公开(公告)号：CN114937677A

公开(公告)日：2022-08-23

申请号：CN202210688398.7

申请日：2022-06-17

Applicant: 西安微电子技术研究所

Inventor： 吕智军 ,  李婷 ,  李海松 ,  何杰 ,  徐晚成 ,  崔双韬 ,  曹天骄 ,  袁昕 ,  张曼 ,  杨靓

IPC: H01L27/146

Abstract: 本发明公开了一种埋层沟道背照式抗辐照像元加固结构和制备方法，包括外延层；外延层上刻蚀形成STI槽，外延层上进行阱注入形成STI阱注入区与传输管阱注入区，STI槽设置在STI阱注入区中；外延层上通过离子注入分别依次形成P埋层注入区、N埋层沟道注入区和传输管阈值调整注入区；P埋层注入区与传输管阱注入区相连接；外延层的下表面淀积有栅氧化层和多晶硅栅极；外延层通过自对准注入工艺分别形成N型PD注入区、N型FD注入区和P型钳位层注入区；FD注入区的下表面淀积有FD欧姆接触金属形成欧姆接触；外延层的下表面外侧淀积有钝化层。使实际的光电子传输沟道与栅氧化层/半导体界面分离，提升像元的抗辐照能力。

公开(公告)号：CN115050768A

公开(公告)日：2022-09-13

申请号：CN202210737686.7

申请日：2022-06-27

Applicant: 西安微电子技术研究所

Inventor： 吕智军 ,  李婷 ,  何杰 ,  李海松 ,  徐晚成 ,  崔双韬 ,  曹天骄 ,  袁昕 ,  张曼 ,  杨靓

IPC: H01L27/146

Abstract: 本发明公开了一种增强吸收的背照式抗辐照PPD像元结构及其实现方法，像元结构中阱注入区、传输管阈值调整注入层和PD注入区设置在外延层上，传输管阈值调整注入层的一侧设置有栅氧化层和栅极，FD区位于阱注入区内部，高k介质层覆盖器件表面，钝化层淀积在器件表面。通过淀积高k介质层与反射金属层，利用金属与半导体之间的功函数差，在半导体PD注入区的表面感应出空穴，并通过将金属层与外延层共同接到电源地，实现对PPD表面感生空穴层的电位钳制，从而避免了通过高剂量离子注入的方式形成光电二极管表面的钳位层，有效的减少了PPD表面由于注入损伤引入的缺陷，减少了光电二极管中光电子在表面的复合，提升了像素单元的量子效率。