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公开(公告)号：CN111834336A
公开(公告)日：2020-10-27
申请号：CN201910321865.0
申请日：2019-04-22
Applicant: 珠海零边界集成电路有限公司 , 珠海格力电器股份有限公司
IPC: H01L23/544 , H01L29/739 , H01L21/331 , H01L25/16
Abstract: 本发明公开了一种IGBT芯片及其制备方法、IPM模块，IGBT芯片，包括衬底，衬底上设置截止环，衬底上表面分别设置第一发射极焊盘、第二发射极焊盘和栅极焊盘，第一发射极焊盘、第二发射极焊盘和栅极焊盘在截止环内侧，截止环外侧的衬底上设置热敏电阻，热敏电阻在IGBT芯片的制备过程中直接集成到衬底上；IGBT芯片的制备方法，在氧化物层淀积之后和氧化物层刻蚀之前，还包括热敏电阻材料层淀积和热敏电阻材料层刻蚀步骤；IPM模块，包括基板，在基板上设有IGBT芯片、FRD芯片和控制电路，IGBT芯片为集成有热敏电阻的IGBT芯片。本发明所述的IGBT芯片，将热敏电阻直接集成在IGBT上，热敏电阻能够直接采集IGBT芯片的温度，大大提升采样温度的准确性。
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公开(公告)号：CN110120354A
公开(公告)日：2019-08-13
申请号：CN201910371347.X
申请日：2019-05-06
Applicant: 珠海格力电器股份有限公司
IPC: H01L21/56 , H01L23/31 , H01L25/065
Abstract: 本发明公开了一种智能功率模块的封装方法及智能功率模块。其中，该方法包括：在智能功率模块完成第一次树脂层封装后，在第一树脂层的外表面进行导电膏体印刷，其中，上述智能功率模块中的功率芯片内置于上述第一树脂层；通过对经导电膏体印刷后的智能功率模块进行第二次树脂层封装，得到封装成型的智能功率模块，其中，上述智能功率模块的驱动芯片内置于第二树脂层。本发明解决了传统的智能功率模块采用引线键合的方式电性连接导致杂散电感偏高，电流承载能力不足的技术问题。
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公开(公告)号：CN111952282A
公开(公告)日：2020-11-17
申请号：CN201910405081.6
申请日：2019-05-16
Applicant: 珠海格力电器股份有限公司
IPC: H01L23/538 , H01L27/06 , H01L21/768 , H01L21/8252
Abstract: 本申请涉及半导体技术领域，公开了一种晶体管及其制备方法，晶体管包括：衬底；形成于衬底一侧的缓冲层、沟道层、势垒层、第一漏极电极、第一栅极电极、第一源极电极、第一漏极金属引线区、第一栅极金属引线区和第一源极金属引线区；形成于衬底另一侧的第一介质层和位于第一介质层内的第二漏极电极、第二栅极电极、第二源极电极、第二漏极金属引线区、第二栅极金属引线区和第二源极金属引线区；第一源极金属引线区与第二漏极金属引线区通过贯穿于衬底的第一过孔电连接；第一栅极金属引线区与第二源极金属引线区通过贯穿于衬底的第二过孔电连接。本申请公开的晶体管缩短了互联线的长度，降低了寄生效应，也减小了芯片面积，降低了成本。
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公开(公告)号：CN111834439A
公开(公告)日：2020-10-27
申请号：CN201910323441.8
申请日：2019-04-22
Applicant: 珠海格力电器股份有限公司
IPC: H01L29/06 , H01L29/778 , H01L21/335
Abstract: 本发明涉及电子技术领域，公开一种高电子迁移率晶体管、其制备方法及电子装置，其中，高电子迁移率晶体管包括：依次设置的衬底、缓冲层和GaN沟道层，GaN沟道层包括栅极区和位于栅极区周围的非栅区域；AlGaN栅下势垒层，形成于GaN沟道层的栅极区背离缓冲层的一侧；栅电极，形成于AlGaN栅下势垒层背离GaN沟道层的侧面；AlGaN势垒层，形成于GaN沟道层的非栅区域，其中AlGaN势垒层表面形成源极和漏极；其中，AlGaN栅下势垒层的铝含量低于AlGaN势垒层的铝含量，和/或，AlGaN栅下势垒层的厚度小于AlGaN势垒层的厚度。上述高电子迁移率晶体管，可以用于缓解其阈值电压低，易误开通的技术问题。
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公开(公告)号：CN111261720A
公开(公告)日：2020-06-09
申请号：CN201811471453.7
申请日：2018-12-03
Applicant: 珠海格力电器股份有限公司
IPC: H01L29/786 , H01L29/06 , H01L21/336
Abstract: 本发明公开了一种半导体器件及其制备方法，其中，该半导体器件包括：第一导电类型半导体层；第二导电类型体区，设置在半导体层中，体区的上表面高于半导体层的上表面；第一导电类型注入区和第二导电类型注入区，相邻设置在体区中；栅极绝缘层，设置在体区上且至少部分覆盖第一导电类型注入区；栅极，设置在栅极绝缘层上。上述半导体器件，设置在第一导电类型半导体层中的第二导电类型体区的上表面高于半导体层的上表面，这样在半导体器件耐压时，承受高电场强度的氧化层不再是有效的器件栅氧，沟道处会受到体区的电场屏蔽的保护，对内部栅氧也起到一定电场屏蔽作用，提升了栅极绝缘层的可靠性，进而提高了半导体器件的可靠性。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN111834336B
公开(公告)日：2022-02-11
申请号：CN201910321865.0
申请日：2019-04-22
Applicant: 珠海零边界集成电路有限公司 , 珠海格力电器股份有限公司
IPC: H01L23/544 , H01L29/739 , H01L21/331 , H01L25/16
Abstract: 本发明公开了一种IGBT芯片及其制备方法、IPM模块，IGBT芯片，包括衬底，衬底上设置截止环，衬底上表面分别设置第一发射极焊盘、第二发射极焊盘和栅极焊盘，第一发射极焊盘、第二发射极焊盘和栅极焊盘在截止环内侧，截止环外侧的衬底上设置热敏电阻，热敏电阻在IGBT芯片的制备过程中直接集成到衬底上；IGBT芯片的制备方法，在氧化物层淀积之后和氧化物层刻蚀之前，还包括热敏电阻材料层淀积和热敏电阻材料层刻蚀步骤；IPM模块，包括基板，在基板上设有IGBT芯片、FRD芯片和控制电路，IGBT芯片为集成有热敏电阻的IGBT芯片。本发明所述的IGBT芯片，将热敏电阻直接集成在IGBT上，热敏电阻能够直接采集IGBT芯片的温度，大大提升采样温度的准确性。
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公开(公告)号：CN111952156A
公开(公告)日：2020-11-17
申请号：CN201910410169.7
申请日：2019-05-17
Applicant: 珠海零边界集成电路有限公司 , 珠海格力电器股份有限公司
IPC: H01L21/228 , H01L21/324 , H01L21/329
Abstract: 本申请涉及半导体器件制备技术领域，公开一种向硅衬底扩散铂或金的方法及快恢复二极管制备方法，其中，向硅衬底扩散铂或金的方法包括以下步骤：去除硅衬底的主结区域的氧化层；在硅衬底主结区域露出的表面滴上含有铂原子或金原子的六甲基二硅胺烷溶液；将六甲基二硅胺烷溶液旋涂于硅衬底主结区域露出的表面；软烘，使六甲基二硅胺烷溶液变为固态；去除固态六甲基二硅胺烷；对硅衬底进行热退火。上述方法抛弃了现有技术中直流溅射的传统方案，而是将含有铂原子或金原子的六甲基二硅胺烷溶液旋涂于主结区域，经过软烘并去除固态六甲基二硅胺烷后，退火，即可使铂原子或金原子扩散进主结区域内，引入复合中心，达到减小反向恢复时间的目的。
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公开(公告)号：CN209526089U
公开(公告)日：2019-10-22
申请号：CN201920556887.0
申请日：2019-04-22
Applicant: 珠海格力电器股份有限公司
IPC: H01L29/06 , H01L29/778 , H01L21/335
Abstract: 本实用新型涉及电子技术领域，公开一种高电子迁移率晶体管及电子装置，其中，高电子迁移率晶体管包括：依次设置的衬底、缓冲层和GaN沟道层，GaN沟道层包括栅极区和位于栅极区周围的非栅区域；AlGaN栅下势垒层，形成于GaN沟道层的栅极区背离缓冲层的一侧；栅电极，形成于AlGaN栅下势垒层背离GaN沟道层的侧面；AlGaN势垒层，形成于GaN沟道层的非栅区域，其中，AlGaN势垒层表面形成源极和漏极；其中，AlGaN栅下势垒层的铝含量低于AlGaN势垒层的铝含量，和/或，AlGaN栅下势垒层的厚度小于AlGaN势垒层的厚度。上述高电子迁移率晶体管，可以用于缓解其阈值电压低，易误开通的技术问题。(ESM)同样的发明创造已同日申请发明专利
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公开(公告)号：CN209658160U
公开(公告)日：2019-11-19
申请号：CN201920647522.9
申请日：2019-05-07
Applicant: 珠海格力电器股份有限公司
IPC: H01L23/367 , H01L25/07 , H01L21/50
Abstract: 本实用新型涉及电子技术领域，公开了一种功率模块，该功率模块包括基板、设置于基板一侧的功率芯片组、设置于基板另一侧的散热器以及设置于功率芯片组背离基板一侧的散热桥；功率芯片组包括至少两个功率芯片；散热桥包括散热桥导电层以及散热桥导热层，散热桥导电层与每个功率芯片第一面上的电极电连接，散热桥导热层包括正投影覆盖基板的中间区域以及与中间区域连接且伸出基板的边缘区域，中间区域位于散热桥导电层背离功率芯片组的一侧，边缘区域形成有朝向基板所在平面弯折的弯折结构，弯折结构与散热器连接。该功率模块中功率芯片上的热量既能从基板上导出至散热器，又能从散热桥导出至散热器，能够利用一个散热器实现双面散热。(ESM)同样的发明创造已同日申请发明专利
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公开(公告)号：CN209526080U
公开(公告)日：2019-10-22
申请号：CN201920641003.1
申请日：2019-05-06
Applicant: 珠海格力电器股份有限公司
IPC: H01L23/31 , H01L25/065
Abstract: 本实用新型公开了一种智能功率模块。其中，该智能功率模块包括：第一树脂层和第二树脂层，分层设置在智能功率模块的芯片和引线框架外部，用于为上述芯片提供电性保护，上述芯片至少包括：功率芯片和驱动芯片；上述功率芯片，设置在上述第一树脂层内，上述第一树脂层的外表面印刷有导电膏体；上述驱动芯片，设置在上述第二树脂层内，与上述功率芯片连接，用于对上述功率芯片进行驱动控制。本实用新型解决了传统的智能功率模块采用引线键合的方式电性连接导致杂散电感偏高，电流承载能力不足等的技术问题。(ESM)同样的发明创造已同日申请发明专利
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