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公开(公告)号：CN113903753A
公开(公告)日：2022-01-07
申请号：CN202110756568.6
申请日：2021-07-05
Applicant: 夏普株式会社
Abstract: 提供具备具有顶栅结构并且特性相互不同的多个氧化物半导体TFT的有源矩阵基板。一种有源矩阵基板，具备分别具有氧化物半导体层和隔着栅极绝缘层配置在氧化物半导体层的一部分上的栅极电极的第1TFT和第2TFT，在第1TFT中，氧化物半导体层中的隔着栅极绝缘层由栅极电极覆盖的第1区域在整个范围内具有包含下部氧化物半导体膜和上部氧化物半导体膜的层叠结构，上部氧化物半导体膜的迁移率高于下部氧化物半导体膜的迁移率，在第2TFT中，氧化物半导体层的第1区域的至少一部分包含下部氧化物半导体膜和上部氧化物半导体膜中的一方氧化物半导体膜，并且不包含另一方氧化物半导体膜。
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公开(公告)号：CN109690661B
公开(公告)日：2021-01-01
申请号：CN201780053900.4
申请日：2017-08-31
Applicant: 夏普株式会社
IPC: G09F9/30 , G02F1/1345 , G02F1/1368 , H01L21/336 , H01L29/786
Abstract: 有源矩阵基板(1001)具备：多个检查用TFT(10Q)，其配置在非显示区域(900)；以及检查电路(200)，其包含多个检查用TFT(10Q)，多个检查用TFT(10Q)的至少一部分配置在搭载半导体芯片的半导体芯片搭载区域(R)内，多个检查用TFT(10Q)各自包含：半导体层；下部栅极电极(FG)，其隔着栅极绝缘层配置在半导体层的基板侧；上部栅极电极(BG)，其隔着包含第1绝缘层的绝缘层配置在半导体层的与基板相反的一侧；以及源极电极和漏极电极，其连接到半导体层。
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公开(公告)号：CN107850963B
公开(公告)日：2020-11-17
申请号：CN201680042801.1
申请日：2016-07-21
Applicant: 夏普株式会社
Abstract: 将用于触摸位置检测所需的结构设置在有源矩阵基板。具有触摸面板的显示装置具备有源矩阵基板1、液晶层、及对向基板。在有源矩阵基板1上形成有：TFT(显示控制元件)4；第一绝缘膜44，形成于较TFT4更靠液晶层侧；多个像素电极31，形成于较第一绝缘膜44更靠液晶层侧；第二绝缘膜46，形成于较多个像素电极31更靠液晶层侧；多个对向电极21，形成于较第二绝缘膜46更靠液晶层侧，且在与多个像素电极31之间形成静电电容；控制部，通过对多个对向电极21供给触摸驱动信号来检测触摸位置；以及信号线22，用于连接控制部与对向电极21，且自控制部向对向电极21供给触摸驱动信号。信号线22形成于第一绝缘膜44与第二绝缘膜46之间。
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公开(公告)号：CN107850963A
公开(公告)日：2018-03-27
申请号：CN201680042801.1
申请日：2016-07-21
Applicant: 夏普株式会社
Abstract: 将用于触摸位置检测所需的结构设置在有源矩阵基板。具有触摸面板的显示装置具备有源矩阵基板1、液晶层、及对向基板。在有源矩阵基板1上形成有：TFT(显示控制元件)4；第一绝缘膜44，形成于较TFT4更靠液晶层侧；多个像素电极31，形成于较第一绝缘膜44更靠液晶层侧；第二绝缘膜46，形成于较多个像素电极31更靠液晶层侧；多个对向电极21，形成于较第二绝缘膜46更靠液晶层侧，且在与多个像素电极31之间形成静电电容；控制部，通过对多个对向电极21供给触摸驱动信号来检测触摸位置；以及信号线22，用于连接控制部与对向电极21，且自控制部向对向电极21供给触摸驱动信号。信号线22形成于第一绝缘膜44与第二绝缘膜46之间。
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公开(公告)号：CN102652330A
公开(公告)日：2012-08-29
申请号：CN201080056072.8
申请日：2010-12-03
Applicant: 夏普株式会社
IPC: G09F9/30 , G02F1/1368 , G09F9/00 , H01L21/336 , H01L29/786
CPC classification number: H01L27/1225 , G02F1/13458 , G02F1/136213 , H01L27/124 , H01L27/1244 , H01L27/1248
Abstract: 半导体装置具有：薄膜晶体管，该薄膜晶体管包括栅极配线(3a)、第一绝缘膜(5)、岛状的氧化物半导体层(7a)、第二绝缘膜(9)、源极配线(13as)、漏极电极(13ad)和保护膜；和端子部，该端子部包括由与栅极配线相同的导电膜形成的第一连接部(3c)、由与源极配线和漏极电极相同的导电膜形成的第二连接部(13c)和在第二连接部上形成的第三连接部(19c)，第二连接部在设置于第一绝缘膜和第二绝缘膜的第一开口部(11c)内与第一连接部接触，第三连接部(19c)在设置于保护膜的第二开口部(17c)内与第二连接部接触，第二连接部(13c)覆盖第一开口部(11c)的第一绝缘膜和第二绝缘膜的端面，并且不覆盖第二开口部(17c)的保护膜(15)的端面。由此，能够高精度地控制端子部的接触孔的锥形形状。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN112711149B
公开(公告)日：2024-10-18
申请号：CN202011137059.7
申请日：2020-10-22
Applicant: 夏普株式会社
IPC: G02F1/1333 , G02F1/1343 , G06F3/041
Abstract: 有源矩阵基板具备：多个TFT；层间绝缘层；公共电极，分离成分别作为触摸传感器电极发挥功能的多个分段；第一电介质层；多个像素电极；第二电介质层；以及多个触摸布线，各像素电极隔着第一电介质层与公共电极部分重叠，由此形成辅助电容，多个触摸传感器电极包括第一电极，多个触摸布线包括与第一电极电连接的第一布线以及与其他电极电连接的第二布线，第二布线在从基板的法线方向看时，横穿第一电极而延伸到其他电极，第二布线的一部分隔着第一电介质层和第二电介质层与第一电极重叠，由此形成触摸布线电容。
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公开(公告)号：CN109496281A
公开(公告)日：2019-03-19
申请号：CN201780046585.2
申请日：2017-07-25
Applicant: 夏普株式会社
IPC: G02F1/1368 , G02F1/1333 , G02F1/1343 , G06F3/041 , G06F3/044 , G09F9/00 , G09F9/30
Abstract: 本发明目的在于提供一种具有触控面板的显示装置，即使对于大型化以及高清晰化的面板，也能够得到期望的触摸检测性能。本发明的具有触摸面板的显示装置包括有源矩阵基板(1)。有源矩阵基板(1)在基板(40)上包括多个像素电极、多个对向电极(21)以及设置于像素电极与对向电极(21)之间的绝缘膜(46)。另外，有源矩阵基板(1)包括与多个对向电极(21)的任意一个连接的多条信号线(22)、与多个像素电极的每一个连接的多个开关元件以及设置于像素电极与信号线(22)以及开关元件之间的有机系绝缘膜(45)。信号线(22)连接于基板(40)。
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公开(公告)号：CN107924652A
公开(公告)日：2018-04-17
申请号：CN201680047229.8
申请日：2016-08-12
Applicant: 夏普株式会社
IPC: G09F9/30 , G02F1/1345 , G02F1/1368
Abstract: 在配置有密封材料的区域中确保宽的光透过区域。有源矩阵基板具备：第一布线，其形成在第一布线层；第二布线，其形成在与第一布线层不同的第二布线层；第三布线，其形成在与第一布线层及第二布线层不同的第三布线层，供给与第一布线及第二布线中供给的信号不同的信号；第一连接线21a、21b，其连接第一布线或第二布线与第一端子之间；以及第二连接线24c，其连接第三布线与第二端子之间。相邻的两根第一连接线21a、21b的一方的至少一部分形成在第一布线层及第二布线层之中的一方的布线层，另一方的至少一部分形成在另一方的布线层。在为密封区域、且第一连接线21a、21b及第二连接线24c重叠的区域，两根第一连接线21a、21b的至少一部分在俯视时重叠。
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公开(公告)号：CN103348484B
公开(公告)日：2016-03-30
申请号：CN201280007738.X
申请日：2012-01-31
Applicant: 夏普株式会社
IPC: H01L29/786 , G02F1/1368 , H01L21/28 , H01L29/41 , H01L29/417
Abstract: 漏极电极（17）包括：以覆盖半导体层（14）的上表面的一部分的方式层叠的下层漏极电极（17a）和上层漏极电极（17b），半导体层（14）、下层漏极电极（17a）和上层漏极电极（17b）构成为台阶状，在构成为上述台阶状的部分，下层漏极电极（17a）的周边与上层漏极电极（17b）的周边的距离大于0.4μm且小于1.5μm。
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公开(公告)号：CN102473727B
公开(公告)日：2015-04-01
申请号：CN201080029375.0
申请日：2010-03-10
Applicant: 夏普株式会社
IPC: H01L29/786 , G02F1/1368
CPC classification number: H01L29/22 , G02F1/1368 , G02F2202/10 , H01L21/02554 , H01L21/02565 , H01L21/02631 , H01L29/45 , H01L29/4908 , H01L29/66742 , H01L29/66969 , H01L29/7869
Abstract: 本发明提供能够实现具有稳定的晶体管特性的薄膜晶体管的氧化物半导体、具有包含该氧化物半导体的沟道层的薄膜晶体管及其制造方法和包括该薄膜晶体管的显示装置。本发明的氧化物半导体是薄膜晶体管用的氧化物半导体，上述氧化物半导体包含铟、镓、锌和氧作为构成原子，当将化学计量的状态按原子单位设为100％时，上述氧化物半导体的氧含量是87～95％。
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