公开(公告)号：CN102939658B

公开(公告)日：2014-03-26

申请号：CN201180026960.X

申请日：2011-05-23

Applicant: 夏普株式会社

Inventor： 守口正生 ,  竹井美智子 ,  神崎庸辅 ,  井上毅 ,  深谷哲生 ,  高西雄大 ,  楠见崇嗣 ,  中谷喜纪 ,  冈本哲也 ,  中西研二

IPC: H01L29/786 ,  H01L21/336 ,  H01L21/363

CPC classification number: H01L29/7869 ,  H01L29/24 ,  H01L29/66742 ,  H01L29/66969 ,  H01L29/78618 ,  H01L29/78696

Abstract: 本发明是包括栅极电极（21）和栅极绝缘膜（22）、半导体层（23）、源极电极（24）、漏极电极（25）等的TFT（20）。半导体层（23）包括金属氧化物半导体（IGZO），且具有：与源极电极（24）接触的源极部（23a）、与漏极电极（25）接触的漏极部（23b）和这些源极部（23a）与漏极部（23b）之间的沟道部（23c）。在所述半导体层（23）中，至少在所述沟道部（23c）形成有与其他部分相比In等的金属单质的含有率高的还原区域（30）。

公开(公告)号：CN101911247B

公开(公告)日：2013-03-27

申请号：CN200880122343.8

申请日：2008-09-25

Applicant: 夏普株式会社

Inventor： 福岛康守 ,  富安一秀 ,  高藤裕 ,  多田宪史 ,  竹井美智子

IPC: H01L21/02 ,  H01L21/329 ,  H01L21/331 ,  H01L21/336 ,  H01L27/12 ,  H01L29/732 ,  H01L29/786

CPC classification number: H01L27/1266 ,  H01L21/76254 ,  H01L27/1214 ,  H01L29/6659 ,  H01L29/66772 ,  H01L29/7833

Abstract: 本发明具有：在基体层形成器件部的器件部形成工序、在基体层形成剥离层的剥离层形成工序、把形成有器件部的基体层粘贴到基板的粘贴工序、以及通过把粘贴到基板的基体层加热沿着剥离层分离去除基体层的深度方向的一部分的分离工序；进一步地，还包括在分离工序之后进行的用来调整元件的P型区域的杂质浓度向基体层离子注入P型杂质元素的离子注入工序。

公开(公告)号：CN101842871B

公开(公告)日：2013-01-09

申请号：CN200880113589.9

申请日：2008-10-14

Applicant: 夏普株式会社

Inventor： 竹井美智子 ,  高藤裕 ,  福岛康守 ,  富安一秀 ,  史蒂芬·罗伊·德鲁斯

IPC: H01L21/02 ,  H01L23/522 ,  H01L27/12 ,  H01L21/304 ,  H01L21/768

CPC classification number: H01L27/1266 ,  H01L21/31053 ,  H01L21/76819 ,  H01L27/1214 ,  H01L29/66772

Abstract: 本发明提供一种半导体装置的制造方法，其能够提高形成在半导体基板上的半导体芯片的表面平坦性，抑制在表面具有绝缘性的基板上移动的半导体芯片的电气特性的偏差，并且改善制造成品率。本发明的半导体装置的制造方法是在表面具有绝缘性的基板上配置有包括导电图案膜的半导体芯片的半导体装置的制造方法，上述制造方法按顺序包括如下工序：在半导体基板上和半导体基板上的导电图案膜上形成第一绝缘膜，使第一绝缘膜图案化来除去与导电图案膜重叠的区域的第一绝缘膜，由此形成平坦的第一绝缘图案膜的工序；形成第二绝缘膜并研磨上述第二绝缘膜来形成平坦化膜的工序；隔着上述平坦化膜向半导体基板注入剥离用物质来形成剥离层的工序；将上述半导体芯片从与半导体基板相反的一侧转移到在上述表面具有绝缘性的基板上的工序；以及沿着剥离层分离该半导体芯片的工序。并且，本发明还提供由上述制造方法所制作的半导体装置。

公开(公告)号：CN102696112A

公开(公告)日：2012-09-26

申请号：CN201080058007.9

申请日：2010-08-23

Applicant: 夏普株式会社

Inventor： 近间义雅 ,  胜井宏充 ,  锦博彦 ,  太田纯史 ,  水野裕二 ,  原猛 ,  会田哲也 ,  铃木正彦 ,  竹井美智子 ,  中川兴史 ,  春本祥征

IPC: H01L29/786 ,  G02F1/1368 ,  G09F9/30 ,  H01L21/336

CPC classification number: H01L27/1225 ,  G02F1/136213 ,  G02F1/1368 ,  G02F2001/13606 ,  G02F2001/136231 ,  G02F2001/136236 ,  G02F2201/501 ,  H01L27/1248 ,  H01L27/1288

Abstract: 呈矩阵状设置的多个像素电极（P）；和分别与各像素电极（P）连接的多个TFT（5），各TFT（5）具有：设置于绝缘基板的栅极电极（11a）；以覆盖栅极电极（11a）的方式设置的栅极绝缘膜（12a）；以在栅极绝缘膜（12a）上与栅极电极（11a）重叠的方式设置的氧化物半导体层（13a）；和以互相对峙的方式设置、且分别与氧化物半导体层（13a）连接的源极电极（17a）和漏极电极（17b），在源极电极（17a）和漏极电极（17b）与氧化物半导体层（13a）之间，以覆盖氧化物半导体层（13a）的方式设置有保护绝缘膜（14a）。

公开(公告)号：CN101884096B

公开(公告)日：2012-06-20

申请号：CN200880119080.5

申请日：2008-11-25

Applicant: 夏普株式会社

Inventor： 多田宪史 ,  高藤裕 ,  福岛康守 ,  富安一秀 ,  竹井美智子 ,  中川和男 ,  松本晋

IPC: H01L21/336 ,  H01L21/02 ,  H01L27/12 ,  H01L29/786

CPC classification number: H01L27/1266 ,  H01L21/263 ,  H01L27/1214 ,  H01L29/6675 ,  H01L29/7836

Abstract: 本发明提供一种半导体装置及其制造方法。器件部形成工序包括：在基体层的表面形成绝缘膜的绝缘膜形成工序、在绝缘膜的表面均匀地形成导电层的导电层形成工序、和通过对导电层进行图案形成来形成电极的电极形成工序。而且，对基体层离子注入剥离用物质来形成剥离层的剥离层形成工序，在电极形成工序之前进行。

公开(公告)号：CN102473727A

公开(公告)日：2012-05-23

申请号：CN201080029375.0

申请日：2010-03-10

Applicant: 夏普株式会社

Inventor： 太田纯史 ,  森豪 ,  锦博彦 ,  近间义雅 ,  会田哲也 ,  铃木正彦 ,  中川兴史 ,  竹井美智子 ,  春本祥征 ,  原猛

IPC: H01L29/786 ,  G02F1/1368

CPC classification number: H01L29/22 ,  G02F1/1368 ,  G02F2202/10 ,  H01L21/02554 ,  H01L21/02565 ,  H01L21/02631 ,  H01L29/45 ,  H01L29/4908 ,  H01L29/66742 ,  H01L29/66969 ,  H01L29/7869

Abstract: 本发明提供能够实现具有稳定的晶体管特性的薄膜晶体管的氧化物半导体、具有包含该氧化物半导体的沟道层的薄膜晶体管及其制造方法和包括该薄膜晶体管的显示装置。本发明的氧化物半导体是薄膜晶体管用的氧化物半导体，上述氧化物半导体包含铟、镓、锌和氧作为构成原子，当将化学计量的状态按原子单位设为100％时，上述氧化物半导体的氧含量是87～95％。

公开(公告)号：CN101911247A

公开(公告)日：2010-12-08

申请号：CN200880122343.8

申请日：2008-09-25

Applicant: 夏普株式会社

Inventor： 福岛康守 ,  富安一秀 ,  高藤裕 ,  多田宪史 ,  竹井美智子

IPC: H01L21/02 ,  H01L21/329 ,  H01L21/331 ,  H01L21/336 ,  H01L27/12 ,  H01L29/732 ,  H01L29/786

CPC classification number: H01L27/1266 ,  H01L21/76254 ,  H01L27/1214 ,  H01L29/6659 ,  H01L29/66772 ,  H01L29/7833

Abstract: 本发明具有：在基体层形成器件部的器件部形成工序、在基体层形成剥离层的剥离层形成工序、把形成有器件部的基体层粘贴到基板的粘贴工序、以及通过把粘贴到基板的基体层加热沿着剥离层分离去除基体层的深度方向的一部分的分离工序；进一步地，还包括在分离工序之后进行的用来调整元件的P型区域的杂质浓度向基体层离子注入P型杂质元素的离子注入工序。

公开(公告)号：CN101401195A

公开(公告)日：2009-04-01

申请号：CN200680053839.5

申请日：2006-12-13

Applicant: 夏普株式会社

Inventor： 竹井美智子 ,  富安一秀 ,  福岛康守 ,  高藤裕

IPC: H01L21/336 ,  H01L21/02 ,  H01L21/265 ,  H01L21/324 ,  H01L27/12 ,  H01L29/786

CPC classification number: H01L21/26513 ,  H01L21/26506 ,  H01L21/324 ,  H01L27/1214 ,  H01L27/1266 ,  H01L29/66772 ,  H01L29/78603

Abstract: 本发明提供一种半导体元件的转印方法和半导体装置的制造方法以及半导体装置，利用离子注入的剥离方法，将形成于单结晶硅晶片(5)上的晶体管(70)暂时转印至第一临时支撑基板(30)上，在高温下对该第一临时支撑基板(30)实施热处理，恢复上述转印时在单结晶硅晶片(5)的晶体管沟道中产生的结晶缺陷，然后，将该晶体管(70)制成芯片并转印至TFT基板(80)上。制成芯片的晶体管(70)的转印使用离子注入的剥离方法以外的方法。

公开(公告)号：CN101351872A

公开(公告)日：2009-01-21

申请号：CN200680050353.6

申请日：2006-10-13

Applicant: 夏普株式会社

Inventor： 福岛康守 ,  高藤裕 ,  竹井美智子 ,  富安一秀

IPC: H01L21/336 ,  H01L21/02 ,  H01L21/76 ,  H01L21/762 ,  H01L21/8238 ,  H01L27/08 ,  H01L27/092 ,  H01L27/12 ,  H01L29/786

CPC classification number: H01L21/26506 ,  H01L21/76254 ,  H01L21/823475 ,  H01L21/823481 ,  H01L21/84 ,  H01L27/12 ,  H01L29/6659 ,  H01L29/7833

Abstract: 本发明公开了一种半导体装置及其制造方法。进行在形成有元件隔离区域的第二区域的至少一部分平坦区域以相等的厚度形成第一平坦化膜的第一平坦化膜形成工序、在第一平坦化膜之间形成具有与第一平坦化膜的表面相接的平坦表面的第二平坦化膜的第二平坦化膜形成工序、通过第一平坦化膜或第二平坦化膜将剥离用物质离子注入到基体层中来形成剥离层的剥离层形成工序、以及沿着剥离层将基体层的一部分分离的分离工序。