公开(公告)号：CN111916422B

公开(公告)日：2023-01-24

申请号：CN202010668595.3

申请日：2020-07-13

Applicant: 株洲中车时代半导体有限公司

Inventor： 李道会 ,  李想 ,  马特·帕克伍德 ,  王彦刚 ,  罗海辉 ,  刘国友

IPC: H01L23/498 ,  H01L23/538 ,  H01L23/00 ,  H01L25/04 ,  H01L25/07 ,  H01L25/16

Abstract: 本发明提供一种功率模块封装结构，包括基板、陶瓷衬板、直流功率端子和交流功率端子。其中，陶瓷衬板键合在基板上。直流功率端子和交流功率端子键合在陶瓷衬板上。直流功率端子不少于两个，直流功率端子之间具有沿水平方向相对重合的部分，并且直流功率端子上沿水平方向相对重合的部分之间具有间隙。本发明提供的功率模块封装结构，通过直流功率端子之间间隔设置的沿水平方向大面积重合的部分，能够有效降低功率模块封装的整体电感。

公开(公告)号：CN113035787A

公开(公告)日：2021-06-25

申请号：CN201911359251.8

申请日：2019-12-25

Applicant: 株洲中车时代半导体有限公司

Inventor： 刘国友 ,  李道会 ,  齐放 ,  李想 ,  王彦刚 ,  罗海辉

IPC: H01L23/043 ,  H01L23/367 ,  H01L21/52 ,  H01L25/065

Abstract: 本发明提供了一种逆导型功率半导体模块封装结构及其封装方法，该封装结构包括基板，所述基板上设置有多个功能单元，所述功能单元包括相对设置的第一衬板与第二衬板，所述第一衬板上设置有第一金属层，所述第二衬板上设置有第二金属层，所述第一金属层与所述第二金属层上均设置有芯片模块，所述芯片模块由轴对称分布的由多个逆导型芯片组成，所述逆导型芯片的栅极区域位于其边角处且所述多个逆导型芯片的栅极区关于芯片模块的中心呈中心对称；本发明中采用对称且栅极中心对称布局的逆导型芯片，可以极大地减小模块中的电感。本发明的封装方法用于制作以上封装结构。

公开(公告)号：CN111244151B

公开(公告)日：2023-06-23

申请号：CN201811444411.4

申请日：2018-11-29

Applicant: 株洲中车时代半导体有限公司

Inventor： 朱春林 ,  王亚飞 ,  王彦刚 ,  覃荣震 ,  戴小平 ,  罗海辉 ,  刘国友

IPC: H01L29/06 ,  H01L29/739 ,  H01L29/78

Abstract: 本发明提供一种功率半导体器件超级结终端结构，包括位于衬底上的第一导电类型漂移区，在所述漂移区的表面设置有位于有源区外围的终端区，所述终端区包括在所述漂移区的表面设置的与有源区邻接的第二导电类型起始区和远离有源区的第一导电类型场截止环，在所述起始区与场截止环之间，沿着平行于所述场截止环的方向交替分布若干个第一导电类型掺杂区和第二导电类型掺杂区，其中，所述若干个第一导电类型掺杂区与第二导电类型掺杂区设置成能够在阻断状态时彼此完全耗尽，实现芯片终端体内电场三维均匀分布。通过本发明能够在提高芯片终端耐压的同时减少终端结构所占芯片面积的比例。

公开(公告)号：CN115868020A

公开(公告)日：2023-03-28

申请号：CN202180042310.8

申请日：2021-07-19

Applicant: 丹尼克斯半导体有限公司 ,  株洲中车时代半导体有限公司

Inventor： R·A·辛普森 ,  迈克尔·大卫·尼科尔森 ,  王彦刚

IPC: H01L23/051

Abstract: 本发明提供了一种半导体装置(1)，其包括：壳体，包括第一壳体电极(5)和第二壳体电极(4)，布置在壳体的相对的面上；多个半导体单元(30)，布置在壳体内第一壳体电极(4)和第二壳体电极(5)之间；多个压力装置(40)，用于分别向多个半导体单元(30)施加压力，其中，多个压力装置(40)布置在多个半导体单元(30)与第一壳体电极(5)之间；第一导电结构(14)，布置在多个压力装置(40)与多个半导体单元(30)之间，其中，多个半导体单元(30)在第二壳体电极(4)与第一导电结构(14)之间并联地电连接；以及第二导电结构(18)，被配置为提供从第一导电结构(14)到第一壳体电极(5)的电流路径，第二导电结构包括第一部件(16)，固定地连接到第一导电结构(14)，以及第二部件(9)，固定地连接到第一壳体电极(5)。

公开(公告)号：CN110400794B

公开(公告)日：2021-09-07

申请号：CN201810377574.9

申请日：2018-04-25

Applicant: 株洲中车时代半导体有限公司

Inventor： 刘国友 ,  李道会 ,  齐放 ,  李想 ,  王彦刚 ,  罗海辉

IPC: H01L25/07 ,  H01L23/48

Abstract: 本发明公开了一种功率半导体模块封装结构，其特征在于，包括基板；壳体，所述壳体的底部与所述基板的顶部紧固连接；功率半导体模块子单元，其设置在所述壳体与所述基板形成的容纳空间内，用于形成拓扑控制电路结构，所述功率半导体模块子单元包括间隔设置在所述基板上的多个衬板，相对布置的两所述衬板之间通过功率端子组和模块级键合线连接，所述功率端子组的顶部外延伸出所述壳体的顶部。本发明能够成倍增加电流密度，成品率高且可靠性好。

公开(公告)号：CN111128900B

公开(公告)日：2021-06-08

申请号：CN201811275230.3

申请日：2018-10-30

Applicant: 株洲中车时代半导体有限公司

Inventor： 戴小平 ,  王亚飞 ,  王彦刚 ,  窦泽春 ,  吴煜东

IPC: H01L23/29 ,  H01L29/739 ,  H01L21/56

Abstract: 本申请提供了一种IGBT芯片子单元封装结构及其制造方法，该封装结构包括IGBT芯片、设置在该IGBT芯片上的栅极、分别与该IGBT芯片的上表面发射极和下表面集电极电连接的上钼片和下钼片以及封装器，其中，在上表面发射极上沿着该IGBT芯片的终端区涂覆有硅橡胶。通过本申请的封装结构及其制造方法，能够对该IGBT芯片终端结构进行钝化保护，避免了外界因素对芯片终端的污染而引起电击穿，提高了芯片的耐压性和长期工作的可靠性。