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公开(公告)号：CN118714474A
公开(公告)日：2024-09-27
申请号：CN202410754751.6
申请日：2024-06-12
Applicant: 西安微电子技术研究所
Abstract: 本发明公开了一种应用于CMOS图像传感器的读出电路及控制方法，属于CMOS图像传感器领域，包括：像素信号采样模块、采样保持读出模块和模数转换模块，像素信号采样模块采集每行像元的复位信号和光电信号；采样保持读出模块包括MOS电容将像素信号采样模块所采集的每行像元的复位信号和光电信号以高帧频模式或低噪声模式的工作方式分别存储至不同的MOS电容；模数转换模块将MOS电容中存储的复位信号和光电信号进行模数转换得到数字码。本发明能够解决现有技术的读出噪声较大的问题。
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公开(公告)号：CN116567441A
公开(公告)日：2023-08-08
申请号：CN202310179255.8
申请日：2023-02-28
Applicant: 西安微电子技术研究所
Abstract: 本发明提供一种面向品拼接工艺的可复用版图和拼接补偿校准装置，包括多级依次连接的拼接块，每一级拼接块一一对应连接有斜坡生成补偿电路，斜坡生成补偿电路连接有A/D转换电路；拼接块中均排列设置有多级电路组，每级电路组中包括两根信号电路；拼接块中的首级电路组接入对应的斜坡生成补偿电路组，仅其余级电路组与下一级拼接块的多级电路组依次连接，且首级拼接块之后的所有拼接块的多级电路组接入信号的数量逐级递减；本申请每一级拼接块为可复用版图，通过可复用版图将光刻版数目降低为一套，有效解决了超大面阵图像传感器采用多套光刻版的高成本问题，以及不同拼接块之间的工艺差异问题，同时，斜坡生成补偿电路能够大幅优化成像质量。
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公开(公告)号：CN115694471A
公开(公告)日：2023-02-03
申请号：CN202211339506.6
申请日：2022-10-25
Applicant: 西安微电子技术研究所
IPC: H03K19/0185 , H03K19/003
Abstract: 本发明公开了一种用于超大面阵超低温红外图像传感器的电平移位结构，包括转换信号输入管；电平钳位管的栅端接收电平VREF，电平钳位管的源端分别连接反馈管的源端、反向N管的栅端、反向P管的栅端；电平钳位管的漏端连接转换信号输入管的源端；转换信号输入管的漏端接地；转换信号输入管的栅端接IP；反馈管的漏端与上拉管的源端相接，上拉管的栅端接IP，上拉管的漏端接电源VDD；反向P管的源端接电源VDD，反向P管的漏端连接反向N管的源端，反向N管的漏端接地；电平VREF由电平VREF钳位匹配电压产生电路产生。保证转换信号输入管(低阈值管)的源漏电压不超过1.2V，确保该器件工作在正常的电压区间，避免击穿风险。
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公开(公告)号：CN115050768A
公开(公告)日：2022-09-13
申请号：CN202210737686.7
申请日：2022-06-27
Applicant: 西安微电子技术研究所
IPC: H01L27/146
Abstract: 本发明公开了一种增强吸收的背照式抗辐照PPD像元结构及其实现方法，像元结构中阱注入区、传输管阈值调整注入层和PD注入区设置在外延层上，传输管阈值调整注入层的一侧设置有栅氧化层和栅极，FD区位于阱注入区内部，高k介质层覆盖器件表面，钝化层淀积在器件表面。通过淀积高k介质层与反射金属层，利用金属与半导体之间的功函数差，在半导体PD注入区的表面感应出空穴，并通过将金属层与外延层共同接到电源地，实现对PPD表面感生空穴层的电位钳制，从而避免了通过高剂量离子注入的方式形成光电二极管表面的钳位层，有效的减少了PPD表面由于注入损伤引入的缺陷，减少了光电二极管中光电子在表面的复合，提升了像素单元的量子效率。
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公开(公告)号：CN114979522A
公开(公告)日：2022-08-30
申请号：CN202210550325.1
申请日：2022-05-20
Applicant: 西安微电子技术研究所
Abstract: 本发明公开了一种自适应像素级高动态CMOS图像传感器及其实现方法，由像素阵列输出光电信号，将光电信号分别输入至列级ADC读出电路和像素级ADC电路；列级ADC读出电路中的比较器分别接收光电信号和斜坡信号，比较结果通过计数器传输至数据合成器；像素级ADC电路中的比较单元分别接收光电信号和参考信号，比较结果通过寄存器单元处理后，分别输送至控制单元和数据合成器，控制单元生成控制时长数据并将其反馈至像素阵列，数据合成器中产生最终结果输出。将像素级ADC电路的高实时性特点和列级ADC读出电路的高精度特点有机结合，由数据合成器输出最终结果，在光线快速变化时，实现高动态成像需求。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN111294531B
公开(公告)日：2021-11-05
申请号：CN202010171737.5
申请日：2020-03-12
Applicant: 西安微电子技术研究所
Abstract: 本发明公开了一种高帧频CMOS图像传感器及其实现方法，属于CMOS图像传感器的帧频提升领域。本发明的高帧频CMOS图像传感器及其实现方法，时钟发生器通过时钟延迟单元产生多路异步时钟信号，异步时钟信号具有均匀的相位差，上升沿计数器和下降沿计数器根据异步时钟信号进行触发计数，而上升沿计数器和上下降沿计数器分别在时钟信号的上升沿和下降沿触发并计数，实现分辨率指数级提升，在同样分辨率下，实现帧频指数级提升。
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公开(公告)号：CN111355907A
公开(公告)日：2020-06-30
申请号：CN202010172479.2
申请日：2020-03-12
Applicant: 西安微电子技术研究所
IPC: H04N5/374 , H04N5/3745
Abstract: 本发明公开了一种用于CMOS图像传感器的列级ADC及其实现方法，属于CMOS图像传感器的模拟数字转换器领域。本发明的列级ADC，比较器第一级负端输入为光电信号Vin，其正端输入为斜坡参考信号，比较器第一级的输出端与比较器第二级的输入端相连，比较器第二级的输出端通过补偿电容与比较器第一级的正端相连接，比较器第二级的输出端还提供有外部输出；比较器第一级和比较器第二级的翻转方向相反。本发明可有效抑制斜坡信号畸变，提升转换精度。
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公开(公告)号：CN113873184B
公开(公告)日：2023-10-17
申请号：CN202111277411.1
申请日：2021-10-29
Applicant: 西安微电子技术研究所
IPC: H04N25/76 , H04N25/772 , H04N17/00
Abstract: 本发明公开了一种图像传感器芯片级ADC修调系统，包括修调控制模块和修调预写入模块，修调控制模块连接修调预写入模块，修调控制模块用于输出控制信号给修调预写入模块，修调预写入模块的修调输出连接到ADC模块的控制端，与ADC模块的各待修正模块连接，用于输出修调控制信号，针对系统修调预写入、电容失配修调、功耗修调和误差修调，可有效弥补工艺偏差失配、工艺角偏离等因素引起的性能参数下降和功耗超差、提升ADC的关键动态和静态参数，具有很高的实用性。
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公开(公告)号：CN112422955B
公开(公告)日：2022-08-12
申请号：CN202011166168.1
申请日：2020-10-27
Applicant: 西安微电子技术研究所
IPC: H04N17/00
Abstract: 本发明公开了一种用于CMOS图像传感器的ADC固有噪声分析方法，属于仿真分析领域。一种用于CMOS图像传感器的ADC固有噪声分析方法，包括以下步骤：1)对ADC比较器的翻转进行仿真分析，得出翻转区间偏移；2)计算所述翻转区间偏移分布在ADC计数器的一个时钟周期内的概率和跨越多个时钟周期的概率，并计算由此而引起的CMOS图像传感器噪声电压；3)将所述CMOS图像传感器噪声电压和对应的概率相乘，得到由ADC固有噪声引起的CMOS图像传感器噪声的计算值。本发明的分析方法，确定了由ADC固有噪声而引起CMOS图像传感器的整体噪声，在设计阶段有利于明确设计值是否满足设计要求，为噪声设计改进提供依据。
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公开(公告)号：CN111263088B
公开(公告)日：2022-03-22
申请号：CN202010117697.6
申请日：2020-02-25
Applicant: 西安微电子技术研究所
Abstract: 一种用于8T像元的高速采样电路及其控制方法，采样电路中包括运算放大，外接测试光电信号选通开关，外接测试复位信号选通开关，列采样开关，可调采样电容控制开关，可调反馈电容控制开关，缓冲开关，输出采样复位控制开关，输出采样信号控制开关，输出采样复位控制开关，输出采样信号控制开关，采样电容，反馈电容以及输出采样电容。不同于传统的相关双采样电路，本发明通过连续流水采样电路提高读出电路的输出速率，具有外部可测性设计、去失调设计、低噪声时序设计和高速输出采样设计，提高了数据处理速度。
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