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公开(公告)号：CN111933588B
公开(公告)日：2022-04-29
申请号：CN202010592494.2
申请日：2020-06-24
Applicant: 株洲中车时代半导体有限公司
Abstract: 本发明提供一种IGCT封装结构，包括环形门极、连接部件、弹性支撑部件和门极外接环。其中，连接部件的顶部与底部分别与环形门极和门极外接环连接，弹性支撑部件位于连接部件内。本发明提供的IGCT封装结构，能够在保证压力传递均匀的同时简化封装工艺流程，提高封装效率，并且有效缩短换流回路的迂回长度，从而有效降低换流回路的杂散电感的IGCT封装结构。
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公开(公告)号：CN114038808A
公开(公告)日：2022-02-11
申请号：CN202111264988.9
申请日：2021-10-28
Applicant: 株洲中车时代半导体有限公司
IPC: H01L23/16 , H01L23/48 , H01L23/488 , H01L23/49 , H01L23/552 , H01L25/07
Abstract: 本申请提供了一种大功率半导体器件。该大功率半导体器件包括：半导体芯片；半导体芯片位于大功率半导体器件的顶部；内部驱动板，其位于大功率半导体器件的底部；门极铜块，其设置在芯片门极区域与内部驱动板之间；铜块通过弹性导电组件下压位于内部驱动板上的MOSFET；弹性导电组件包括用于调节MOSFET所受压力大小的碟簧。利用该大功率半导体器件，其铜块通过弹性导电组件下压位于所述内部驱动板上的MOSFET，从而确保各个MOSFET所受压力的均匀一致，降低接触热阻与大功率半导体器件的内部压降，并通过控制弹性导电组件中碟簧的压缩量，将压力的大小控制在一定的范围内，防止压坏MOSFET。
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公开(公告)号：CN112202435A
公开(公告)日：2021-01-08
申请号：CN202010839567.3
申请日：2020-08-19
Applicant: 株洲中车时代半导体有限公司
IPC: H03K17/567
Abstract: 本发明涉及一种基于集成门极换流晶闸管的功率模块，涉及电力电子技术领域。本发明的基于集成门极换流晶闸管的功率模块，包括至少两个层叠设置功率子单元，由于相邻的功率子单元关于第一器件的上表面或下表面对称设置，因此可使相邻的第一导通结构中的电流方向相反，且相邻的第二导通结构中的电流方向也相反，而流向相反的电流产生的电磁感应会相互抵消一部分，从而实现降低回路杂散电感的目的。
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公开(公告)号：CN112202435B
公开(公告)日：2025-02-07
申请号：CN202010839567.3
申请日：2020-08-19
Applicant: 株洲中车时代半导体有限公司
IPC: H03K17/567
Abstract: 本发明涉及一种基于集成门极换流晶闸管的功率模块，涉及电力电子技术领域。本发明的基于集成门极换流晶闸管的功率模块，包括至少两个层叠设置功率子单元，由于相邻的功率子单元关于第一器件的上表面或下表面对称设置，因此可使相邻的第一导通结构中的电流方向相反，且相邻的第二导通结构中的电流方向也相反，而流向相反的电流产生的电磁感应会相互抵消一部分，从而实现降低回路杂散电感的目的。
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公开(公告)号：CN116318093A
公开(公告)日：2023-06-23
申请号：CN202310131069.7
申请日：2023-02-07
Applicant: 株洲中车时代半导体有限公司
IPC: H03K17/081 , H03K17/0814
Abstract: 本发明涉及半导体制造领域，公开了一种GCT单元胞门阴极特性识别装置和方法，装置包括电源模块，为检测模块输出第一电压参考地的电压；检测模块，分别与GCT单元胞门极端和阴极端连接，用于检测GCT单元胞门阴极梳条的状态，输出第一电压参考地的第一检测信号；处理模块，将第一检测信号转换为第二电压参考地的第二检测信号，第二电压参考地为GCT单元胞关断电路的电压参考地；控制模块，根据第二检测信号使能控制信号，控制信号用于控制GCT单元胞关断电路的导通状态。通过在GCT单元胞门阴极之间设计该识别装置，对GCT单元胞门阴极梳条状态进行识别，避免在施加驱动供电时导致GCT芯片被烧损，实现对GCT芯片的保护。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN115863288A
公开(公告)日：2023-03-28
申请号：CN202211513436.1
申请日：2022-11-29
Applicant: 株洲中车时代半导体有限公司
IPC: H01L23/48 , H01L23/04 , H01L23/31 , H01L29/744
Abstract: 本发明提供GCT元件封装结构，包括GCT芯片，其中，GCT芯片的阳极与阳极钼片连接，阳极钼片与阳极铜块连接，阳极铜块上引出阳极裙边，GCT芯片的阴极与阴极钼片连接，阴极钼片与阴极铜座连接，阴极铜座上引出阴极裙边，GCT芯片的门极与门极引出环连接，门极引出环与门极引出法兰连接，门极引出法兰包括门极裙边，门极裙边上设置有凹形皱褶结构，凹形皱褶结构方向朝向阴极裙边，阳极裙边与阴极裙边之间设置有绝缘瓷环，门极引出法兰将绝缘瓷环分隔成上下两部分。本发明涉及的GCT元件封装结构，在减少寄生电感的同时，无需引入新材料新工艺，不受限于绝缘瓷环下部分的设计厚度。
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公开(公告)号：CN118041332A
公开(公告)日：2024-05-14
申请号：CN202211386747.6
申请日：2022-11-07
Applicant: 株洲中车时代半导体有限公司
IPC: H03K17/687 , H02M1/08 , H02M1/32 , H02M7/06
Abstract: 本公开提供一种功率半导体开关的门极驱动电路、功率半导体器件和电子设备。该门极驱动电路包括：触发电路、保护电路、控制电路、第一供电电路和第二供电电路；其中，第一供电电路包括：依次连接的感应线圈、整流电路和第一稳压电路，感应线圈用于套设在交流电线外侧，整流电路用于对感应线圈两端的交流电压进行整流，第一稳压电路用于将整流电路整流后的电压进行稳压后为控制电路、触发电路和保护电路供电；第二供电电路用于提取功率半导体开关的阴极和阳极之间的电压，对提取的电压进行分压和稳压后控制电路、触发电路和保护电路供电。
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公开(公告)号：CN116013980A
公开(公告)日：2023-04-25
申请号：CN202211600204.X
申请日：2022-12-12
Applicant: 株洲中车时代半导体有限公司
Abstract: 本公开提供一种功率半导体器件，包括：从下至上依次设置的第一P型区、第一N型区、第二P型区和第二N型区，第二N型区嵌入第二P型区，第二N型区与第二P型区的顶表面共面，第二P型区包括：P基区以及位于P基区上方的第一子基区、第二子基区和第三子基区，第二子基区位于第二N型区下方且沿水平方向不超出第二N型区，第三子基区环绕第二子基区，第一子基区环绕第三子基区，第三子基区至少与第二N型区的侧部接触，P基区的掺杂浓度记为n0，第一子基区的掺杂浓度记为n1，第二子基区的掺杂浓度记为n2，第三子基区的掺杂浓度记为n3，满足：n2＞n1＞n3＞n0。可实现器件关断损耗与导通损耗的独立设计，增大器件设计灵活性。
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公开(公告)号：CN111834451B
公开(公告)日：2023-04-07
申请号：CN201910332896.6
申请日：2019-04-23
Applicant: 株洲中车时代半导体有限公司
IPC: H01L29/749 , H01L29/745 , H01L29/08 , H01L21/332
Abstract: 本发明公开了一种逆阻型门极换流晶闸管及其制造方法。晶闸管的层状结构竖直方向自下而上依次包括：P+阳极发射区、P阳极区、N‑基区、P基区、P+基区、半埋于所述P+基区顶部的多个N+发射区；其中，在从正上方俯视晶闸管的方向上，多个N+发射区在以晶闸管的芯片中心为圆心的多个同心圆内沿圆弧均匀排布；P+阳极发射区包括P1+阳极发射区和水平方向环绕P1+阳极发射区的P2+阳极发射区，所述P2+阳极发射区位于所述P+阳极发射区的在远离门极引出端位置的N+发射区下方的区域以及所述P+阳极发射区的在所述晶闸管边缘终端位置的区域。
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公开(公告)号：CN114220850A
公开(公告)日：2022-03-22
申请号：CN202111539836.5
申请日：2021-12-15
Applicant: 株洲中车时代半导体有限公司
IPC: H01L29/10 , H01L29/745
Abstract: 本申请提供一种功率半导体器件的元胞结构及功率半导体器件，所述元胞结构包括衬底，其中，所述衬底包括相对设置的第一表面和第二表面；位于所述衬底内的第一导电类型第一基区；其中，所述第一基区于所述元胞结构中心位置设置有向靠近所述第二表面方向延伸的第一凸台；位于所述第一基区与所述第二表面之间的阳极区；其中，所述阳极区靠近所述第一基区的一侧于与所述第一凸台对应的位置处形成凹部。该凹部处的阳极区的结深远小于其它区域，既可降低该处逆阻阳极发射效率，又能在该处形成芯片关断时载流子快速抽取通道，从而降低芯片关断拖尾时间和反向恢复时间，降低关断损耗。
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