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公开(公告)号：CN109887469A
公开(公告)日：2019-06-14
申请号：CN201811344967.6
申请日：2018-11-13
Applicant: 夏普株式会社
Abstract: 本发明提供一种移位寄存器，在构成移位寄存器的各级的单元电路中设有电荷供给部(420)，该电荷供给部(420)包含第三控制节点N3，该第三控制节点N3与第一节点(用于保持电荷以输出高电平的扫描信号(输出信号Q)的节点)N1在相同的时序下电位成为高电平，且在自该第三控制节点N3的电位成为高电平后直至输出高电平的扫描信号(输出信号Q)为止的期间，该电荷供给部(420)能够对第一节点N1供给电荷。在此，移位寄存器内的所有单元电路以相同的方式构成。
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公开(公告)号：CN103270601B
公开(公告)日：2016-02-24
申请号：CN201180061376.8
申请日：2011-12-15
Applicant: 夏普株式会社
IPC: H01L29/786 , G02F1/1368 , G09F9/30 , H01L21/336 , H01L51/50
CPC classification number: H01L27/124 , G02F1/136286 , G02F1/1368 , G02F2001/134372 , H01L23/564 , H01L27/1225 , H01L27/1248 , H01L27/1255 , H01L27/3262 , H01L27/3276 , H01L29/66969 , H01L29/78606 , H01L29/7869 , H01L2924/0002 , H01L2924/00
Abstract: 本发明的半导体装置（100）为具有薄膜晶体管（10）的半导体装置，包括：形成在基板（60）之上的薄膜晶体管（10）的栅极电极（62）；形成在栅极电极（62）之上的栅极绝缘层（66）；形成在栅极绝缘层（66）之上的氧化物半导体层（68）；和配置在氧化物半导体层（68）之上的源极电极（70s）和漏极电极（70d）；形成在氧化物半导体层（68）、源极电极（70s）和漏极电极（70d）之上的保护层（72）；形成在保护层（72）之上的供氧层（74）；和形成在供氧层之（74）之上的扩散防止层（78）。
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公开(公告)号：CN110120202B
公开(公告)日：2021-11-16
申请号：CN201811457536.0
申请日：2018-11-30
Applicant: 夏普株式会社
Abstract: 一种显示装置中的单位电路采用如下构造：仅使用一个系统的电压(栅极导通电压VGH)以作为将扫描线设为选择状态的电压(一个电源系统构造)。在构成栅极驱动器内的移位寄存器的单位电路上，设置源极端子与输出控制节点(netA)连接的薄膜晶体管(T11)。在这种构造中，若来自外部的电源供给停止，则向薄膜晶体管(T11)的栅极端子施加的电压及向薄膜晶体管(T11)的漏极端子施加的电压被设定为栅极导通电压(VGH)。
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公开(公告)号：CN110232895A
公开(公告)日：2019-09-13
申请号：CN201910161211.6
申请日：2019-03-04
Applicant: 夏普株式会社
IPC: G09G3/36
Abstract: 提供一种扫描信号线驱动电路，能够在确保用于图像显示的高速扫描的同时降低功耗，并且能够实现窄边框化。第1栅极驱动器(410)和第2栅极驱动器(420)隔着显示部(500)相对配置，基于DC缓冲方式，奇数编号的栅极线(GL1、GL3、…)由第1栅极驱动器(410)驱动，并且偶数编号的栅极线(GL2、GL4、…)由第2栅极驱动器(420)驱动，在应当将各栅极总线(GLi)设为非选择状态时，电荷从其两端放电。因此，例如奇数编号的栅极总线(GLn)的第1栅极驱动器侧的端部连接到包括活性化晶体管(M10)和非活性化晶体管(M13L)的缓冲器，第2栅极驱动器侧的端部连接到非活性化辅助晶体管(M13R)。
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公开(公告)号：CN103270601A
公开(公告)日：2013-08-28
申请号：CN201180061376.8
申请日：2011-12-15
Applicant: 夏普株式会社
IPC: H01L29/786 , G02F1/1368 , G09F9/30 , H01L21/336 , H01L51/50
CPC classification number: H01L27/124 , G02F1/136286 , G02F1/1368 , G02F2001/134372 , H01L23/564 , H01L27/1225 , H01L27/1248 , H01L27/1255 , H01L27/3262 , H01L27/3276 , H01L29/66969 , H01L29/78606 , H01L29/7869 , H01L2924/0002 , H01L2924/00
Abstract: 本发明的半导体装置（100）为具有薄膜晶体管（10）的半导体装置，包括：形成在基板（60）之上的薄膜晶体管（10）的栅极电极（62）；形成在栅极电极（62）之上的栅极绝缘层（66）；形成在栅极绝缘层（66）之上的氧化物半导体层（68）；和配置在氧化物半导体层（68）之上的源极电极（70s）和漏极电极（70d）；形成在氧化物半导体层（68）、源极电极（70s）和漏极电极（70d）之上的保护层（72）；形成在保护层（72）之上的供氧层（74）；和形成在供氧层之（74）之上的扩散防止层（78）。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN109887469B
公开(公告)日：2021-06-08
申请号：CN201811344967.6
申请日：2018-11-13
Applicant: 夏普株式会社
Abstract: 本发明提供一种移位寄存器，在构成移位寄存器的各级的单元电路中设有电荷供给部(420)，该电荷供给部(420)包含第三控制节点N3，该第三控制节点N3与第一节点(用于保持电荷以输出高电平的扫描信号(输出信号Q)的节点)N1在相同的时序下电位成为高电平，且在自该第三控制节点N3的电位成为高电平后直至输出高电平的扫描信号(输出信号Q)为止的期间，该电荷供给部(420)能够对第一节点N1供给电荷。在此，移位寄存器内的所有单元电路以相同的方式构成。
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公开(公告)号：CN110047447B
公开(公告)日：2021-03-30
申请号：CN201811341922.3
申请日：2018-11-12
Applicant: 夏普株式会社
IPC: G09G3/36
Abstract: 本发明提供一种栅极驱动器(扫描信号线驱动电路)，其为可以抑制边框尺寸增大并中途停止扫描的栅极驱动器(用于具备触摸面板的显示装置的栅极驱动器)。在每个单元电路中设有薄膜晶体管(第一稳定化晶体管)T6，在薄膜晶体管T6中，栅极端子被提供帧期间结束时成为导通电平的清除信号CLR，漏极端子连接电荷存储节点N1，源极端子被提供关断电平的电位。在此，使薄膜晶体管T6的栅极长度大于其它电荷存储节点关断晶体管的栅极长度。或者，薄膜晶体管T6采用多栅极结构，其它电荷存储节点关断晶体管采用单栅极结构。
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公开(公告)号：CN110379381A
公开(公告)日：2019-10-25
申请号：CN201910291104.5
申请日：2019-04-11
Applicant: 夏普株式会社
IPC: G09G3/36
Abstract: 对源极总线进行预充电的预充电电路被设置在采用SSD方式的显示装置上。如果是采用n沟道型的TFT的话，预充电电路(500)在对与应该进行正极性的数据写入的像素形成部(6)连接的源极总线(SL)施加视频信号之前施加预充电电压(VPC)。SSD电路(400)以下述方式对数据输出线DL的连接目的地的源极总线(SL)进行切换，在各水平扫描期间中，相较于与应该进行正极性的数据写入的像素形成部(6)连接的源极总线(SL)，与应该进行负极性的数据写入的像素形成部(6)连接的源极总线(SL)相对较早地被施加视频信号。
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公开(公告)号：CN110047447A
公开(公告)日：2019-07-23
申请号：CN201811341922.3
申请日：2018-11-12
Applicant: 夏普株式会社
IPC: G09G3/36
Abstract: 本发明提供一种栅极驱动器(扫描信号线驱动电路)，其为可以抑制边框尺寸增大并中途停止扫描的栅极驱动器(用于具备触摸面板的显示装置的栅极驱动器)。在每个单元电路中设有薄膜晶体管(第一稳定化晶体管)T6，在薄膜晶体管T6中，栅极端子被提供帧期间结束时成为导通电平的清除信号CLR，漏极端子连接电荷存储节点N1，源极端子被提供关断电平的电位。在此，使薄膜晶体管T6的栅极长度大于其它电荷存储节点关断晶体管的栅极长度。或者，薄膜晶体管T6采用多栅极结构，其它电荷存储节点关断晶体管采用单栅极结构。
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公开(公告)号：CN103430088A
公开(公告)日：2013-12-04
申请号：CN201280012567.X
申请日：2012-03-16
Applicant: 夏普株式会社
IPC: G02F1/1368 , G02F1/1333 , G09F9/30
CPC classification number: G02F1/133345 , G02F1/1339 , G02F1/1345 , G02F1/136277 , G02F1/1368 , G02F2001/133311 , G02F2001/133357 , G02F2001/134372 , G02F2201/501 , H01L27/1248 , H01L29/78606 , H01L29/78636
Abstract: 在玻璃基板（11）上形成TFT（1），并形成覆盖TFT（1）的平坦化树脂膜（17）。接着，形成覆盖平坦化树脂膜（17）的整个表面的防湿性的保护膜（18）。保护膜（18）使用SiO2膜、SiN膜、SiON膜或者它们的叠层膜。将平坦化树脂膜（17）的端面配置在密封件（4）的内侧或者下方，并将平坦化树脂膜（17）的端面设为锥形形状。由此，防止水分向平坦化树脂膜（17）侵入，防止显示劣化。该效果在包含氧化物半导体TFT的显示装置中显著。
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