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公开(公告)号：CN101868858A
公开(公告)日：2010-10-20
申请号：CN200880117233.2
申请日：2008-10-10
Applicant: 夏普株式会社
IPC: H01L29/786 , H01L21/02 , H01L21/336 , H01L27/12 , H01L29/417
CPC classification number: H01L27/1266 , H01L21/76254 , H01L27/124 , H01L29/78 , H01L29/78654
Abstract: 本发明提供一种半导体装置、其制造方法和显示装置，该半导体装置在同一个面内设置有多个可控制阈值的MOS晶体管并且能够容易地制作。本发明的半导体装置在同一个面内设置有多个MOS晶体管，该多个MOS晶体管分别具有半导体活性层、栅极绝缘膜和栅极电极的叠层结构，上述半导体装置具有：叠层在上述半导体活性层的与上述栅极电极相反的一侧的绝缘层；和叠层在上述绝缘层的与上述半导体活性层相反的一侧，并且以跨越上述多个MOS晶体管中的至少两个MOS晶体管配置的导电性电极。
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公开(公告)号：CN102714138A
公开(公告)日：2012-10-03
申请号：CN201080059547.9
申请日：2010-12-02
Applicant: 夏普株式会社
IPC: H01L21/02 , H01L21/336 , H01L27/00 , H01L27/12 , H01L29/786
CPC classification number: H01L27/1266 , H01L21/8221 , H01L27/0688 , H01L27/1251 , H01L29/7833 , H01L2224/08225 , H01L2224/80896
Abstract: 一种半导体装置(130)，具备：被接合基板(100)；薄膜元件(80)，其形成于被接合基板(100)上；以及半导体元件(90)，其接合到被接合基板(100)上，是在半导体元件主体(50)的被接合基板(100)侧层叠多个基底层(51～54)而形成的，多个基底层(51～54)分别具有绝缘层和层叠于该绝缘层的电路图案，半导体元件(90)的薄膜元件(80)侧的端部以各基底层(51～54)的薄膜元件(80)侧的端部随着朝向被接合基板(100)侧而逐渐地突出的方式设成阶梯状，并且由树脂层(120)包覆，薄膜元件(80)和半导体元件主体(50)通过设于树脂层(120)上的连接配线(121a)而相互连接。
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公开(公告)号：CN101884096B
公开(公告)日：2012-06-20
申请号：CN200880119080.5
申请日：2008-11-25
Applicant: 夏普株式会社
IPC: H01L21/336 , H01L21/02 , H01L27/12 , H01L29/786
CPC classification number: H01L27/1266 , H01L21/263 , H01L27/1214 , H01L29/6675 , H01L29/7836
Abstract: 本发明提供一种半导体装置及其制造方法。器件部形成工序包括：在基体层的表面形成绝缘膜的绝缘膜形成工序、在绝缘膜的表面均匀地形成导电层的导电层形成工序、和通过对导电层进行图案形成来形成电极的电极形成工序。而且，对基体层离子注入剥离用物质来形成剥离层的剥离层形成工序，在电极形成工序之前进行。
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公开(公告)号：CN102687269A
公开(公告)日：2012-09-19
申请号：CN201080059548.3
申请日：2010-12-02
Applicant: 夏普株式会社
CPC classification number: H01L27/1266 , C09J7/387 , G02F1/13454 , H01L25/0655 , H01L27/1229 , H01L27/124 , H01L27/1251 , H01L2924/0002 , H01L2924/00
Abstract: 一种半导体装置(130)，其具备：被接合基板(100)；薄膜元件(80)，其形成于被接合基板(100)上；以及半导体元件(90a)，其接合到被接合基板(100)上，是在半导体元件主体(50)的被接合基板(100)侧层叠多个基底层(51～54)而形成的，多个基底层(51～54)分别具有绝缘层和层叠于该绝缘层的电路图案，最靠被接合基板(100)侧的基底层(54)具有电路图案被引出到薄膜元件(80)侧而形成的延设部(E)，在薄膜元件(80)与半导体元件(90a)之间设有树脂层(120)，薄膜元件(80)和半导体元件主体(50)通过设于树脂层(120)上的连接配线(121a)、延设部(E)以及各电路图案而相互连接。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN102265380A
公开(公告)日：2011-11-30
申请号：CN200980152604.5
申请日：2009-11-25
Applicant: 夏普株式会社
IPC: H01L21/02 , H01L21/336 , H01L27/12 , H01L29/786
CPC classification number: H01L27/1266
Abstract: 本发明提供一种半导体装置及其制造方法。半导体装置包括：被接合基板(10a)；和与被接合基板(10a)接合且形成有元件图案(T)的半导体元件部(25aa)，在被接合基板(10a)和半导体元件部(25aa)的接合界面，在被接合基板(10a)和半导体元件部(25aa)中的至少一个形成有凹部(23a)。
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公开(公告)号：CN101884096A
公开(公告)日：2010-11-10
申请号：CN200880119080.5
申请日：2008-11-25
Applicant: 夏普株式会社
IPC: H01L21/336 , H01L21/02 , H01L27/12 , H01L29/786
CPC classification number: H01L27/1266 , H01L21/263 , H01L27/1214 , H01L29/6675 , H01L29/7836
Abstract: 本发明提供一种半导体装置及其制造方法。器件部形成工序包括：在基体层的表面形成绝缘膜的绝缘膜形成工序、在绝缘膜的表面均匀地形成导电层的导电层形成工序、和通过对导电层进行图案形成来形成电极的电极形成工序。而且，对基体层离子注入剥离用物质来形成剥离层的剥离层形成工序，在电极形成工序之前进行。
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公开(公告)号：CN101884090A
公开(公告)日：2010-11-10
申请号：CN200880118934.8
申请日：2008-09-12
Applicant: 夏普株式会社
IPC: H01L21/02 , H01L21/336 , H01L27/12 , H01L29/786
CPC classification number: H01L27/1266 , H01L21/76254 , H01L27/1214 , H01L29/66772 , H01L29/78603 , H01L29/78606
Abstract: 在形成有被转移层(16)的器件基板中注入氢离子或者稀有气体离子后，将器件基板接合到载体目标基板，通过氢离子或者稀有气体离子的注入部劈开剥离器件基板而将被转移层(16)转移到载体基板(30)上的半导体装置的制造方法中，在成为器件基板和载体基板的接合界面的接合面(13)与被转移层(16)之间，设置隔断层(11)，其隔断成为气泡产生原因的物质的扩散。其结果是：可以防止成为气泡产生原因的物质扩散所造成的、在半导体基板和目标基板的接合界面中的气泡的产生。
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公开(公告)号：CN101855703B
公开(公告)日：2013-03-13
申请号：CN200880115929.1
申请日：2008-10-22
Applicant: 夏普株式会社
IPC: H01L21/02 , H01L21/265 , H01L21/336 , H01L27/12 , H01L29/786
CPC classification number: H01L27/1266 , H01L21/76254 , H01L27/1214 , H01L27/1229 , H01L27/1251 , H01L29/1054 , H01L29/1608 , H01L29/66772
Abstract: 本发明提供在包含转印至耐热性差的绝缘基板上的单晶半导体薄膜的单晶半导体元件中，能够提高晶体管特性的半导体装置、带有单晶半导体薄膜的基板和它们的制造方法。本发明为在绝缘基板上具备包含单晶半导体薄膜的多个单晶半导体元件的半导体装置的制造方法，上述制造方法包括：第一热处理工序，以不足650℃对上述单晶半导体薄膜进行热处理，上述单晶半导体薄膜掺杂有杂质，形成上述多个单晶半导体元件的至少一部分，并且与上述绝缘基板接合；和第二热处理工序，在上述第一热处理工序之后，以比上述第一热处理工序的热处理时间短的时间，在650℃以上对上述单晶半导体薄膜进行热处理。
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公开(公告)号：CN101855703A
公开(公告)日：2010-10-06
申请号：CN200880115929.1
申请日：2008-10-22
Applicant: 夏普株式会社
IPC: H01L21/02 , H01L21/265 , H01L21/336 , H01L27/12 , H01L29/786
CPC classification number: H01L27/1266 , H01L21/76254 , H01L27/1214 , H01L27/1229 , H01L27/1251 , H01L29/1054 , H01L29/1608 , H01L29/66772
Abstract: 本发明提供在包含转印至耐热性差的绝缘基板上的单晶半导体薄膜的单晶半导体元件中，能够提高晶体管特性的半导体装置、带有单晶半导体薄膜的基板和它们的制造方法。本发明为在绝缘基板上具备包含单晶半导体薄膜的多个单晶半导体元件的半导体装置的制造方法，上述制造方法包括：第一热处理工序，以不足650℃对上述单晶半导体薄膜进行热处理，上述单晶半导体薄膜掺杂有杂质，形成上述多个单晶半导体元件的至少一部分，并且与上述绝缘基板接合；和第二热处理工序，在上述第一热处理工序之后，以比上述第一热处理工序的热处理时间短的时间，在650℃以上对上述单晶半导体薄膜进行热处理。
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