661B
公开(公告)日：2021-05-25
申请号：CN201911339951.0
申请日：2019-12-23
Applicant: 珠海格力电器股份有限公司 , 珠海零边界集成电路有限公司
IPC: H01L23/367 , H01L23/40
Abstract: 本申请涉及一种基于功率半导体器件的散热结构及安装方法，所述散热结构包括：功率半导体器件、电路板、绝缘层、散热器以及固定组件；在电路板上设置有至少两个开孔，在至少两个开孔中设置有对应的至少两个固定组件；固定组件的一端外延至电路板的一侧，至少两个固定组件的外延部夹持固定功率半导体器件；固定组件的外延部还嵌入设置于散热器的一表面，以使通过电路板与散热器将功率半导体器件进行固定；绝缘层接触设置于功率半导体器件与散热器之间。如此通过将功率半导体器件夹持固定于电路板的一侧，增加了散热面积，有利于功率半导体器件散热，并且避免了因漏电将功率半导体器件或电路板烧毁的情况。
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公开(公告)号：CN112289755A
公开(公告)日：2021-01-29
申请号：CN201910668280.6
申请日：2019-07-23
Applicant: 珠海格力电器股份有限公司
Abstract: 本发明提供了一种TO封装结构及封装方法，涉及芯片封装技术领域。其中，TO封装结构包括：壳体、基板及引脚，所述基板设置于所述壳体内，所述基板沿所述壳体的长度方向延伸；所述基板具有用于设置芯片的正面及反面，所述基板的正面与所述壳体的第一侧壁具有第一预设距离，所述基板的反面与所述壳体的第二侧壁具有第二预设距离，所述第一侧壁与所述第二侧壁相对设置；所述芯片连接有所述引脚。本方案中基板的两面均可以进行封装，能够使得每个壳体的使用面积得到提升，也就是每个壳体内的基板较现有技术可多封装芯片，有效降低了封装的成本，提高了壳体的利用效率。
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公开(公告)号：CN111163595A
公开(公告)日：2020-05-15
申请号：CN202010006235.7
申请日：2020-01-03
Applicant: 珠海格力电器股份有限公司 , 珠海零边界集成电路有限公司
IPC: H05K3/34 , H01L23/495 , H01L21/56
Abstract: 本发明涉及芯片封装技术领域，公开一种芯片封装方法，该芯片封装方法包括：形成预结合组件，其中，预结合组件包括引线框架母体和多个芯片，引线框架母体包括多个引线框架单元，每个引线框架单元周围形成有容纳凹陷，容纳凹陷内填充有第一结合材；多个芯片一一对应地固定于多个引线框架单元的安装面，其中，每个芯片通过导线与对应的引线框架单元上的触点键合；在引线框架母体安装面形成封装体，其中，封装体包括多个封装单元，每个封装单元覆盖一个芯片；沿每个容纳凹陷中第一结合材的中部切割；每个引线框架的侧面遗留有第一结合材的部分结构，有利于降低引线框架与电路板的焊接难度，并提高焊接结合强度。
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公开(公告)号：CN111162057A
公开(公告)日：2020-05-15
申请号：CN202010008279.3
申请日：2020-01-06
Applicant: 珠海格力电器股份有限公司 , 珠海零边界集成电路有限公司
IPC: H01L23/544 , H01L23/34 , H01L23/367 , H01L23/15 , H01L25/07
Abstract: 本发明涉及一种半导体功率器件及用于半导体功率器件的功率处理组件，其中功率处理组件包括绝缘基板；设置在绝缘基板上的多个芯片；温度传感器，其包括完整地设于绝缘基板内并位于选定的芯片下方的传感器本体，以及与传感器本体相连并从绝缘基板上穿出的电连接件。该功率处理组件可以在降低短路电弧击穿损坏温度传感器的风险的同时，解决温度传感器的温度检测结果与选定芯片的实际工作温度之间误差较大的问题，有利于对芯片的工作温度进行精准控制。
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