公开(公告)号：CN114200275A

公开(公告)日：2022-03-18

申请号：CN202010898622.6

申请日：2020-08-31

Applicant: 株洲中车时代半导体有限公司

Inventor： 石帮兵 ,  李诚瞻 ,  丁杰钦 ,  赵艳黎 ,  陈喜明 ,  戴小平

IPC: G01R31/26

Abstract: 本说明书实施例提供一种碳化硅MOSFET器件高温栅偏试验方法及系统，包括：利用阈值电压测试装置测试至少一组待测器件的初始阈值电压值；利用高温栅偏测试装置对待测器件进行三种驱动电压条件下的高温栅偏测试；三种驱动电压分别为+20V/0V，+20V/‑5V和+20V/‑10V；在高温栅偏测试过程中，于不同的时间点利用阈值电压测试装置测试待测器件的当前阈值电压值，得到不同时间点对应的阈值电压值；高温栅偏测试结束，根据初始阈值电压值和不同时间点对应的阈值电压值，对阈值电压退化特性进行分析。本说明书充分考虑器件的实际工况，能够对碳化硅MOSFET器件进行全面的可靠性试验。

公开(公告)号：CN113054015A

公开(公告)日：2021-06-29

申请号：CN201911367261.6

申请日：2019-12-26

Applicant: 株洲中车时代半导体有限公司

Inventor： 王亚飞 ,  陈喜明 ,  刘锐鸣 ,  赵艳黎 ,  李诚瞻 ,  罗海辉

IPC: H01L29/78 ,  H01L29/24 ,  H01L29/06

Abstract: 本公开提供一种碳化硅MOSFET芯片。该碳化硅MOSFET芯片包括设置于漂移层上的有源区、终端区和过渡区；所述有源区包括若干元胞结构，所述元胞结构包括与所述源区并排设置于所述第一阱区表面内且与所述源区远离所述元胞结构中心的一端接触的第二导电类型第一增强区以及位于所述元胞结构两侧的所述漂移层上方且与所述漂移层形成肖特基接触的第一肖特基金属层；所述过渡区包括所述第二增强区上方设置有与所述第二增强区形成欧姆接触的第二源极金属层，所述漂移层表面上设置有与所述漂移层的未被所述第二增强区覆盖的区域形成肖特基接触的第二肖特基金属层。通过同时在碳化硅MOSFET芯片的有源区和过渡区集成SBD，改善碳化硅芯片的双极退化效应，提高芯片的可靠性。

公开(公告)号：CN112614879A

公开(公告)日：2021-04-06

申请号：CN202011354573.6

申请日：2020-11-27

Applicant: 株洲中车时代半导体有限公司

Inventor： 王亚飞 ,  罗海辉 ,  李诚瞻 ,  陈喜明 ,  罗烨辉 ,  周才能 ,  张文杰

IPC: H01L29/06 ,  H01L29/786 ,  H01L21/336

Abstract: 本公开提供一种碳化硅器件的元胞结构、其制备方法及碳化硅器件，所述元胞结构包括：多个间隔设置于所述漂移层表面内的第二导电类型阱区；位于所述阱区表面内的源区；位于相邻两个所述阱区之间的栅极沟槽；位于所述漂移层内且纵向间隔设置于所述栅极沟槽下方的第二导电类屏蔽区；其中，所述屏蔽区的顶部与所述栅极沟槽的底部和所述阱区的底部接触。通过在栅极沟槽底部设置纵向间隔的第二导电类型的屏蔽区，可大幅降低阻断状态下器件的栅极介质层的电场应力，大幅提高器件的长期使用可靠性；所述屏蔽区与源极金属层电连接，可以提高器件的开关频率，降低开关损耗。