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公开(公告)号：CN118174733A
公开(公告)日：2024-06-11
申请号：CN202410368778.1
申请日：2024-03-28
Applicant: 西安微电子技术研究所
IPC: H03M3/00
Abstract: 本发明涉及高精度数据转换器领域，尤其涉及一种双极性轨对轨差分型数字隔离器，包括积分动态比较模块、差分转换模块、双极性转单端VGA模块、片外高阻分压模块和阻抗缓冲模块；片外高阻分压模块的输入为外部输入直流/交流电压信号Ain，片外高阻分压模块的输出端与阻抗缓冲模块的输入端连接，阻抗缓冲模块的输入栅电阻接近无穷大；阻抗缓冲模块的输出端与双极性转单端VGA模块的输入端连接，双极性转单端VGA模块的输出端与差分转换模块的输出端连接。本发明基于数字隔离器应用，sigma delta调制的输出为单行数字码流，便于后续数字隔离器处理，结合现在工业应用对隔离器的高阻输入、高压技术要求，提出了应用解决方案。
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公开(公告)号：CN117879581A
公开(公告)日：2024-04-12
申请号：CN202410108469.0
申请日：2024-01-25
Applicant: 西安微电子技术研究所
IPC: H03K19/0175 , H03M3/00
Abstract: 本发明属于数字隔离器领域，公开了一种用于sigma delta ADC的双极性轨对轨差分型前端输入电路，包括输入分压电路、双极性转单端VGA电路以及全差分转换电路；输入分压电路用于将输入信号电压降至预设范围内，得到降压输入信号并输出至双极性转单端VGA电路；双极性转单端VGA电路用于将降压输入信号进行幅值调整，转换为电源电压至地电压之间的正信号，得到单极性模拟电压信号并输出至全差分转换电路；全差分转换电路用于将单极性模拟电压信号转换为以预设的共模电压VCM为共模电平的全差分信号。在应用至数字隔离器时，输入信号可以是单极性或者双极性单端输入，也可以是全差分型输入，幅值可达到电源电压，更适用于工业高压隔离应用，具有较高实用性。
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公开(公告)号：CN115842965A
公开(公告)日：2023-03-24
申请号：CN202211230357.X
申请日：2022-09-30
Applicant: 西安微电子技术研究所
IPC: H04N25/671 , H04N25/20
Abstract: 本发明公开了一种超大面阵红外图像传感器的成像均匀度的校准装置及方法，属于红外图像传感器成像领域。本发明通过优化Gpol信号的传输方向，补偿地电平的浮地效应，通过二者的逆向传输，实现Gpol信号和地电平电压变化趋势一致的目标；另一方面，通过差异监测机制，检测Gpol信号和地电平的电压差异，通过配置Gpol信号的对地漏电二极管级联数目，调整Gpol信号从中间到两侧的压降程度，达到Gpol信号和地电平电压变化趋势相同且幅值一致的目标，保证Gpol信号与地电平之间的压差恒定，实现高均匀成像。本发明有效解决了传统图像传感器由于大面阵浮地效应而引起的Gpol信号和地电平压差异不恒定问题。
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公开(公告)号：CN115172399A
公开(公告)日：2022-10-11
申请号：CN202210907860.8
申请日：2022-07-29
Applicant: 西安微电子技术研究所
IPC: H01L27/146
Abstract: 本发明公开了一种背照式像元抗总剂量加固结构和制备方法，包括NMOS1管的栅区和NMOS2管的栅区；所述NMOS1管的栅区和NMOS2管的栅区呈匚型结构，NMOS1管的栅区和NMOS2管的栅区对称设置，所述NMOS1管的栅区和NMOS2管的栅区开口方向背离共有的有源区。解决在较小像元级电路面积约束的条件下的抗辐照加固问题。面向小尺寸背照式像元电路结构设计，满足空间用超大规模背照式图像传感器的抗辐照需求。
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公开(公告)号：CN114051107A
公开(公告)日：2022-02-15
申请号：CN202111264687.6
申请日：2021-10-28
Applicant: 西安微电子技术研究所
IPC: H04N5/374
Abstract: 本发明提供一种CMOS图像传感器的双模式精细增益配置装置及方法，可变采样电容阵列输入侧连接采样信号，输出侧连接反馈运算阵列，实现多种倍数的增益补偿，配合可变反馈电容和恒定反馈电容，能够显示1以下倍数的增益补偿，解决了现有增益配置的步进粗和仅支持正向配置的缺陷，实现精细步进增益和正负增益双向调整，根据实际情况增加可变采样电容阵列中开关电容的数量进而能够实现更高倍数的增益补偿，提高了通用性和精度；本方法，满足高质量成像对光线微弱变化的增益校准需求，提出增益校准算法流程，根据图像输出实际灰度值，通过对比本发明中真值表，确定增益校准配置和校准方法，步骤简单，可快速选择需要得可变采样电容阵列，实现增益补偿。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN113992871A
公开(公告)日：2022-01-28
申请号：CN202111277400.3
申请日：2021-10-29
Applicant: 西安微电子技术研究所
Abstract: 本发明公开了一种用于CMOS图像传感器芯片级ADC的双位移位校正系统，包括依次连接的SH电路、多级串联的编码器电路和flash ADC电路，SH电路用于电荷分享或者电容翻转结构实现，每级编码器电路输出4位数字码，含两位校正码；根据电容的电荷守恒原理，采用电荷分享采样技术，实现了双位移位校正功能，每级4bit输出，两位校正算法，级间闭环增益只有4倍，采用非交叠时钟控制，前级采样，后级放大输出，流水线工作，降低了级间闭环增益，降低了后级量化范围，提升了校正区间，对于ADC的整体性能提升具有显著效果。采用多级串联的编码器电路，可有效降低系统功耗、提升量化输入摆幅并极大提升SFDR等关键动态参数，具有很高的实用性。
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公开(公告)号：CN113873184A
公开(公告)日：2021-12-31
申请号：CN202111277411.1
申请日：2021-10-29
Applicant: 西安微电子技术研究所
IPC: H04N5/374 , H04N5/3745 , H04N17/00
Abstract: 本发明公开了一种图像传感器芯片级ADC修调系统，包括修调控制模块和修调预写入模块，修调控制模块连接修调预写入模块，修调控制模块用于输出控制信号给修调预写入模块，修调预写入模块的修调输出连接到ADC模块的控制端，与ADC模块的各待修正模块连接，用于输出修调控制信号，针对系统修调预写入、电容失配修调、功耗修调和误差修调，可有效弥补工艺偏差失配、工艺角偏离等因素引起的性能参数下降和功耗超差、提升ADC的关键动态和静态参数，具有很高的实用性。
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公开(公告)号：CN110049263B
公开(公告)日：2021-06-29
申请号：CN201910469549.8
申请日：2019-05-31
Applicant: 西安微电子技术研究所
Abstract: 本发明公开了一种用于超大面阵CMOS图像传感器的高速高精度锁相环电路，属于图像传感器技术领域。该锁相环电路，三级交叉耦合互补振荡单元依次反向级联；NM5的栅端接PD信号，NM5的漏端、NM2的栅端、NM3的栅端、NM4的栅端均与输入电压端相连接，NM2的源端、NM3的源端、NM4的源端均与的NM5源端相连，NM2的漏端输出Ictrl1，Ictrl1作为频率调节电流输入第一级；NM3的漏端输出Ictrl2，Ictrl2作为频率调节电流输入第二级；NM4的漏端输出Ictrl3，Ictrl3作为频率调节电流输入第三级。该锁相环电路，提高锁相环内压控振荡器的频率调节范围，并能调节锁相环的振荡器中心频率。
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公开(公告)号：CN112992863A
公开(公告)日：2021-06-18
申请号：CN202110222735.9
申请日：2021-02-26
Applicant: 西安微电子技术研究所
IPC: H01L23/538 , H01L31/02 , H01L25/065 , H01L27/144
Abstract: 本发明提供了一种覆盖可见光波段和红外波段的光电探测器，包括光电探测器本体，所述光电探测器本体包括靠近光线由顶至底设置的第一晶圆、第二晶圆和第三晶圆；所述第一晶圆、第二晶圆和第三晶圆依次叠加设置；所述第一晶圆上装配有若干个可见光像元和读出电路；所述第二晶圆上装配有若干个红外读出电路；所述第三晶圆上装配有若干个红外像元阵列；第一晶圆与第二晶圆硅片键合设置，所述第三晶圆通过第一晶圆与第二晶圆硅片键合后互联设置，实现可见光波段图像和红外波段图像的探测，该光电探测器结构简单，操作方便，便于在复杂的光照条件下进行成像，满足星体追踪，目标识别，深空探测等多领域的应用需求。
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公开(公告)号：CN112422955A
公开(公告)日：2021-02-26
申请号：CN202011166168.1
申请日：2020-10-27
Applicant: 西安微电子技术研究所
IPC: H04N17/00
Abstract: 本发明公开了一种用于CMOS图像传感器的ADC固有噪声分析方法，属于仿真分析领域。一种用于CMOS图像传感器的ADC固有噪声分析方法，包括以下步骤：1)对ADC比较器的翻转进行仿真分析，得出翻转区间偏移；2)计算所述翻转区间偏移分布在ADC计数器的一个时钟周期内的概率和跨越多个时钟周期的概率，并计算由此而引起的CMOS图像传感器噪声电压；3)将所述CMOS图像传感器噪声电压和对应的概率相乘，得到由ADC固有噪声引起的CMOS图像传感器噪声的计算值。本发明的分析方法，确定了由ADC固有噪声而引起CMOS图像传感器的整体噪声，在设计阶段有利于明确设计值是否满足设计要求，为噪声设计改进提供依据。
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