公开(公告)号：CN115863288A

公开(公告)日：2023-03-28

申请号：CN202211513436.1

申请日：2022-11-29

Applicant: 株洲中车时代半导体有限公司

Inventor： 陈芳林 ,  陈勇民 ,  王天一 ,  孙永伟 ,  徐焕新 ,  曹强 ,  蒋谊 ,  操国宏

IPC: H01L23/48 ,  H01L23/04 ,  H01L23/31 ,  H01L29/744

Abstract: 本发明提供GCT元件封装结构，包括GCT芯片，其中，GCT芯片的阳极与阳极钼片连接，阳极钼片与阳极铜块连接，阳极铜块上引出阳极裙边，GCT芯片的阴极与阴极钼片连接，阴极钼片与阴极铜座连接，阴极铜座上引出阴极裙边，GCT芯片的门极与门极引出环连接，门极引出环与门极引出法兰连接，门极引出法兰包括门极裙边，门极裙边上设置有凹形皱褶结构，凹形皱褶结构方向朝向阴极裙边，阳极裙边与阴极裙边之间设置有绝缘瓷环，门极引出法兰将绝缘瓷环分隔成上下两部分。本发明涉及的GCT元件封装结构，在减少寄生电感的同时，无需引入新材料新工艺，不受限于绝缘瓷环下部分的设计厚度。

公开(公告)号：CN116013980A

公开(公告)日：2023-04-25

申请号：CN202211600204.X

申请日：2022-12-12

Applicant: 株洲中车时代半导体有限公司

Inventor： 陈勇民 ,  陈芳林 ,  曹强 ,  操国宏 ,  徐焕新 ,  蒋谊 ,  潘学军 ,  曾宏

IPC: H01L29/74 ,  H01L29/36 ,  H01L29/06

Abstract: 本公开提供一种功率半导体器件，包括：从下至上依次设置的第一P型区、第一N型区、第二P型区和第二N型区，第二N型区嵌入第二P型区，第二N型区与第二P型区的顶表面共面，第二P型区包括：P基区以及位于P基区上方的第一子基区、第二子基区和第三子基区，第二子基区位于第二N型区下方且沿水平方向不超出第二N型区，第三子基区环绕第二子基区，第一子基区环绕第三子基区，第三子基区至少与第二N型区的侧部接触，P基区的掺杂浓度记为n0，第一子基区的掺杂浓度记为n1，第二子基区的掺杂浓度记为n2，第三子基区的掺杂浓度记为n3，满足：n2＞n1＞n3＞n0。可实现器件关断损耗与导通损耗的独立设计，增大器件设计灵活性。

公开(公告)号：CN117219665A

公开(公告)日：2023-12-12

申请号：CN202311224427.5

申请日：2023-09-21

Applicant: 株洲中车时代半导体有限公司

Inventor： 陈勇民 ,  陈芳林 ,  徐焕新 ,  操国宏 ,  曹强 ,  潘学军 ,  曾宏 ,  蒋谊 ,  王天一

IPC: H01L29/74 ,  H01L29/417 ,  H01L29/423 ,  H01L29/08

Abstract: 本发明属于半导体器件技术领域，具体涉及一种门极换流晶闸管芯片及晶闸管，阴极金属层、位于阴极金属层两侧的门极金属层、与所述阴极金属层相对的阳极金属层、以及形成于阴极金属层与阳极金属层之间的半导体衬底；半导体衬底包括五层区结构或六层区结构，且每结构区具有不同的导电类型，将P基区分区设计形成“凹”形主结，提升阴极梳条下方的P基区的结深及浓度，降低该部分对应等效的npn晶体管的电流增益α21，可实现同时降低通态损耗及关断损耗。本发明尤其适用逆阻型GCT，可降低片厚，实现较好的阻断、通态与关断之间的折中设计。