一种门极换流晶闸管芯片及晶闸管

    公开(公告)号:CN117219665A

    公开(公告)日:2023-12-12

    申请号:CN202311224427.5

    申请日:2023-09-21

    Abstract: 本发明属于半导体器件技术领域,具体涉及一种门极换流晶闸管芯片及晶闸管,阴极金属层、位于阴极金属层两侧的门极金属层、与所述阴极金属层相对的阳极金属层、以及形成于阴极金属层与阳极金属层之间的半导体衬底;半导体衬底包括五层区结构或六层区结构,且每结构区具有不同的导电类型,将P基区分区设计形成“凹”形主结,提升阴极梳条下方的P基区的结深及浓度,降低该部分对应等效的npn晶体管的电流增益α21,可实现同时降低通态损耗及关断损耗。本发明尤其适用逆阻型GCT,可降低片厚,实现较好的阻断、通态与关断之间的折中设计。

    GCT元件封装结构
    2.
    发明公开

    公开(公告)号:CN115863288A

    公开(公告)日:2023-03-28

    申请号:CN202211513436.1

    申请日:2022-11-29

    Abstract: 本发明提供GCT元件封装结构,包括GCT芯片,其中,GCT芯片的阳极与阳极钼片连接,阳极钼片与阳极铜块连接,阳极铜块上引出阳极裙边,GCT芯片的阴极与阴极钼片连接,阴极钼片与阴极铜座连接,阴极铜座上引出阴极裙边,GCT芯片的门极与门极引出环连接,门极引出环与门极引出法兰连接,门极引出法兰包括门极裙边,门极裙边上设置有凹形皱褶结构,凹形皱褶结构方向朝向阴极裙边,阳极裙边与阴极裙边之间设置有绝缘瓷环,门极引出法兰将绝缘瓷环分隔成上下两部分。本发明涉及的GCT元件封装结构,在减少寄生电感的同时,无需引入新材料新工艺,不受限于绝缘瓷环下部分的设计厚度。

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