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公开(公告)号：CN114666179A
公开(公告)日：2022-06-24
申请号：CN202111275675.3
申请日：2021-10-29
Applicant: 西安微电子技术研究所
Abstract: 本发明公开了一种FlexRay总线纠偏值的计算方法，本发明能够对通道A、通道B以及通道A、B三种情况下的偏差值进行处理，计算该偏差值的rate纠偏值和offset纠偏值，并且均对计算进行了修正；本发明采用一种简单的方法，并结合递归的方法实现了容错中值算法；本发明的方法可以用于FPGA或者ASIC电路中。
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公开(公告)号：CN111181564A
公开(公告)日：2020-05-19
申请号：CN202010172482.4
申请日：2020-03-12
Applicant: 西安微电子技术研究所
IPC: H03M1/38
Abstract: 本发明公开了一种SAR型ADC的增益误差的校准装置及其校准方法，属于ADC转换增益误差的校正领域。本发明的校准装置，引入增益误差校准电容阵列对增益误差进行校准，可有效减小增益误差，提高ADC的转换精度。该增益误差校准技术具有双极性增益误差可校准性；该增益误差校准具有校准精度可调节性，可对不同极性和幅度的增益误差实现调整。本发明的校准方法，在校准时不影响正常的AD转换。
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公开(公告)号：CN118714474A
公开(公告)日：2024-09-27
申请号：CN202410754751.6
申请日：2024-06-12
Applicant: 西安微电子技术研究所
Abstract: 本发明公开了一种应用于CMOS图像传感器的读出电路及控制方法，属于CMOS图像传感器领域，包括：像素信号采样模块、采样保持读出模块和模数转换模块，像素信号采样模块采集每行像元的复位信号和光电信号；采样保持读出模块包括MOS电容将像素信号采样模块所采集的每行像元的复位信号和光电信号以高帧频模式或低噪声模式的工作方式分别存储至不同的MOS电容；模数转换模块将MOS电容中存储的复位信号和光电信号进行模数转换得到数字码。本发明能够解决现有技术的读出噪声较大的问题。
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公开(公告)号：CN116567441A
公开(公告)日：2023-08-08
申请号：CN202310179255.8
申请日：2023-02-28
Applicant: 西安微电子技术研究所
Abstract: 本发明提供一种面向品拼接工艺的可复用版图和拼接补偿校准装置，包括多级依次连接的拼接块，每一级拼接块一一对应连接有斜坡生成补偿电路，斜坡生成补偿电路连接有A/D转换电路；拼接块中均排列设置有多级电路组，每级电路组中包括两根信号电路；拼接块中的首级电路组接入对应的斜坡生成补偿电路组，仅其余级电路组与下一级拼接块的多级电路组依次连接，且首级拼接块之后的所有拼接块的多级电路组接入信号的数量逐级递减；本申请每一级拼接块为可复用版图，通过可复用版图将光刻版数目降低为一套，有效解决了超大面阵图像传感器采用多套光刻版的高成本问题，以及不同拼接块之间的工艺差异问题，同时，斜坡生成补偿电路能够大幅优化成像质量。
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公开(公告)号：CN110190833B
公开(公告)日：2023-02-07
申请号：CN201910592633.9
申请日：2019-07-03
Applicant: 西安微电子技术研究所
IPC: H03K3/013 , H03K3/3562
Abstract: 本发明公开了一种抗单粒子翻转的自检测自恢复同步复位D触发器，D触发器的时钟信号输入电路分别与时钟信号输入端C、自检测自恢复同步复位主锁存器和自检测自恢复同步复位从锁存器连接，能够产生一个与时钟信号输入端C逻辑状态相反和相同的输出信号CN、CP；SEU监测电路分别与自检测自恢复同步复位主锁存器及自检测自恢复同步复位从锁存器连接；自检测自恢复同步复位主锁存器分别与数据信号输入端D、复位信号输入端RN及自检测自恢复同步复位从锁存器连接；自检测自恢复同步复位从锁存器与输出电路连接；输出电路与第一输出端Q及第二输出端QN连接。本发明触发器状态可控能力强，抗单粒子翻转能力强，工作方式灵活。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN115694471A
公开(公告)日：2023-02-03
申请号：CN202211339506.6
申请日：2022-10-25
Applicant: 西安微电子技术研究所
IPC: H03K19/0185 , H03K19/003
Abstract: 本发明公开了一种用于超大面阵超低温红外图像传感器的电平移位结构，包括转换信号输入管；电平钳位管的栅端接收电平VREF，电平钳位管的源端分别连接反馈管的源端、反向N管的栅端、反向P管的栅端；电平钳位管的漏端连接转换信号输入管的源端；转换信号输入管的漏端接地；转换信号输入管的栅端接IP；反馈管的漏端与上拉管的源端相接，上拉管的栅端接IP，上拉管的漏端接电源VDD；反向P管的源端接电源VDD，反向P管的漏端连接反向N管的源端，反向N管的漏端接地；电平VREF由电平VREF钳位匹配电压产生电路产生。保证转换信号输入管(低阈值管)的源漏电压不超过1.2V，确保该器件工作在正常的电压区间，避免击穿风险。
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公开(公告)号：CN115050768A
公开(公告)日：2022-09-13
申请号：CN202210737686.7
申请日：2022-06-27
Applicant: 西安微电子技术研究所
IPC: H01L27/146
Abstract: 本发明公开了一种增强吸收的背照式抗辐照PPD像元结构及其实现方法，像元结构中阱注入区、传输管阈值调整注入层和PD注入区设置在外延层上，传输管阈值调整注入层的一侧设置有栅氧化层和栅极，FD区位于阱注入区内部，高k介质层覆盖器件表面，钝化层淀积在器件表面。通过淀积高k介质层与反射金属层，利用金属与半导体之间的功函数差，在半导体PD注入区的表面感应出空穴，并通过将金属层与外延层共同接到电源地，实现对PPD表面感生空穴层的电位钳制，从而避免了通过高剂量离子注入的方式形成光电二极管表面的钳位层，有效的减少了PPD表面由于注入损伤引入的缺陷，减少了光电二极管中光电子在表面的复合，提升了像素单元的量子效率。
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公开(公告)号：CN114979522A
公开(公告)日：2022-08-30
申请号：CN202210550325.1
申请日：2022-05-20
Applicant: 西安微电子技术研究所
Abstract: 本发明公开了一种自适应像素级高动态CMOS图像传感器及其实现方法，由像素阵列输出光电信号，将光电信号分别输入至列级ADC读出电路和像素级ADC电路；列级ADC读出电路中的比较器分别接收光电信号和斜坡信号，比较结果通过计数器传输至数据合成器；像素级ADC电路中的比较单元分别接收光电信号和参考信号，比较结果通过寄存器单元处理后，分别输送至控制单元和数据合成器，控制单元生成控制时长数据并将其反馈至像素阵列，数据合成器中产生最终结果输出。将像素级ADC电路的高实时性特点和列级ADC读出电路的高精度特点有机结合，由数据合成器输出最终结果，在光线快速变化时，实现高动态成像需求。
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公开(公告)号：CN114545201A
公开(公告)日：2022-05-27
申请号：CN202210143515.1
申请日：2022-02-16
Applicant: 西安微电子技术研究所
IPC: G01R31/28
Abstract: 本发明公开了一种总线回环测试结构和方法，包括寄存器配置模块、时间产生模块、时钟同步模块、数据发送模块、数据接收模块、回环时间产生模块、回环数据发送模块；时间产生模块和回环时间产生模块各自产生独立的周期和时隙信息；在回环使能时，将回环数据发送模块的输出TX_LP与数据发送模块的输出TX进行与操作，并与RX进行连接。可以完成时间触发类总线的回环测试，提高了总线的测试效率。
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公开(公告)号：CN113946535A
公开(公告)日：2022-01-18
申请号：CN202111275681.9
申请日：2021-10-29
Applicant: 西安微电子技术研究所
Abstract: 本发明公开了一种总线的宏节拍和周期生成方法，本发明能够生成FlexRay总线中基础的时间uT、MT和时钟周期，并将rate修正值和offset修正值应用到周期长度的修正之中，为FlexRay总线数据的接收和发送提供了时间依据。本发明针对FlexRay总线中的主导冷启动节点和非主导冷启动节点，均可以生成总线的uT、MT和周期，增强了应用的广泛性；本发明针对单通道和双通道，均可以产生uT、MT和周期；本发明将周期分为奇数周期和偶数周期，将rate修正值应用于全周期中；将offset修正值应用于奇数周期中，有效解决了系统纠正值的应用问题。
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