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公开(公告)号：CN113873184B
公开(公告)日：2023-10-17
申请号：CN202111277411.1
申请日：2021-10-29
Applicant: 西安微电子技术研究所
IPC: H04N25/76 , H04N25/772 , H04N17/00
Abstract: 本发明公开了一种图像传感器芯片级ADC修调系统，包括修调控制模块和修调预写入模块，修调控制模块连接修调预写入模块，修调控制模块用于输出控制信号给修调预写入模块，修调预写入模块的修调输出连接到ADC模块的控制端，与ADC模块的各待修正模块连接，用于输出修调控制信号，针对系统修调预写入、电容失配修调、功耗修调和误差修调，可有效弥补工艺偏差失配、工艺角偏离等因素引起的性能参数下降和功耗超差、提升ADC的关键动态和静态参数，具有很高的实用性。
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公开(公告)号：CN112422955B
公开(公告)日：2022-08-12
申请号：CN202011166168.1
申请日：2020-10-27
Applicant: 西安微电子技术研究所
IPC: H04N17/00
Abstract: 本发明公开了一种用于CMOS图像传感器的ADC固有噪声分析方法，属于仿真分析领域。一种用于CMOS图像传感器的ADC固有噪声分析方法，包括以下步骤：1)对ADC比较器的翻转进行仿真分析，得出翻转区间偏移；2)计算所述翻转区间偏移分布在ADC计数器的一个时钟周期内的概率和跨越多个时钟周期的概率，并计算由此而引起的CMOS图像传感器噪声电压；3)将所述CMOS图像传感器噪声电压和对应的概率相乘，得到由ADC固有噪声引起的CMOS图像传感器噪声的计算值。本发明的分析方法，确定了由ADC固有噪声而引起CMOS图像传感器的整体噪声，在设计阶段有利于明确设计值是否满足设计要求，为噪声设计改进提供依据。
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公开(公告)号：CN114050155A
公开(公告)日：2022-02-15
申请号：CN202111264689.5
申请日：2021-10-28
Applicant: 西安微电子技术研究所
Abstract: 本发明提供一种用于收发器的高耐压抗静电结构，多个对应端口两侧均连接有高耐压二极管结构，端口均为仅一侧导通高耐压二极管结构的阳极，形成多个对应端口线路组，且每个对应端口线路组至少形成两条放电通道；通过反偏二极管和正偏二级管的组合，端口到端口之间至少存在两条放电通道，大幅度减小了单条放电通道的压力，满足超高电压静电放电要求，当端口到端口的其中一条放电通道负荷过重，另外一条放电通道负荷较轻，则均衡放电通道平衡器件被触发，承受电压过大的一侧，通过均衡放电通道平衡器件向负荷较轻的一侧分流，实现双侧均衡放电，双侧均衡放电技术，有效避免了单一通道放电负荷过大而另一通道负荷较小的放电不平衡问题，显著提升器件的抗静电特性。
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公开(公告)号：CN120016824A
公开(公告)日：2025-05-16
申请号：CN202510227092.5
申请日：2025-02-27
Applicant: 西安微电子技术研究所
IPC: H02M3/07
Abstract: 本发明属于模拟集成电路设计技术领域，具体涉及一种通用型低功耗片上负压产生电路，本发明主要包括包括负压电荷泵产生模块、环形振荡器、第一电容、第二电容和低通滤波器；不需要基准电压、反馈网络、非交叠时钟及复杂的振荡电路，通过反相器互联产生振荡输出，输出频率不影响负压电荷泵输出值；通过多路选通二极管阵列，将幅值介于二极管阈值电压和‑vdd之间的周期信号转化为较为稳定的负压信号；然后通过低通滤波，给运算放大器提供一个稳定的负压地。
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公开(公告)号：CN119946459A
公开(公告)日：2025-05-06
申请号：CN202510004210.6
申请日：2025-01-02
Applicant: 西安微电子技术研究所
IPC: H04N25/76 , H04N25/706
Abstract: 本发明涉及图像传感器技术领域，具体涉及一种触发型CMOS图像传感器及其实现方法；所述控制电路包括用于输出光电信号的输出电路和用于输入光电信号的读出电路，所述输出电路包括复位管S4、传输管S5、输出管S6、源跟随管S10、比较单元、开关S8、开关S7以及光电信号存储电容；本发明采用像素级光电信号存储和比较方式，确定后一次图像与前一次图像在单个像素的上变化情况，对变化信号进行量化并标识位置信息，极大的缩短了量化和处理时间，大幅降低了功耗和提升了帧频，对目标检测、跟踪、边境监测等事件发现应用场景具有重要的意义。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN113992871B
公开(公告)日：2023-11-24
申请号：CN202111277400.3
申请日：2021-10-29
Applicant: 西安微电子技术研究所
Abstract: 本发明公开了一种用于CMOS图像传感器芯片级ADC的双位移位校正系统，包括依次连接的SH电路、多级串联的编码器电路和flash ADC电路，SH电路用于电荷分享或者电容翻转结构实现，每级编码器电路输出4位数字码，含两位校正码；根据电容的电荷守恒原理，采用电荷分享采样技术，实现了双位移位校正功能，每级4bit输出，两位校正算法，级间闭环增益只有4倍，采用非交叠时钟控制，前级采样，后级放大输出，流水线工作，降低了级间闭环增益，降低了后级量化范围，提升了校正区间，对于ADC的整体性能提升具有显著效果。采用多级串联的编码器电路，可有效降低系统功耗、提升量化输入摆幅并极大提升SFDR等关键动态参数，具有很高的实用性。
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公开(公告)号：CN112992863B
公开(公告)日：2023-06-20
申请号：CN202110222735.9
申请日：2021-02-26
Applicant: 西安微电子技术研究所
IPC: H01L23/538 , H01L31/02 , H01L25/065 , H01L27/144
Abstract: 本发明提供了一种覆盖可见光波段和红外波段的光电探测器，包括光电探测器本体，所述光电探测器本体包括靠近光线由顶至底设置的第一晶圆、第二晶圆和第三晶圆；所述第一晶圆、第二晶圆和第三晶圆依次叠加设置；所述第一晶圆上装配有若干个可见光像元和读出电路；所述第二晶圆上装配有若干个红外读出电路；所述第三晶圆上装配有若干个红外像元阵列；第一晶圆与第二晶圆硅片键合设置，所述第三晶圆通过第一晶圆与第二晶圆硅片键合后互联设置，实现可见光波段图像和红外波段图像的探测，该光电探测器结构简单，操作方便，便于在复杂的光照条件下进行成像，满足星体追踪，目标识别，深空探测等多领域的应用需求。
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公开(公告)号：CN114937677A
公开(公告)日：2022-08-23
申请号：CN202210688398.7
申请日：2022-06-17
Applicant: 西安微电子技术研究所
IPC: H01L27/146
Abstract: 本发明公开了一种埋层沟道背照式抗辐照像元加固结构和制备方法，包括外延层；外延层上刻蚀形成STI槽，外延层上进行阱注入形成STI阱注入区与传输管阱注入区，STI槽设置在STI阱注入区中；外延层上通过离子注入分别依次形成P埋层注入区、N埋层沟道注入区和传输管阈值调整注入区；P埋层注入区与传输管阱注入区相连接；外延层的下表面淀积有栅氧化层和多晶硅栅极；外延层通过自对准注入工艺分别形成N型PD注入区、N型FD注入区和P型钳位层注入区；FD注入区的下表面淀积有FD欧姆接触金属形成欧姆接触；外延层的下表面外侧淀积有钝化层。使实际的光电子传输沟道与栅氧化层/半导体界面分离，提升像元的抗辐照能力。
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公开(公告)号：CN116567441A
公开(公告)日：2023-08-08
申请号：CN202310179255.8
申请日：2023-02-28
Applicant: 西安微电子技术研究所
Abstract: 本发明提供一种面向品拼接工艺的可复用版图和拼接补偿校准装置，包括多级依次连接的拼接块，每一级拼接块一一对应连接有斜坡生成补偿电路，斜坡生成补偿电路连接有A/D转换电路；拼接块中均排列设置有多级电路组，每级电路组中包括两根信号电路；拼接块中的首级电路组接入对应的斜坡生成补偿电路组，仅其余级电路组与下一级拼接块的多级电路组依次连接，且首级拼接块之后的所有拼接块的多级电路组接入信号的数量逐级递减；本申请每一级拼接块为可复用版图，通过可复用版图将光刻版数目降低为一套，有效解决了超大面阵图像传感器采用多套光刻版的高成本问题，以及不同拼接块之间的工艺差异问题，同时，斜坡生成补偿电路能够大幅优化成像质量。
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公开(公告)号：CN115694471A
公开(公告)日：2023-02-03
申请号：CN202211339506.6
申请日：2022-10-25
Applicant: 西安微电子技术研究所
IPC: H03K19/0185 , H03K19/003
Abstract: 本发明公开了一种用于超大面阵超低温红外图像传感器的电平移位结构，包括转换信号输入管；电平钳位管的栅端接收电平VREF，电平钳位管的源端分别连接反馈管的源端、反向N管的栅端、反向P管的栅端；电平钳位管的漏端连接转换信号输入管的源端；转换信号输入管的漏端接地；转换信号输入管的栅端接IP；反馈管的漏端与上拉管的源端相接，上拉管的栅端接IP，上拉管的漏端接电源VDD；反向P管的源端接电源VDD，反向P管的漏端连接反向N管的源端，反向N管的漏端接地；电平VREF由电平VREF钳位匹配电压产生电路产生。保证转换信号输入管(低阈值管)的源漏电压不超过1.2V，确保该器件工作在正常的电压区间，避免击穿风险。
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