公开(公告)号：CN103270601A

公开(公告)日：2013-08-28

申请号：CN201180061376.8

申请日：2011-12-15

Applicant: 夏普株式会社

Inventor： 守口正生 ,  神崎庸辅 ,  高西雄大 ,  楠见崇嗣 ,  松木园广志

IPC: H01L29/786 ,  G02F1/1368 ,  G09F9/30 ,  H01L21/336 ,  H01L51/50

CPC classification number: H01L27/124 ,  G02F1/136286 ,  G02F1/1368 ,  G02F2001/134372 ,  H01L23/564 ,  H01L27/1225 ,  H01L27/1248 ,  H01L27/1255 ,  H01L27/3262 ,  H01L27/3276 ,  H01L29/66969 ,  H01L29/78606 ,  H01L29/7869 ,  H01L2924/0002 ,  H01L2924/00

Abstract: 本发明的半导体装置（100）为具有薄膜晶体管（10）的半导体装置，包括：形成在基板（60）之上的薄膜晶体管（10）的栅极电极（62）；形成在栅极电极（62）之上的栅极绝缘层（66）；形成在栅极绝缘层（66）之上的氧化物半导体层（68）；和配置在氧化物半导体层（68）之上的源极电极（70s）和漏极电极（70d）；形成在氧化物半导体层（68）、源极电极（70s）和漏极电极（70d）之上的保护层（72）；形成在保护层（72）之上的供氧层（74）；和形成在供氧层之（74）之上的扩散防止层（78）。

公开(公告)号：CN102308389A

公开(公告)日：2012-01-04

申请号：CN201080006704.X

申请日：2010-01-29

Applicant: 夏普株式会社

Inventor： 高西雄大 ,  守口正生

IPC: H01L29/786

CPC classification number: H01L27/124 ,  H01L29/41733

Abstract: 本发明的半导体装置包括：下部电极(110)；具有与半导体层(120)重叠的第一接触层(132)、第二接触层(134)和第三接触层(136)的接触层(130)；和具有第一上部电极(142)、第二上部电极(144)和第三上部电极(146)的上部电极(140)。第二接触层(134)具有第一区域(134a)和与第一区域(134a)分离的第二区域(134b)，第二上部电极(144)在第二接触层(134)的第一区域(134a)与第二区域(134b)之间的区域与半导体层(120)直接接触。

公开(公告)号：CN103262250B

公开(公告)日：2014-12-17

申请号：CN201180059369.4

申请日：2011-12-06

Applicant: 夏普株式会社

Inventor： 守口正生 ,  神崎庸辅 ,  高西雄大 ,  楠见崇嗣 ,  松木园广志

IPC: H01L29/786 ,  G02F1/1368 ,  H01L21/312 ,  H01L21/336 ,  H01L51/50

CPC classification number: H01L27/15 ,  G02F1/1368 ,  H01L21/46 ,  H01L27/1225 ,  H01L27/3262 ,  H01L29/4908 ,  H01L29/66742 ,  H01L29/66969 ,  H01L29/78606 ,  H01L29/7869

Abstract: 本发明的半导体装置包括：形成在基板(60)上的薄膜晶体管(10)的栅极电极(62)和供氧层(64)；形成在栅极电极(62)和供氧层(64)之上的栅极绝缘层(66)；形成在栅极绝缘层(66)之上的薄膜晶体管(10)的氧化物半导体层(68)；和配置在栅极绝缘层(66)和氧化物半导体层(68)之上的薄膜晶体管(10)的源极电极(70S)和漏极电极(70d)。

公开(公告)号：CN103477441A

公开(公告)日：2013-12-25

申请号：CN201280019248.1

申请日：2012-04-12

Applicant: 夏普株式会社

Inventor： 守口正生 ,  神崎庸辅 ,  高西雄大 ,  楠见崇嗣

IPC: H01L29/786 ,  G02F1/1368 ,  H01L21/28 ,  H01L21/336 ,  H01L29/417

CPC classification number: H01L29/7869 ,  G02F1/1368 ,  H01L27/1225 ,  H01L29/6675

Abstract: 本发明的薄膜晶体管具备：栅极电极(11a)；覆盖栅极电极(11a)的栅极绝缘膜(12a)；设置在栅极绝缘膜(12a)上的包含氧化物半导体的半导体层(13a)；隔着还原性高的金属层(15aa、15ab)设置于半导体层(13a)且夹着沟道区域(C)地相互分离的源极电极(16aa)和漏极电极(16ab)；设置于半导体层(13a)的导电区域(E)；和设置于半导体层(13a)且抑制导电区域(E)对沟道区域(C)的扩散的扩散抑制部(13ca、13cb)。

公开(公告)号：CN102939658A

公开(公告)日：2013-02-20

申请号：CN201180026960.X

申请日：2011-05-23

Applicant: 夏普株式会社

Inventor： 守口正生 ,  竹井美智子 ,  神崎庸辅 ,  井上毅 ,  深谷哲生 ,  高西雄大 ,  楠见崇嗣 ,  中谷喜纪 ,  冈本哲也 ,  中西研二

IPC: H01L29/786 ,  H01L21/336 ,  H01L21/363

CPC classification number: H01L29/7869 ,  H01L29/24 ,  H01L29/66742 ,  H01L29/66969 ,  H01L29/78618 ,  H01L29/78696

Abstract: 本发明是包括栅极电极（21）和栅极绝缘膜（22）、半导体层（23）、源极电极（24）、漏极电极（25）等的TFT（20）。半导体层（23）包括金属氧化物半导体（IGZO），且具有：与源极电极（24）接触的源极部（23a）、与漏极电极（25）接触的漏极部（23b）和这些源极部（23a）与漏极部（23b）之间的沟道部（23c）。在所述半导体层（23）中，至少在所述沟道部（23c）形成有与其他部分相比In等的金属单质的含有率高的还原区域（30）。

公开(公告)号：CN107924091B

公开(公告)日：2020-12-25

申请号：CN201680048508.6

申请日：2016-08-26

Applicant: 夏普株式会社

Inventor： 高西雄大 ,  松本龙儿 ,  近间义雅

IPC: G02F1/1337 ,  G02F1/1333 ,  G02F1/1339

Abstract: 液晶面板(11)具备：一对基板(11a、11b)；密封部(11q)，其夹设于一对基板(11a、11b)之间而密封内部空间；绝缘膜(11s)，其设置于阵列基板(11b)；取向膜(11o)，其在阵列基板(11b)以与绝缘膜(11s)重叠的形式设置而至少配设于显示区域AA；以及成膜范围限制凹状部(21)，其为在阵列基板(11b)中的相对于密封部(11q)而靠显示区域AA的位置以使绝缘膜(11s)部分地凹陷的形式设置从而限制取向膜(11o)的成膜范围的成膜范围限制凹状部(21)，且构成为密封部(11q)侧的第一侧面(21a)的至少一部分相比其相反一侧的第二侧面(21b)而相对于阵列基板(11b)的板面所涉及的法线方向所成的角度相对较小。

公开(公告)号：CN103430088A

公开(公告)日：2013-12-04

申请号：CN201280012567.X

申请日：2012-03-16

Applicant: 夏普株式会社

Inventor： 守口正生 ,  神崎庸辅 ,  高西雄大 ,  楠见崇嗣

IPC: G02F1/1368 ,  G02F1/1333 ,  G09F9/30

CPC classification number: G02F1/133345 ,  G02F1/1339 ,  G02F1/1345 ,  G02F1/136277 ,  G02F1/1368 ,  G02F2001/133311 ,  G02F2001/133357 ,  G02F2001/134372 ,  G02F2201/501 ,  H01L27/1248 ,  H01L29/78606 ,  H01L29/78636

Abstract: 在玻璃基板（11）上形成TFT（1），并形成覆盖TFT（1）的平坦化树脂膜（17）。接着，形成覆盖平坦化树脂膜（17）的整个表面的防湿性的保护膜（18）。保护膜（18）使用SiO2膜、SiN膜、SiON膜或者它们的叠层膜。将平坦化树脂膜（17）的端面配置在密封件（4）的内侧或者下方，并将平坦化树脂膜（17）的端面设为锥形形状。由此，防止水分向平坦化树脂膜（17）侵入，防止显示劣化。该效果在包含氧化物半导体TFT的显示装置中显著。

公开(公告)号：CN103262250A

公开(公告)日：2013-08-21

申请号：CN201180059369.4

申请日：2011-12-06

Applicant: 夏普株式会社

Inventor： 守口正生 ,  神崎庸辅 ,  高西雄大 ,  楠见崇嗣 ,  松木园广志

IPC: H01L29/786 ,  G02F1/1368 ,  H01L21/312 ,  H01L21/336 ,  H01L51/50

CPC classification number: H01L27/15 ,  G02F1/1368 ,  H01L21/46 ,  H01L27/1225 ,  H01L27/3262 ,  H01L29/4908 ,  H01L29/66742 ,  H01L29/66969 ,  H01L29/78606 ,  H01L29/7869

Abstract: 本发明的半导体装置包括：形成在基板(60)上的薄膜晶体管(10)的栅极电极(62)和供氧层(64)；形成在栅极电极(62)和供氧层(64)之上的栅极绝缘层(66)；形成在栅极绝缘层(66)之上的薄膜晶体管(10)的氧化物半导体层(68)；和配置在栅极绝缘层(66)和氧化物半导体层(68)之上的薄膜晶体管(10)的源极电极(70S)和漏极电极(70d)。

公开(公告)号：CN107924091A

公开(公告)日：2018-04-17

申请号：CN201680048508.6

申请日：2016-08-26

Applicant: 夏普株式会社

Inventor： 高西雄大 ,  松本龙儿 ,  近间义雅

IPC: G02F1/1337 ,  G02F1/1333 ,  G02F1/1339

CPC classification number: G02F1/133788 ,  G02F1/133345 ,  G02F1/133514 ,  G02F1/133707 ,  G02F1/1339 ,  G02F1/1368 ,  G03F7/0007

Abstract: 液晶面板(11)具备：一对基板(11a、11b)；密封部(11q)，其夹设于一对基板(11a、11b)之间而密封内部空间；绝缘膜(11s)，其设置于阵列基板(11b)；取向膜(11o)，其在阵列基板(11b)以与绝缘膜(11s)重叠的形式设置而至少配设于显示区域AA；以及成膜范围限制凹状部(21)，其为在阵列基板(11b)中的相对于密封部(11q)而靠显示区域AA的位置以使绝缘膜(11s)部分地凹陷的形式设置从而限制取向膜(11o)的成膜范围的成膜范围限制凹状部(21)，且构成为密封部(11q)侧的第一侧面(21a)的至少一部分相比其相反一侧的第二侧面(21b)而相对于阵列基板(11b)的板面所涉及的法线方向所成的角度相对较小。

公开(公告)号：CN103270601B

公开(公告)日：2016-02-24

申请号：CN201180061376.8

申请日：2011-12-15

Applicant: 夏普株式会社

Inventor： 守口正生 ,  神崎庸辅 ,  高西雄大 ,  楠见崇嗣 ,  松木园广志

IPC: H01L29/786 ,  G02F1/1368 ,  G09F9/30 ,  H01L21/336 ,  H01L51/50

CPC classification number: H01L27/124 ,  G02F1/136286 ,  G02F1/1368 ,  G02F2001/134372 ,  H01L23/564 ,  H01L27/1225 ,  H01L27/1248 ,  H01L27/1255 ,  H01L27/3262 ,  H01L27/3276 ,  H01L29/66969 ,  H01L29/78606 ,  H01L29/7869 ,  H01L2924/0002 ,  H01L2924/00

Abstract: 本发明的半导体装置（100）为具有薄膜晶体管（10）的半导体装置，包括：形成在基板（60）之上的薄膜晶体管（10）的栅极电极（62）；形成在栅极电极（62）之上的栅极绝缘层（66）；形成在栅极绝缘层（66）之上的氧化物半导体层（68）；和配置在氧化物半导体层（68）之上的源极电极（70s）和漏极电极（70d）；形成在氧化物半导体层（68）、源极电极（70s）和漏极电极（70d）之上的保护层（72）；形成在保护层（72）之上的供氧层（74）；和形成在供氧层之（74）之上的扩散防止层（78）。