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公开(公告)号：CN118714474A
公开(公告)日：2024-09-27
申请号：CN202410754751.6
申请日：2024-06-12
Applicant: 西安微电子技术研究所
Abstract: 本发明公开了一种应用于CMOS图像传感器的读出电路及控制方法，属于CMOS图像传感器领域，包括：像素信号采样模块、采样保持读出模块和模数转换模块，像素信号采样模块采集每行像元的复位信号和光电信号；采样保持读出模块包括MOS电容将像素信号采样模块所采集的每行像元的复位信号和光电信号以高帧频模式或低噪声模式的工作方式分别存储至不同的MOS电容；模数转换模块将MOS电容中存储的复位信号和光电信号进行模数转换得到数字码。本发明能够解决现有技术的读出噪声较大的问题。
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公开(公告)号：CN114979522A
公开(公告)日：2022-08-30
申请号：CN202210550325.1
申请日：2022-05-20
Applicant: 西安微电子技术研究所
Abstract: 本发明公开了一种自适应像素级高动态CMOS图像传感器及其实现方法，由像素阵列输出光电信号，将光电信号分别输入至列级ADC读出电路和像素级ADC电路；列级ADC读出电路中的比较器分别接收光电信号和斜坡信号，比较结果通过计数器传输至数据合成器；像素级ADC电路中的比较单元分别接收光电信号和参考信号，比较结果通过寄存器单元处理后，分别输送至控制单元和数据合成器，控制单元生成控制时长数据并将其反馈至像素阵列，数据合成器中产生最终结果输出。将像素级ADC电路的高实时性特点和列级ADC读出电路的高精度特点有机结合，由数据合成器输出最终结果，在光线快速变化时，实现高动态成像需求。
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公开(公告)号：CN113885641A
公开(公告)日：2022-01-04
申请号：CN202111250905.0
申请日：2021-10-26
Applicant: 西安微电子技术研究所
IPC: G05F1/567
Abstract: 本发明公开了一种用于带隙基准源的高低温补偿电路，高温电流比较器的正极与PTAT电流镜像电路的第一输出端连接，负极与CTAT电流镜像电路的第一输出端连接，输出端通过高温补偿支路开关与PTAT补偿电流源连接；低温电流比较器的正极与PTAT电流镜像电路的第一输出端连接，负极与CTAT电流镜像电路的第二输出端连接，输出端通过低温补偿支路开关与CTAT补偿电流源连接；电流求和电路的第一输入端与高温补偿支路开关连接，电流求和电路的第二输入端与低温补偿支路开关连接，PTAT电流镜像电路的第二输出端和CTAT电流镜像电路的第三输出端均与电流求和电路的第三输入端连接，本发明能够大幅提高带隙基准源在全温度范围内的输出精度。
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公开(公告)号：CN113014251B
公开(公告)日：2023-06-02
申请号：CN202110255196.9
申请日：2021-03-09
Applicant: 西安微电子技术研究所
Abstract: 本发明公开了一种用于DC‑DC开关电源的频率可调振荡器控制电路，包括电压‑电流比较器模块、精确电流产生模块、数字控制模块和主电流产生模块；所述数字控制模块用于转换控制信号，控制精确电流产生模块；所述精确电流产生模块用于产生不同大小的电流，为电压‑电流比较器模块提供电流源；所述电压‑电流比较器模块用于控制电压经过比较后转换为上拉或下拉电流，调节输出电流的大小；所述主电流产生模块用于产生中心频率的电流，通过拉入和拉出精确电流调节产生所需充放电电流。能够提高开关电源芯片工作频率的调节范围，通过简单的改变控制信号控制振荡器产生9种不同的频率信号，适用范围广、使用简单、电路面积小。
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公开(公告)号：CN113885641B
公开(公告)日：2022-09-13
申请号：CN202111250905.0
申请日：2021-10-26
Applicant: 西安微电子技术研究所
IPC: G05F1/567
Abstract: 本发明公开了一种用于带隙基准源的高低温补偿电路，高温电流比较器的正极与PTAT电流镜像电路的第一输出端连接，负极与CTAT电流镜像电路的第一输出端连接，输出端通过高温补偿支路开关与PTAT补偿电流源连接；低温电流比较器的正极与PTAT电流镜像电路的第一输出端连接，负极与CTAT电流镜像电路的第二输出端连接，输出端通过低温补偿支路开关与CTAT补偿电流源连接；电流求和电路的第一输入端与高温补偿支路开关连接，电流求和电路的第二输入端与低温补偿支路开关连接，PTAT电流镜像电路的第二输出端和CTAT电流镜像电路的第三输出端均与电流求和电路的第三输入端连接，本发明能够大幅提高带隙基准源在全温度范围内的输出精度。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN110049263B
公开(公告)日：2021-06-29
申请号：CN201910469549.8
申请日：2019-05-31
Applicant: 西安微电子技术研究所
Abstract: 本发明公开了一种用于超大面阵CMOS图像传感器的高速高精度锁相环电路，属于图像传感器技术领域。该锁相环电路，三级交叉耦合互补振荡单元依次反向级联；NM5的栅端接PD信号，NM5的漏端、NM2的栅端、NM3的栅端、NM4的栅端均与输入电压端相连接，NM2的源端、NM3的源端、NM4的源端均与的NM5源端相连，NM2的漏端输出Ictrl1，Ictrl1作为频率调节电流输入第一级；NM3的漏端输出Ictrl2，Ictrl2作为频率调节电流输入第二级；NM4的漏端输出Ictrl3，Ictrl3作为频率调节电流输入第三级。该锁相环电路，提高锁相环内压控振荡器的频率调节范围，并能调节锁相环的振荡器中心频率。
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公开(公告)号：CN114885108B
公开(公告)日：2025-03-07
申请号：CN202210550326.6
申请日：2022-05-20
Applicant: 西安微电子技术研究所
Abstract: 本发明公开了一种低功耗CMOS图像传感器结构及其实现方法，包括像元阵列、采样放大单元、比较单元、DAC码值产生器、DAC斜坡产生器、寄存处理单元和输出电路单元；对像元阵列的模拟信号采样放大后得到输入信号，将其传输至比较单元一输入端，DAC码值产生器的数字码值传输至DAC斜坡产生器，将斜坡信号传输至比较单元另一输入端，斜坡信号大于输入信号时，比较单元产生翻转信号，寄存处理单元存储此时的数字码值，对其进行处理后，将结果输出。码值产生器兼具数码产生和计数功能，避免传统计数器在A/D转换时产生大量翻转和计数，有效降低图像传感器整体功耗和由于高功耗而产生的热量聚集现象，提升了温度敏感型图像传感器性能。
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公开(公告)号：CN114979522B
公开(公告)日：2024-09-27
申请号：CN202210550325.1
申请日：2022-05-20
Applicant: 西安微电子技术研究所
Abstract: 本发明公开了一种自适应像素级高动态CMOS图像传感器及其实现方法，由像素阵列输出光电信号，将光电信号分别输入至列级ADC读出电路和像素级ADC电路；列级ADC读出电路中的比较器分别接收光电信号和斜坡信号，比较结果通过计数器传输至数据合成器；像素级ADC电路中的比较单元分别接收光电信号和参考信号，比较结果通过寄存器单元处理后，分别输送至控制单元和数据合成器，控制单元生成控制时长数据并将其反馈至像素阵列，数据合成器中产生最终结果输出。将像素级ADC电路的高实时性特点和列级ADC读出电路的高精度特点有机结合，由数据合成器输出最终结果，在光线快速变化时，实现高动态成像需求。
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公开(公告)号：CN111510114B
公开(公告)日：2023-02-07
申请号：CN202010426147.2
申请日：2020-05-19
Applicant: 西安微电子技术研究所
IPC: H03K4/501
Abstract: 本发明公开了一种时钟发生器电路，属于时钟发生器领域。本发明的时钟发生器电路，选择器由S和SN两开关控制，用于选择由偏置电压产生电路输出的参考高电平或参考低电平，比较器的两端分别接选择器的输出和锯齿波，参考电平小于锯齿波时，比较器输出高电平，选择器的两开关S＝0，SN＝1，使选择器输出参考高电平REFH，锯齿波电压不断增大，直至参考电平大于锯齿波，比较器翻转，输出低电平；参考电平大于锯齿波时，过程类似，以上翻转一直持续，从而形成振荡，振荡频率可由REFH和REFL的压差或锯齿信号产生模块的产生速率动态调节。
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公开(公告)号：CN114885108A
公开(公告)日：2022-08-09
申请号：CN202210550326.6
申请日：2022-05-20
Applicant: 西安微电子技术研究所
IPC: H04N5/374 , H01L27/146
Abstract: 本发明公开了一种低功耗CMOS图像传感器结构及其实现方法，包括像元阵列、采样放大单元、比较单元、DAC码值产生器、DAC斜坡产生器、寄存处理单元和输出电路单元；对像元阵列的模拟信号采样放大后得到输入信号，将其传输至比较单元一输入端，DAC码值产生器的数字码值传输至DAC斜坡产生器，将斜坡信号传输至比较单元另一输入端，斜坡信号大于输入信号时，比较单元产生翻转信号，寄存处理单元存储此时的数字码值，对其进行处理后，将结果输出。码值产生器兼具数码产生和计数功能，避免传统计数器在A/D转换时产生大量翻转和计数，有效降低图像传感器整体功耗和由于高功耗而产生的热量聚集现象，提升了温度敏感型图像传感器性能。
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